搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性

闫大为 李丽莎 焦晋平 黄红娟 任舰 顾晓峰

原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性

闫大为, 李丽莎, 焦晋平, 黄红娟, 任舰, 顾晓峰
PDF
导出引用
导出核心图
  • 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电 极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构, 研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响, 分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源. 在无光照情形下, 由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率, 样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为, 且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变. 当器件受紫外光照射时, 半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子, 同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应. 非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大, 其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的charge-to-breakdown过程.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11074280);江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP51323B,JUDCF13038);江苏高校优势学科建设工程项目;江苏省六大人才高峰项目(批准号:DZXX-053)和江苏省普通高校研究生创新计划(批准号:CXLX13-740)资助的课题.
    [1]

    Kohm E, Daumiller I, Schmid P, Nguyen N X, Nguyen C N 1988 Electron. Lett. 35 1022

    [2]

    Kumar V, Lu W, Schwindt R, Kuliev A, Simin G, Yang J, Khan M A, Adesida I 2001 IEEE Electron Device Lett. 48 465

    [3]

    Rumyantsey S L, Pala N, Shur M S, Borovitskaya E, Dmitriew A P, Levinshtein M E, Gaska R, Khan M A, Yang J W, Hu X H, Simin G 2001 IEEE Trans. Electron Devices 48 530

    [4]

    Koley G, Tilak V, Eastman L F, Spencer M G 2003 Electron. Lett. 50 886

    [5]

    Kim H, Thompson R M, Tilak V, Prunty T R, Shealy J R, Eastman L F 2003 IEEE Electron Device Lett. 24 421

    [6]

    Green B M, Chu K K, Chumbes E M, Smart J A, Shealy J R Eastman L F 2002 IEEE Electron Device Lett. 21 268

    [7]

    vertiatchikh A, Eastman L F, Schaff W J, Prunty I 2002 Electron. Lett. 38 388

    [8]

    Edwards A P, Mittereder J A, Binari S C, Katzer D S, Storm D F, Roussos J A 2005 IEEE Electron Device Lett. 26 225

    [9]

    Lee J S, Vescan A, Wieszt A, Dietrich R, Leier H, Kwon Y S 2002 Electron. Lett. 37 130

    [10]

    Higashiwaki M, Matsui T, Mimura T 2006 IEEE Electron Device Lett. 27 16

    [11]

    Sze M, Ng K K 2006 Physics of semiconductor devices New York: Wiley 209

    [12]

    Muller R S, Kamins T I 1986 Device Electrons for Interated Circuits New York: Wiley 443

    [13]

    Wolters D R, Van J J 1985 Philips J. Res. 40 115

  • [1]

    Kohm E, Daumiller I, Schmid P, Nguyen N X, Nguyen C N 1988 Electron. Lett. 35 1022

    [2]

    Kumar V, Lu W, Schwindt R, Kuliev A, Simin G, Yang J, Khan M A, Adesida I 2001 IEEE Electron Device Lett. 48 465

    [3]

    Rumyantsey S L, Pala N, Shur M S, Borovitskaya E, Dmitriew A P, Levinshtein M E, Gaska R, Khan M A, Yang J W, Hu X H, Simin G 2001 IEEE Trans. Electron Devices 48 530

    [4]

    Koley G, Tilak V, Eastman L F, Spencer M G 2003 Electron. Lett. 50 886

    [5]

    Kim H, Thompson R M, Tilak V, Prunty T R, Shealy J R, Eastman L F 2003 IEEE Electron Device Lett. 24 421

    [6]

    Green B M, Chu K K, Chumbes E M, Smart J A, Shealy J R Eastman L F 2002 IEEE Electron Device Lett. 21 268

    [7]

    vertiatchikh A, Eastman L F, Schaff W J, Prunty I 2002 Electron. Lett. 38 388

    [8]

    Edwards A P, Mittereder J A, Binari S C, Katzer D S, Storm D F, Roussos J A 2005 IEEE Electron Device Lett. 26 225

    [9]

    Lee J S, Vescan A, Wieszt A, Dietrich R, Leier H, Kwon Y S 2002 Electron. Lett. 37 130

    [10]

    Higashiwaki M, Matsui T, Mimura T 2006 IEEE Electron Device Lett. 27 16

    [11]

    Sze M, Ng K K 2006 Physics of semiconductor devices New York: Wiley 209

    [12]

    Muller R S, Kamins T I 1986 Device Electrons for Interated Circuits New York: Wiley 443

    [13]

    Wolters D R, Van J J 1985 Philips J. Res. 40 115

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1559
  • PDF下载量:  428
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-04-06
  • 修回日期:  2013-07-04
  • 刊出日期:  2013-10-05

原子层沉积Al2O3/n-GaN MOS结构的电容特性

  • 1. 轻工过程先进控制教育部重点实验室, 江南大学电子工程系, 无锡 214122
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11074280)

    江苏省自然科学基金(批准号:BK2012110)

    中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:JUSRP51323B,JUDCF13038)

    江苏高校优势学科建设工程项目

    江苏省六大人才高峰项目(批准号:DZXX-053)和江苏省普通高校研究生创新计划(批准号:CXLX13-740)资助的课题.

摘要: 利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电 极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构, 研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响, 分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源. 在无光照情形下, 由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率, 样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为, 且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变. 当器件受紫外光照射时, 半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子, 同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应. 非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大, 其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的charge-to-breakdown过程.

English Abstract

参考文献 (13)

目录

    /

    返回文章
    返回