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原子层沉积法 生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究

董亚斌 夏洋 李超波 卢维尔 饶志鹏 张阳 张祥 叶甜春

原子层沉积法 生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究

董亚斌, 夏洋, 李超波, 卢维尔, 饶志鹏, 张阳, 张祥, 叶甜春
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  • 介绍了新型材料ZnO的各项性能,并采用原子层沉积方法制备新型材料ZnO. 实验中采用二乙基锌(DEZn) 和水作为生长ZnO的前驱体源, 在蓝宝石衬底上生长ZnO; 采用氮气作为载气, 生长温度为180℃. 通过改变在实验中的通入锌源的时间, 探索不同的DEZn的源的量对薄膜的成分(Zn/O)、薄膜的厚度、生长速率、晶型、 表面形貌、三维形貌以及粗糙度的影响.
    • 基金项目: 国家重大科技专项(批准号: 2009ZX02037-003)资助的课题.
    [1]

    Yang T Y, Kong C Y, Ruan H B, Qin G P, Li W J, Liang W W, Meng X D, Zhao Y H, Fang L, Cui Y T 2013 Acta Phys. Sin. 62 037703 (in Chinese) [杨天勇, 孔春阳, 阮海波, 秦国平, 李万俊, 梁薇薇, 孟祥丹, 赵永红, 方亮, 崔玉亭 2013 物理学报 62 037703]

    [2]

    Zhang Z L, Zheng G, Qu F Y, Wu X 2012 Chin. Phys. B 21 098104

    [3]

    Suk L, Yong H, I m, Yo B H 2005 Korean J. Chem. Eng. 22 334

    [4]

    Wang J C, Weng W T, Tsai M Y, Lee M K, Horong S F, Perng T P, Kei C C, Yu C C, Meng H F 2010 J. Mater. Chem. 20 862

    [5]

    Himchan O, Sang H K P, Min K R, Chi S H, Shinhyuk Y, Oh S K 2012 ETRI Journal 34 283

    [6]

    Ke J Q, Sun C, Bao Z, Lin C, Shi J D, He L L, Qing Q S, David W Z, Zhen C 2012 Appl. Surf. Sci. 258 4657

    [7]

    Manik K G, Cheol H C 2006 Chem. Phys. Lett. 426 365

    [8]

    Guziewicz E, Godlewski M, Wachnicki L, Krajewski T A, Luka G, Gieraltowska S, Jakiela R, Stonert A, Lisowski W, Krawczyk M, Sobczak J W, Jablonski A 2012 Semicond. Sci. Technol. 27 1

    [9]

    Krajewski T, Guziewicz E, Godlewski M, Wachnicki L 2009 Microelectron. J. 40 293

    [10]

    Zhang X, Liu B W, Xia Y, Li C B, Liu J, Shen Z N 2012 Acta Phys. Sin. 61 187303 (in Chinese) [张祥, 刘邦武, 夏洋, 李超波, 刘杰, 沈泽南 2012 物理学报 61 187303]

    [11]

    Hisao M, Aki M, Takahiro Y, Naoki Y, Tetsuya Y 2009 Thin Solid Films 517 3138

    [12]

    Lim S J, Soonju K, Kim H 2008 Thin Solid Films 516 1523

    [13]

    Kohan A F, Ceder G, Morgan D 2008 Phys. Rev. B 61 1

    [14]

    Ping Y L, Jyh R G, Ping C L, Tai Y L, Dong Y L, Der Y L, Hung J L, Ta C L, Kuo J C, Wen J L 2008 J. Crystal Growth 310 3024

    [15]

    Liu C H, Chang R P H 2002 J. Chem. Phys. 116 8139

    [16]

    Zhou X F, Wu C, Tang Z Y, Kong C G, Qiu B B, Yang Y, Lu G W 2012 J. Synthetic Crystals 41 793 (in Chinese) [周雪飞, 吴冲, 唐朝云, 孔垂岗, 邱贝贝, 杨云, 卢贵武 2012 人工晶体学报 41 793]

    [17]

    Chen B, Han B, Zhou C G, Wu J P 2009 J. Earth Sci. 34 636 (in Chinese) [陈蓓, 韩波, 周成冈, 吴金平 2009 地球科学 34 636]

    [18]

    Gu J H, Zhou Y Q, Zhu M F, Li G H, Ding K, Zhou B Q, Liu F Z, Liu J L, Zhang Q F 2005 Acta Phys. Sin. 54 1890 (in Chinese) [谷金花, 周玉琴, 朱美芳, 李国华, 丁琨, 周炳卿, 刘丰珍, 刘金龙, 张群芳 2005 物理学报 54 1890]

  • [1]

