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负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究

沈丹萍 张晓东 孙艳 康亭亭 戴宁 褚君浩 俞国林

负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究

沈丹萍, 张晓东, 孙艳, 康亭亭, 戴宁, 褚君浩, 俞国林
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  • 通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换,得到了样品的零场自旋分裂能约为26.55 meV,证明样品中存在强自旋-轨道耦合作用.进一步分析SdH中的拍频节点估算了样品中的有效g因子约为-11.54.
      通信作者: 俞国林, yug@mail.sitp.ac.cn
    • 基金项目: 国家重点研发计划(批准号:2016YFA0202201)和国家自然科学基金(批准号:11774367)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-06-14
  • 修回日期:  2017-09-01
  • 刊出日期:  2017-12-20

负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究

  • 1. 东华大学理学院, 上海 201620;
  • 2. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
  • 通信作者: 俞国林, yug@mail.sitp.ac.cn
    基金项目: 

    国家重点研发计划(批准号:2016YFA0202201)和国家自然科学基金(批准号:11774367)资助的课题.

摘要: 通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换,得到了样品的零场自旋分裂能约为26.55 meV,证明样品中存在强自旋-轨道耦合作用.进一步分析SdH中的拍频节点估算了样品中的有效g因子约为-11.54.

English Abstract

参考文献 (31)

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