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无氨法制备GaN纳米线及其光电性能研究

赵军伟 张跃飞 宋雪梅 严辉 王如志

无氨法制备GaN纳米线及其光电性能研究

赵军伟, 张跃飞, 宋雪梅, 严辉, 王如志
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  • 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在无氨与1050 ℃的条件下通过气液固(V-L-S)机理成功制备出六方纤锌矿结构单晶GaN纳米线其拉曼测试结果表明,所制备的纳米线存在较大的表面无序度并表现出明显的小尺寸效应样品光致发光表明其具有典型的纳米线光谱特征,另外,无氨法制备的纳米线也具有较好的场发射特性.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11274029,11074017)、北京市青年拔尖人才培育计划(批准号:CIT&TCD201204037)、北京工业大学京华人才支持计划(批准号:2014-JH-L07)、北京市科技新星计划(批准号:2080B10)和北京市属市管高等学校创新团队建设推进计划(批准号:IDHT20140506)资助的课题.
    [1]

    David Tsivion, Mark Schvartzman, Ronit Popovitz-Biro, Palle von Huth, Ernesto Joselevich 2011 Science 333 1003

    [2]

    Yongho Choi, Mario Michan, Jason L Johnson, Ali Kashefian Naieni, Ant Ural 2012 J. Appl. Phys. 111 044308

    [3]

    Avit G, Lekhal K, Andre Y, Bougerol C, Reveret F, Leymarie J, Gil E, Monier G, Castelluci D, Trassoudaine A 2014 Nano Lett. 14 559

    [4]

    Chen C C, Li Y W, Ru Z S, Xue M W, Bo Y H 2013 Acta Phys. Sin. 62 77701 (in Chinese)[陈程程, 刘立英, 王如志, 宋雪梅, 王波, 严辉 2013 物理学报 62 77701]

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    Zhang M L, Yang R X, Li Z X, Cao X Z, Wang B Y, Wang X Hui 2013 Acta Phys.Sin. 62 117103 (in Chinese)[张明兰, 杨瑞霞, 李卓昕, 曹兴忠, 王宝义, 王晓晖 2013 物理学报 62 117103]

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    Han W Q, Fan S S, Li Q Q, Hu Y D 1997 Science 277 1287

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    Wang X H, Chang B K, Qian Y S, Gao P, Zhang Y J, Qiao J L, Du X Q 2011 Acta Phys. Sin. 60 057902 (in Chinese)[王晓晖, 常本康, 钱芸生, 高频, 张益军 2011 物理学报 60 057902]

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    Tevye Kuykendall, Peter Pauzauskie, Sangkwon Lee, Zhang Y F, Joshua Goldberger, Yan P D 2003 Nano Lett. 3 1063

    [12]

    Liu B D, Bando Y, Tang C C, Xu F F, Hu J Q, Golberg D 2005 J. Phys. Chem. B 109 17082

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    [14]

    Dinh D V, Kang S M, Yang J H, Kim S W, Yoon D H 2009 J. Cryst. Growth 311 495

    [15]

    Yongho Choi, Mario Michan, Jason L Johnson, Ali Kashefian Naieni, Ant Ural 2012 J. Appl. Phys. 111 044308

    [16]

    Yang Y, Ling Y C, Wang G M, Lu X H, Tong Y X, Yat Li 2013 Nano scale 5 1820

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    Lyu S C, Cha O H, Suh E K, Ruh H, Lee H J, Lee C J 2003 Chemical Physics Letters 367 136

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    Chin A H, Ahn T S, Li H W, Vaddiraju S, Bardeen C J, Ning C Z, Sunkara M K 2007 Nano Letters 7 626

    [33]

    Ng D K T, Hong M H, Tan L S, Zhu Y W, Sow C H 2007 Nanotechnology 18 375707

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    [35]

    Dang C, Wang B B, Wang F Y 2009 Vacuum 83 1414

  • [1]

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    [35]

    Dang C, Wang B B, Wang F Y 2009 Vacuum 83 1414

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-01-14
  • 修回日期:  2014-02-25
  • 刊出日期:  2014-06-05

无氨法制备GaN纳米线及其光电性能研究

  • 1. 北京工业大学材料科学与工程学院, 薄膜材料与技术实验室, 北京 100124;
  • 2. 北京工业大学固体微结构与性能研究所, 北京 100124
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11274029,11074017)、北京市青年拔尖人才培育计划(批准号:CIT&TCD201204037)、北京工业大学京华人才支持计划(批准号:2014-JH-L07)、北京市科技新星计划(批准号:2080B10)和北京市属市管高等学校创新团队建设推进计划(批准号:IDHT20140506)资助的课题.

摘要: 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,在无氨与1050 ℃的条件下通过气液固(V-L-S)机理成功制备出六方纤锌矿结构单晶GaN纳米线其拉曼测试结果表明,所制备的纳米线存在较大的表面无序度并表现出明显的小尺寸效应样品光致发光表明其具有典型的纳米线光谱特征,另外,无氨法制备的纳米线也具有较好的场发射特性.

English Abstract

参考文献 (35)

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