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Vol. 31, No. 2 (1982)

1982年01月20日
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对头碰相对论电子束引起的不稳定性
郭书印
1982, 31 (2): 143-149. doi: 10.7498/aps.31.143
摘要 +
本文在考虑到磁场和热压力的情况下,研究了对头碰相对论电子束在传输的过程中可能导致的几种电磁不稳定性和静电不稳定性,并给出了这些不稳定性出现的条件和增长率,利用不稳定性的激发条件,根据问题的要求可通过控制电子束的相对运动速度来激发或抑制这些不稳定性。
高频电磁波驱动等离子体电流
夏蒙棼, 胡慧玲
1982, 31 (2): 150-158. doi: 10.7498/aps.31.150
摘要 +
本文分析了高频电磁波驱动等离子体电流的效应,指出,波的电场力和洛仑兹力都对驱动电流有贡献;l=0或l≠0的共振都可能成为主要驱动机制,不同l的驱动效果有区别;非共振效应也可能超过共振效应而成为主要驱动机制,同时,波的碰撞耗散可能超过共振耗散而成为主要耗散机制。
低杂波在托卡马克中的波导耦合特性
马中芳, 李大丰, 陈激
1982, 31 (2): 159-169. doi: 10.7498/aps.31.159
摘要 +
木文研究了托卡马克中隔板附近的密度陡变对低杂波波导发射和耦会的影响,发现在密度快变区存在大的波反射,严重影响了波导的耦合效率,反射的波在密度快变区和真空壁之间造成驻波场,改变了功率和能流的谱分布,使它们对等离子体边界性质变得十分敏感,此外,密度的快变还可能放宽可近性条件。
低杂波有质动力的非线性二维效应
李大丰, 马中芳, 陈激
1982, 31 (2): 170-179. doi: 10.7498/aps.31.170
摘要 +
本文在窄谱条件下讨论了大功率低杂波(|E|~1.5kV/cm)对等离子体边界密度分布的影响,发现沿磁场方向有明显的非线性密度不均匀,它足以影响N‖~1的长波的传播,在垂直磁场方向,当等离子体内部(比如托卡马克隔板附近)存在反射时,沿低杂波通道将出现与驻波场相应的串接的密度空穴,等离子体整体平移的图象不再适用。
非晶态Tb-Fe薄膜的电子显微镜方法研究
杨翠英, 周玉清, 赵见高
1982, 31 (2): 180-184. doi: 10.7498/aps.31.180
摘要 +
用电子显微术和电子衍射方法研究了在普通真空中蒸发淀积的非晶态Tb31Fe69和Tb27Fe73薄膜的显微结构,短程有序情况以及它们随温度的变化,并进而观察了晶化过程,实验结果表明,两个成份相近的薄膜,由于氧污染的程度和蒸发时衬底温度不同,在升温的各阶段,呈不同的显微结构和原子近邻配置,具有不同的相分离状态,但相分离机构可能均属不稳态分解(Spinodal decomposition),相分离后的每相随温度升高各自晶化,
非晶态TbFe2薄膜的磁性和电性
刘联璠, 蔡延璜, 夏克定, 郑德娟, 王震西, 张殿琳, 林淑媛
1982, 31 (2): 185-190. doi: 10.7498/aps.31.185
摘要 +
本文研究了TbFe2非晶态薄膜的磁性和电性,测量了Ms(T)(77—800K),ρ(T)(4.2—400K)和穆斯堡尔谱(18K,400K),得到居里温度Tc~400K,电阻极小值温度Tmin~360K,在T<360K范围内观察到温度系数为负的类Kondo效应,用Hesse和Window两种不同方法解出了室温穆斯堡尔谱的超精细场,得到了H=210kOe和H=25kOe两种分布,其中前一组给出了铁磁性,后一组可能与类Ko
测定含重原子晶体结构时出现多解情况的一般规律
郑启泰, 范海福
1982, 31 (2): 191-198. doi: 10.7498/aps.31.191
摘要 +
在测定含重原子晶体的结构时,往往由于重原子分布的特殊性,使轻原于的位置不能唯一地确定,这种情况不仅常常出现在Patterson分析中,而且也常常出现在重原子法和直接法中,因此它是单晶体结构分析中常常遇到的一个困难问题。作者以前曾经系统地提出过处理这个问题的办法,本文则阐明用各种方法测定含重原子的晶体结构时,轻原子位置出现多解情况的一般规律。
选择照射下核自旋波函数的变换特性
朱熙文, 叶朝辉
1982, 31 (2): 199-206. doi: 10.7498/aps.31.199
摘要 +
本文采取适用于一般多量子跃迁过程的讨论方法,当任意自旋的核处于恒定磁场和静电场中并受到单频或多频选择照射的条件下,对单个核的任意数目的相邻的子能级系统,其几率振幅的变换特性作一普遍分析,同时还讨论了上述变换特性的物理含义,阐明了粒子在空间旋转变换下波函数的2π或4π对称性,以及粒子在选择照射下子能级系统的几率振幅的2π或4π周期性的区别。
一般Kerr-Newman黑洞的Dirac粒子的Hawking蒸发
须重明, 沈有根
1982, 31 (2): 207-212. doi: 10.7498/aps.31.207
摘要 +
