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应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

刘红侠 尹湘坤 刘冰洁 郝跃

应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

刘红侠, 尹湘坤, 刘冰洁, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-12
  • 修回日期:  2010-06-18
  • 刊出日期:  2010-06-05

应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60976068,60936005)、 教育部科技创新工程重大项目培育基金(批准号:708083) 和中央高校基本科研基金(批准号: 200807010010) 资助的课题.

摘要: 分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.

English Abstract

参考文献 (14)

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