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La施主掺杂SrTiO3单晶的阻变性能研究

李广辉 夏婉莹 孙献文

La施主掺杂SrTiO3单晶的阻变性能研究

李广辉, 夏婉莹, 孙献文
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  • 以La施主掺杂SrTiO3(LaSTO)单晶为样品,制备了Pt/LaSTO/In结构存储器件.通过一系列电学测试,发现该器件具有稳定的多级阻变现象,最大开关比为104;高低阻电流-电压关系曲线的拟合分析表明,高阻时存在界面势垒,而低阻时满足电子隧穿模型特性.电子顺磁共振研究表明LaSTO单晶内存在带正电的空穴缺陷中心.综合分析证明器件的高低阻之间的转变由界面空位缺陷导致的电子俘获与去俘获引起.此外发现光照会对LaSTO单晶的阻值产生影响.该实验结果为LaSTO单晶在阻变存储器件中的应用提供了理论和技术指导.
      通信作者: 孙献文, sunxianwen@henu.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11404093)和河南省科技厅项目(批准号:132102210258)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-05-07
  • 修回日期:  2018-06-26
  • 刊出日期:  2018-09-20

La施主掺杂SrTiO3单晶的阻变性能研究

  • 1. 河南大学, 光伏材料省重点实验室, 物理与电子学院, 开封 475004
  • 通信作者: 孙献文, sunxianwen@henu.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11404093)和河南省科技厅项目(批准号:132102210258)资助的课题.

摘要: 以La施主掺杂SrTiO3(LaSTO)单晶为样品,制备了Pt/LaSTO/In结构存储器件.通过一系列电学测试,发现该器件具有稳定的多级阻变现象,最大开关比为104;高低阻电流-电压关系曲线的拟合分析表明,高阻时存在界面势垒,而低阻时满足电子隧穿模型特性.电子顺磁共振研究表明LaSTO单晶内存在带正电的空穴缺陷中心.综合分析证明器件的高低阻之间的转变由界面空位缺陷导致的电子俘获与去俘获引起.此外发现光照会对LaSTO单晶的阻值产生影响.该实验结果为LaSTO单晶在阻变存储器件中的应用提供了理论和技术指导.

English Abstract

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