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Vol. 29, No. 6 (1980)

1980年03月20日
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研究简报
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紧密堆积结构化合物的超导临界温度和导带的异质杂化
尹道乐, 章立源
1980, 29 (6): 677-685. doi: 10.7498/aps.29.677
摘要 +
用LMTO能带论方法分析了密堆结构复式格子的导带中角动量杂化情况变化的规律。指出异质配位(在最近邻位置上出现电子结构差异大的原子)是显著强化导带的角动量杂化程度的必要条件。结合前人对电子-声子耦合超导原理的研究结果,可以对密堆结构化合物得出如下关系:高Tc高η强的角动量杂化强异质配位。这个原理与A15结构,B1结构及其它多种密堆结构化合物的多方面的实验结果普遍符合。
GaAs(110)面的电子结构
张开明, 叶令
1980, 29 (6): 686-692. doi: 10.7498/aps.29.686
摘要 +
本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。
MOS电容法测硅的产生寿命和表面产生速度
包宗明, 苏九令
1980, 29 (6): 693-697. doi: 10.7498/aps.29.693
摘要 +
本文指出在表面产生速度可以看作常数的情况下,用线性电压扫描MOS电容测硅的产生寿命和表面产生速度。测线性扫描饱和电容随扫描速度的变化,可以较方便地求出产生寿命和表面产生速度。对一些MOS电容样品进行了测试。结果表明,测试方法在一定条件下是可行的。
硅晶体中单个位错的运动
巴图, 何怡贞
1980, 29 (6): 698-705. doi: 10.7498/aps.29.698
摘要 +
本文利用化学浸蚀方法,在400—900℃的温度范围内,在0.35—13kg·mm-2的应力条件下,测量了硅晶体中单个位错的运动速度。实验结果表明,位错运动速度V(τ,T)作为温度(T)和分解切应力(τ)的函数,满足如下方程:V(τ,T)=Aτme-Q/(KT)。式中m=1.02—1.49,Q=1.96—2.07eV。最后,把实验结果与扩展位错的弯结模型作了比较。
低级晶系Patterson法多解的一般形式(Ⅱ)——多解型相角关系式
郑启泰, 范海福
1980, 29 (6): 706-710. doi: 10.7498/aps.29.706
摘要 +
为了使用直接法处理Patterson法的多解问题,引入了一个与重原子赝对称性相关的“赝结构”模型,并由此导出了多解型相角关系式。文中指出多解型相角关系式与超结构型相角关系式、结构振幅分量关系式的关系,并以单斜晶系所属的七个非中心对称空间群为例,在轻原子具有双解时,给出了多解型相角关系式的简化形式。
X射线形貌法观察空间电荷缀饰的α—LiIO3单晶的缺陷
古元新, 葛培文, 赵雅琴, 胡伯清, 吴兰生, 傅全贵
1980, 29 (6): 711-717. doi: 10.7498/aps.29.711
摘要 +
实验观察到:α-LiIO3单晶在c向静电场作用下,与c轴平行的观察面上X射线衍射形貌图有明显的变化。去掉电场,形貌图又复原。此种变化和复原都有个弛豫过程。形貌图形的变化与外电压的极性和大小有关,而基本上与辐射波长无关。静电场下,形貌图上显现的是空间电荷缀饰的晶体的宏观缺陷。即加静电场后,空间电荷在缺陷周围富集,增大了缺陷处的晶格畸变,使原来观察不到的缺陷显示了出来。
脆性断裂统计理论
邢修三
1980, 29 (6): 718-731. doi: 10.7498/aps.29.718
摘要 +
本文试图用统计方法,将金属脆性断裂的微观过程与宏观过程结合起来,把断裂理论建立于微裂纹发展动力学的统计基础上。脆性断裂实质上是在小的范性变形过程中微裂纹成核长大的非平衡统计过程和单个主裂纹的传播过程。本文导出了描述这种非平衡统计过程的微分积分方程,并从位错机理出发研究了微裂纹动力学,从而解出了微裂纹的分布函数,求出了金属试样的断裂几率,进而导出了延伸率、断裂强度、范性功、裂纹扩展力、断裂韧性、临界裂纹长度、范性-脆性转变温度以及它们的统计偏差与其它有关物理量之间的函数关系。
强红外激光引起BCl3可见荧光的动力学研究
林光海, 徐积仁, 蒋义枫, 黄南堂
1980, 29 (6): 732-742. doi: 10.7498/aps.29.732
摘要 +
