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不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究

张晋新 贺朝会 郭红霞 唐杜 熊涔 李培 王信

不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究

张晋新, 贺朝会, 郭红霞, 唐杜, 熊涔, 李培, 王信
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  • 针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT), 采用半导体器件三维计算机模拟工具, 建立单粒子效应三维损伤模型, 研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响. 分析比较不同偏置下重离子入射器件后, 各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系, 获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系. 结果表明: 不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同, 同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异. 载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61274106, 11175138)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2014-07-03
  • 修回日期:  2014-08-21
  • 刊出日期:  2014-12-05

不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究

  • 1. 西安交通大学, 西安 710049;
  • 2. 中国科学院新疆理化技术研究所, 中科院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
  • 3. 西北核技术研究所, 西安 710024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61274106, 11175138)资助的课题.

摘要: 针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT), 采用半导体器件三维计算机模拟工具, 建立单粒子效应三维损伤模型, 研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响. 分析比较不同偏置下重离子入射器件后, 各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系, 获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系. 结果表明: 不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同, 同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异. 载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.

English Abstract

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