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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

秦珊珊 张鹤鸣 胡辉勇 屈江涛 王冠宇 肖庆 舒钰

应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

秦珊珊, 张鹤鸣, 胡辉勇, 屈江涛, 王冠宇, 肖庆, 舒钰
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-07-20
  • 修回日期:  2010-08-17
  • 刊出日期:  2011-05-15

应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委预研基金(批准号:51308040203, 9140A08060407DZ0103, 6139801)资助的课题.

摘要: 本文通过求解二维泊松方程,为应变Si 全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si 全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si 全耗SOI MOSFET物理参数设计提供了重要参考.

English Abstract

参考文献 (13)

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