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隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

王源 张立忠 曹健 陆光易 贾嵩 张兴

隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

王源, 张立忠, 曹健, 陆光易, 贾嵩, 张兴
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-04-11
  • 修回日期:  2014-04-30
  • 刊出日期:  2014-09-05

隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

  • 1. 北京大学微纳电子学研究院, 北京 100871;
  • 2. 微纳电子与集成系统协同创新中心, 北京 100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61106101)资助的课题.

摘要: 随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一. 由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一. 但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤. 此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战. 本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理. 在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.

English Abstract

参考文献 (37)

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