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关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数

甘子钊 杨国桢

关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数

甘子钊, 杨国桢
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-05-25
  • 刊出日期:  2005-07-27

关于半导体吸收边附近的三阶非线性光学常数

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)中国科学院物理研究所

摘要: 本文分析了半导体在吸收边附近,由于带间跃迁的饱和效应而产生的三阶非线性光学效应,并给出了InSb中反常大的三阶非线性光学常数。

English Abstract

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