    Yang T Y, Kong C Y, Ruan H B, Qin G P, Li W J, Liang W W, Meng X D, Zhao Y H, Fang L, Cui Y T 2013 Acta Phys. Sin. 62 037703 (in Chinese) [杨天勇, 孔春阳, 阮海波, 秦国平, 李万俊, 梁薇薇, 孟祥丹, 赵永红, 方亮, 崔玉亭 2013 物理学报 62 037703]

    [2]

    Zhang Z L, Zheng G, Qu F Y, Wu X 2012 Chin. Phys. B 21 098104

    [3]

    Suk L, Yong H, I m, Yo B H 2005 Korean J. Chem. Eng. 22 334

    [4]

    Wang J C, Weng W T, Tsai M Y, Lee M K, Horong S F, Perng T P, Kei C C, Yu C C, Meng H F 2010 J. Mater. Chem. 20 862

    [5]

    Himchan O, Sang H K P, Min K R, Chi S H, Shinhyuk Y, Oh S K 2012 ETRI Journal 34 283

    [6]

    Ke J Q, Sun C, Bao Z, Lin C, Shi J D, He L L, Qing Q S, David W Z, Zhen C 2012 Appl. Surf. Sci. 258 4657

    [7]

    Manik K G, Cheol H C 2006 Chem. Phys. Lett. 426 365

    [8]

    Guziewicz E, Godlewski M, Wachnicki L, Krajewski T A, Luka G, Gieraltowska S, Jakiela R, Stonert A, Lisowski W, Krawczyk M, Sobczak J W, Jablonski A 2012 Semicond. Sci. Technol. 27 1

    [9]

    Krajewski T, Guziewicz E, Godlewski M, Wachnicki L 2009 Microelectron. J. 40 293

    [10]

    Zhang X, Liu B W, Xia Y, Li C B, Liu J, Shen Z N 2012 Acta Phys. Sin. 61 187303 (in Chinese) [张祥, 刘邦武, 夏洋, 李超波, 刘杰, 沈泽南 2012 物理学报 61 187303]

    [11]

    Hisao M, Aki M, Takahiro Y, Naoki Y, Tetsuya Y 2009 Thin Solid Films 517 3138

    [12]

    Lim S J, Soonju K, Kim H 2008 Thin Solid Films 516 1523

    [13]

    Kohan A F, Ceder G, Morgan D 2008 Phys. Rev. B 61 1

    [14]

    Ping Y L, Jyh R G, Ping C L, Tai Y L, Dong Y L, Der Y L, Hung J L, Ta C L, Kuo J C, Wen J L 2008 J. Crystal Growth 310 3024

    [15]

    Liu C H, Chang R P H 2002 J. Chem. Phys. 116 8139

    [16]

    Zhou X F, Wu C, Tang Z Y, Kong C G, Qiu B B, Yang Y, Lu G W 2012 J. Synthetic Crystals 41 793 (in Chinese) [周雪飞, 吴冲, 唐朝云, 孔垂岗, 邱贝贝, 杨云, 卢贵武 2012 人工晶体学报 41 793]

    [17]

    Chen B, Han B, Zhou C G, Wu J P 2009 J. Earth Sci. 34 636 (in Chinese) [陈蓓, 韩波, 周成冈, 吴金平 2009 地球科学 34 636]

    [18]

    Gu J H, Zhou Y Q, Zhu M F, Li G H, Ding K, Zhou B Q, Liu F Z, Liu J L, Zhang Q F 2005 Acta Phys. Sin. 54 1890 (in Chinese) [谷金花, 周玉琴, 朱美芳, 李国华, 丁琨, 周炳卿, 刘丰珍, 刘金龙, 张群芳 2005 物理学报 54 1890]

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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-24
  • 修回日期:  2013-04-01
  • 刊出日期:  2013-07-05

原子层沉积法 生长ZnO的性质与前驱体源量的关系研究

  • 1. 中国科学院微电子研究所, 中国科学院微电子器件与集成技术重点实室, 北京 100029
    基金项目: 

    国家重大科技专项(批准号: 2009ZX02037-003)资助的课题.

摘要: 介绍了新型材料ZnO的各项性能,并采用原子层沉积方法制备新型材料ZnO. 实验中采用二乙基锌(DEZn) 和水作为生长ZnO的前驱体源, 在蓝宝石衬底上生长ZnO; 采用氮气作为载气, 生长温度为180℃. 通过改变在实验中的通入锌源的时间, 探索不同的DEZn的源的量对薄膜的成分(Zn/O)、薄膜的厚度、生长速率、晶型、 表面形貌、三维形貌以及粗糙度的影响.

English Abstract

参考文献 (18)

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