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硅基锗薄膜选区外延生长研究

汪建元 王尘 李成 陈松岩

硅基锗薄膜选区外延生长研究

汪建元, 王尘, 李成, 陈松岩
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  • 利用超高真空化学气相沉积系统, 基于低温Ge缓冲层和选区外延技术, 在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜. 采用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应变等参数随图形尺寸的变化规律. 测试结果显示, 位错密度随着图形衬底外延窗口的尺寸减小而减少, Ge层中的张应变随窗口尺寸的增大先增大而后趋于稳定. 其原因是选区外延Ge在图形边界形成了(113)面, 减小了材料系统的应变能, 而单位体积应变能随窗口尺寸的增加而减少; 选区外延厚度为380 nm的Ge薄膜X射线衍射曲线半高宽为678", 表面粗糙度为0.2 nm, 表明选区生长的Ge材料具有良好的晶体质量, 有望应用于Si基光电集成.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:61474094)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503)资助的课题.
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    Oh J, Banerjee S K, Campbell J C 2004 IEEE Photon. Tech. Lett. 16 581

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    Tersoff J, Tromp R M 1993 Phys. Rev. Lett. 70 2782

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    Su S J, Wang W, Zhang G Z, Hu W X, Bai A Q, Xue C L, Zuo Y H, Cheng B W, Wang Q M 2011 Acta Phys. Sin. 60 028101 (in Chinese) [苏少坚, 汪巍, 张广泽, 胡炜玄, 白安琪, 薛春来, 左玉华, 成步文, 王启明 2011 物理学报 60 028101]

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    Colace L, Masini G, Galluzzi F, Assanto G, Capellini G, Gaspare L D, Palange E, Evangelisti F 1998 Appl. Phys. Lett. 72 3175

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    Bandaru P R, Sahni S, Yablonovitch E, Liu J, Kim H J, Xie Y H 2004 Mater. Sci. Eng. 113 79

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出版历程
  • 收稿日期:  2015-01-16
  • 修回日期:  2015-03-10
  • 刊出日期:  2015-06-05

硅基锗薄膜选区外延生长研究

  • 1. 厦门大学物理学系半导体光子学研究中心, 厦门 361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61474094)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB933503)资助的课题.

摘要: 利用超高真空化学气相沉积系统, 基于低温Ge缓冲层和选区外延技术, 在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜. 采用X射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应变等参数随图形尺寸的变化规律. 测试结果显示, 位错密度随着图形衬底外延窗口的尺寸减小而减少, Ge层中的张应变随窗口尺寸的增大先增大而后趋于稳定. 其原因是选区外延Ge在图形边界形成了(113)面, 减小了材料系统的应变能, 而单位体积应变能随窗口尺寸的增加而减少; 选区外延厚度为380 nm的Ge薄膜X射线衍射曲线半高宽为678", 表面粗糙度为0.2 nm, 表明选区生长的Ge材料具有良好的晶体质量, 有望应用于Si基光电集成.

English Abstract

参考文献 (12)

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