用TEA CO2激光辐照纯BCl3气体,观察到可见荧光具有多种过程。系统地测量了可见荧光的空间、时间、光谱结构,以及它们随激光能量、BCl3气压等参数的依赖关系。用简化碰撞动力学模型讨论了BCl3可见荧光过程,得到有效振动温度、可见荧光强度的分析表达式和ρτ延≌C/K(Tν)的简单关系。理论与实验结果一致。
红外激光场诱发下的多原子分子离解反应模型
甘子钊, 杨国桢, 黄锡毅, 冯克安
1980, 29 (6): 743-755. doi: 10.7498/aps.29.743
摘要 +
本文在以前工作的基础上,继续讨论了多原子分子在红外激光场作用下产生多光子离解的机制,得到了分子各个振动模之间的非线性耦合方程组,以SF6分子为例,数值计算了模-模间的能量转移时间、费密共振作用、各个模被激光场激发的程度,最后联系到单分子反应的模型,讨论了多原子分子的离解速率,基本上得到了与实验现象一致的结果。
激光谐振腔内光学元件的热光效应
叶碧青, 马忠林
1980, 29 (6): 756-763. doi: 10.7498/aps.29.756
摘要 +
本文分析了多模激光束加热内腔元件所引起的温度场分布及热聚焦效应。计算得到的LiNbO3寻常光和非常光的输入功率-输出功率曲线与Konvisar等人的实验结果符合,修正了他们计算的非常光曲线。在实验上,也观测了LiNbO3的内腔热光滞后现象,并测量了内腔热光聚焦效应。
CT-6托卡马克研究(Ⅱ)——物理实验结果
一○四组
1980, 29 (6): 764-777. doi: 10.7498/aps.29.764
摘要 +
本文报道了CT-6托卡马克装置在四万多次放电实验过程中观察到的现象和从大量数据中得到的一些规律性。这些实验结果分属于:平衡稳定等离子体的获得,等离子体形成阶段的特性,杂质和等离子体壁相互作用等几个主要方面。
离子有限拉摩半径效应对低频漂移波本征模的影响
张承福
1980, 29 (6): 778-787. doi: 10.7498/aps.29.778
摘要 +
本文指出,对于Sy≡ky2ρi2≥1的短波模,通常所用的漂移波本征方程是不自洽的,由此而得出“普适模是稳定的”结论也是不恰当的。我们在弱剪切条件(Ls/rn>>[2Timi/Tme]1/2)下导出了适合Sy≥1的方程,并讨论了其近似表式。在最低级近似下(主要是忽略k′ρi2项),证明了不存在γ≥0的不稳定模式。考虑一级修正项后,尚不能得出确定的结论。
研究简报
逃逸电子不稳定性
夏蒙棼, 周如玲
1980, 29 (6): 788-793. doi: 10.7498/aps.29.788
摘要 +
本文分析了逃逸电子的加速运动对微观不稳定性的影响,并指出,加速效应改变了波与粒子之间的动力学耦合关系,不稳定机制不能再归结为简单的共振粒子与波的耦合效应。本文在动力学方程和特征线方程中同时引入零级电场,以这种自洽的方式讨论不稳定性问题,并与不考虑加速效应的情形作了比较。结果表明,当共振速度远离逃逸区的边界时,加速效应不导致增长率的显著改变,但当共振速度落在逃逸区的边界附近时,加速效应可能对增长率发生重要影响。
消除光谱图中强连续背景的相干光学处理方法
母国光, 康辉, 李正明
1980, 29 (6): 794-798. doi: 10.7498/aps.29.794
摘要 +
从光学信息处理的观点出发,把有连续光谱背景的光谱图当作低对比度的光学图象,利用相干光学处理系统和适当的空间高通滤波器来消除连续背景。文中给出了实验结果,并作了理论计算。可以认为这是对光谱图提高信杂比的一种新方法。
高功率、高效率放电激励XeBr激光器
陈建文, 傅淑芬, 刘妙宏
1980, 29 (6): 799-802. doi: 10.7498/aps.29.799
摘要 +
本文报道了XeBr激光器输出特性的研究结果。其中含溴化合物为HBr,BBr3和C2F4Br2,获得最大能量6mJ,体能密度约0.4J/L效率0.14%。比较了HBr,BBr3对放电的影响。指出进一步提高输出水平的途径。
分子晶体中偶极矩作用和声子的对称性
吴国祯
1980, 29 (6): 803-806. doi: 10.7498/aps.29.803
摘要 +
本文讨论了存在偶极矩作用下,分子晶体声子的对称性及声子各向偶极矩耦合情形。并求得具有单胞群不可约表示的声子(k=0)的喇曼张量与处在位群对称性下单胞中原子基团的喇曼张量的关系。
广义Suzuki公式及其在液晶中的应用
张昭庆, 冯克安, 林磊
1980, 29 (6): 807-812. doi: 10.7498/aps.29.807
摘要 +
本文推广了Suzuki处理经典系统和Ising模型的关联函数的严格公式,并应用在描述液晶相变具有转动不变性的Maier-Saupe哈密顿量上。结果表明,作者之一最近有关关联函数和磁双折射系数的微观处理,在所述近似范围内是正确的。文中并改进了Vertogen和Van der Meer有关液晶向列相的无规相近似的结果,提出了超越平均场近似描述液晶热力学性质的一个方案。