本文把极端Kerr-Newman黑洞的Dirac粒子的Hawking蒸发问题推广到一般Kerr-Newman黑洞,并在黑洞的视界附近通过适当的变换找到了静止质量不为零的Dirac方程的有物理意义的解,导出了Hawking热谱公式,从而解决了Dirac粒子在一般Kerr-Newman黑洞背景下的Hawking蒸发问题。
超短光脉冲的单延迟三次相关测试
张肇源, 曲林杰, 刘承惠, 霍崇儒
1982, 31 (2): 213-219. doi: 10.7498/aps.31.213
摘要 +
超短光脉冲的对称性可以用单延迟三次相关测试来测定,若再与二次相关测试所得的结果进行比较,可以得到更多的关于脉冲形伏的信息,经测定,Nd:YAG被动锁模激光器的脉冲形状可近似认为高斯-指数形,三次相关函数宽度为22.3ps+15.7ps,对应脉冲宽度为27ps,脉冲的前沿陡于后沿。
金属铝在半导体表面的吸附
张开明, 叶令, 徐永年
1982, 31 (2): 220-225. doi: 10.7498/aps.31.220
摘要 +
本文采用集团模型,用自洽的EHT方法计算金属Al在Si(111)和GaAs(110)面上吸附的稳定的几何构型和电子态,结果表明,Al在Si(111)面的三度开位上的离子吸附比顶位的共价吸附更稳定,态密度与实验符合也更好,Al吸附在GaAs(110)面上,将取代表面Ga原子,形成AlAs,此时GaAs(110)面将恢复到不弛豫的理想位置。
研究简报
聚焦透镜棒的色差分析
刘德森
1982, 31 (2): 226-233. doi: 10.7498/aps.31.226
摘要 +
本文从光线光学出发,得到了聚焦透镜棒的色差方程式,对Tl-1,Cs-1,DAPMMA和CR39-8FMA聚焦透镜棒的色差作了数值计算,给出了色差方程在特殊情况下的解。
库仑相互作用对相对论性电子束受激散射的影响
沈文达, 朱莳通
1982, 31 (2): 234-236. doi: 10.7498/aps.31.234
摘要 +
本文研究了库仑相互作用对相对论性电子束受激散射的影响,在单能电子束的情况下,得到了反射激光场的解析表达式,结果表明,表征库仑相互作用贡献的因子与电子密度平方成正比,如果电子密度比较高,而入射辐射强度比较低,则库仑力的贡献是重要的,它的影响是不能忽略的。
关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数
甘子钊, 杨国桢
1982, 31 (2): 237-242. doi: 10.7498/aps.31.237
摘要 +
本文分析了半导体在吸收边附近,由于带间跃迁的饱和效应而产生的三阶非线性光学效应,并给出了InSb中反常大的三阶非线性光学常数。
十一甲川和五甲川染料的吸收和弛豫时间
邱佩华, В.可潘斯基
1982, 31 (2): 243-246. doi: 10.7498/aps.31.243
摘要 +
本文报道了用于掺钕激光材料锁模的中国快速可饱和吸收染料D1(十一甲川)和D2(五甲川)的吸收和弛豫时间的测量结果。
PZT-8型铁电压电陶瓷的低频介电特性
张维平, 李从周
1982, 31 (2): 247-251. doi: 10.7498/aps.31.247
摘要 +
本文研究PZT-8型多晶锆钛酸铅铁电压电陶瓷,通过介电温度、频率响应谱的研究,对它的损耗机制、弛豫过程、杂质影响等作了讨论,认为,高温时主要是电导损耗起作用,并对如何改进PZT-8型铁电陶瓷的电学性能,提出了相应的设想。
各向异性等离子体中的静电屏蔽
陆全康, 陈之范
1982, 31 (2): 252-257. doi: 10.7498/aps.31.252
摘要 +
首先证明在各向异性等离子体中,任意分布函数对于静止试验电荷的静电屏蔽总是完全的,其次用计算机算出双麦克斯韦等离子体中的静电屏蔽势,当距离R充分大时,静电屏蔽势与R-3成比例地衰减,在一定条件下,还会出现超屏蔽(即正试验电荷周围的电势出现负值)的区域。
非晶态超导体的能隙和霍耳系数之间的经验关系
曹效文
1982, 31 (2): 258-261. doi: 10.7498/aps.31.258
摘要 +
在大量的非过渡金属和合金中,非晶态超导体的能隙2△0与霍耳系数R_H以及与相应的液态金属霍耳系数RHL之间存在着一个经验关系:在RH(或RHL)=-3.5—-4.0×10-11m3/AS之间出现一个2△0最大值。
Cu3Au的电阻率和长程有序
雷啸霖
1982, 31 (2): 262-267. doi: 10.7498/aps.31.262
摘要 +
基于作者最近发展的晶态合金电阻理论,本文对Cu3Au电阻率的温度系数随长程有序度增加而增大的现象给出一个解释,用一个简单的模型赝势计算Cu3Au的ρT及(dρT/dT),所得结果与实验资料一致。
急冷Al-Si-Ge合金的微观结构及正常-超导转变特性
陈熙琛, 管惟炎, 易孙圣, 王祖仑, 林影
1982, 31 (2): 268-270. doi: 10.7498/aps.31.268
摘要 +
本文研究了急冷Al-8.3at%Si-8.5at%Ge合金的微观结构及正常-超导转变特性,结构分析表明,样品中存在晶态及非晶态两种不同的区域,经100℃/50hr热处理后,电阻-温度及电阻-磁场转变曲线上均出现明显的台阶。