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总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响

刘红侠 王志 卓青青 王倩琼

总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响

刘红侠, 王志, 卓青青, 王倩琼
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-07-14
  • 修回日期:  2013-09-29
  • 刊出日期:  2014-01-05

总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61076097,11235008)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20110203110012)资助的课题.

摘要: 本文通过实验研究了0.8 μm PD (Partially Depleted) SOI (Silicon-On-Insulator) p 型Metal-oxide-semiconductor-field-effect-Transistor(MOSFET) 经过剂量率为50 rad(Si)/s 的60Co γ射线辐照后的总剂量效应,分析了沟道长度对器件辐照效应的影响.研究结果表明:辐照总剂量相同时,短沟道器件的阈值电压负向漂移量比长沟道器件大,最大跨导退化的更加明显. 通过亚阈值分离技术分析得到,氧化物陷阱电荷是引起阈值电压漂移的主要因素. 与长沟道器件相比,短沟道器件辐照感生的界面陷阱电荷更多.

English Abstract

参考文献 (12)

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