搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型

张鹤鸣 王冠宇 胡辉勇 吴铁峰

小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型

张鹤鸣, 王冠宇, 胡辉勇, 吴铁峰
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  4172
  • PDF下载量:  822
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-04-15
  • 修回日期:  2010-05-26
  • 刊出日期:  2011-01-05

小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071;佳木斯大学信息电子技术学院,佳木斯 154007

摘要: 小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流对新型应变硅器件性能的影响,文中利用积分方法从准二维表面势分析开始,提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流的理论预测模型,并在此基础上使用二维器件仿真软件ISE进行了仔细的比对研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下MOSFET器件的性能.仿真结果很好地与理论分析相符合,为超大规模集成电路的设计提供了有价值的参考.

English Abstract

参考文献 (17)

目录

    /

    返回文章
    返回