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应变SiGe p 型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 宋建军 周春宇 李妤晨

应变SiGe p 型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

王斌, 张鹤鸣, 胡辉勇, 张玉明, 宋建军, 周春宇, 李妤晨
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-02-21
  • 修回日期:  2013-03-06
  • 刊出日期:  2013-06-20

应变SiGe p 型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号: P140c090303110c0904)、高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: JY0300122503)和中央高校基本科研业务费(批准号: K5051225014, K5051225004)资助的课题.

摘要: 由于台阶的出现, 应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管 (pMOSFET) 的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同, 且受沟道掺杂的影响严重. 本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V 特性中台阶形成机理的基础上, 通过求解器件不同工作状态下的电荷分布, 建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型, 探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响. 与实验数据的对比结果表明, 所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性, 验证了模型的正确性. 该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用, 并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中, 为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础.

English Abstract

参考文献 (17)

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