1960年 16卷 第7期
1960, 16(7): 369-378.
doi: 10.7498/aps.16.369
摘要:
本文利用不可逆过程热力学讨论了在均匀磁场作用下的等离子体,得到了电流方程并指出了磁场对电流的影响。同时讨论了部分游离的等离子体中的电流、扩散和热扩散对电流的影响以及磁场对扩散的影响。
本文利用不可逆过程热力学讨论了在均匀磁场作用下的等离子体,得到了电流方程并指出了磁场对电流的影响。同时讨论了部分游离的等离子体中的电流、扩散和热扩散对电流的影响以及磁场对扩散的影响。
1960, 16(7): 379-385.
doi: 10.7498/aps.16.379
摘要:
利用考虑到重正化效果的普适V-A理论,本文计算了μ-被Be7俘获后跃迁到Li7的基态与第一激发态的俘获几率,Li7核第一激发态的极化,以及由此跃迁到其基态时放出γ光的偏振度,其中对于不同的超精细结构态分别进行了计算,计算过程中,采用了壳层模型的原子核波函数。并假定忽略二次效应下,S态的四个核子没有参加作用。
利用考虑到重正化效果的普适V-A理论,本文计算了μ-被Be7俘获后跃迁到Li7的基态与第一激发态的俘获几率,Li7核第一激发态的极化,以及由此跃迁到其基态时放出γ光的偏振度,其中对于不同的超精细结构态分别进行了计算,计算过程中,采用了壳层模型的原子核波函数。并假定忽略二次效应下,S态的四个核子没有参加作用。
1960, 16(7): 386-394.
doi: 10.7498/aps.16.386
摘要:
关于C12(d,p)C13(基态)削裂反应的角分布和极化,应用扭曲波方法进行了以下几种情况的讨论:(i)Born近似;(ii)质子受无l-s耦合项的光学势扭曲;(iii)氘核受黑体扭曲;(iv)氘核受黑体扭曲、质子受无l-s耦合项的光学势扭曲;(v)氘核受黑体扭曲、质子受有l-s耦合项光学势扭曲;(vi)氘核受硬球扭曲;(vii)氘核受硬球扭曲、质子受无l-s耦合项光学势扭曲,由分析的结果表明,不论是对角分布或者是对于极化而言,扭曲波方法都是一种比较好的近似。
关于C12(d,p)C13(基态)削裂反应的角分布和极化,应用扭曲波方法进行了以下几种情况的讨论:(i)Born近似;(ii)质子受无l-s耦合项的光学势扭曲;(iii)氘核受黑体扭曲;(iv)氘核受黑体扭曲、质子受无l-s耦合项的光学势扭曲;(v)氘核受黑体扭曲、质子受有l-s耦合项光学势扭曲;(vi)氘核受硬球扭曲;(vii)氘核受硬球扭曲、质子受无l-s耦合项光学势扭曲,由分析的结果表明,不论是对角分布或者是对于极化而言,扭曲波方法都是一种比较好的近似。
1960, 16(7): 395-400.
doi: 10.7498/aps.16.395
摘要:
在核物理实验中,往往需要测知离子流的电量与离子流强度。比较简便的方法是用积分电路来测量电量,同时可指示离子流强度。本文所介绍的是一个实用的积分电路,其中包括直流放大,触发电路,计数电路及稳定电源等。离子流的强度由仪器上电流表指出,电量由机械记数器的数字来表示。
在核物理实验中,往往需要测知离子流的电量与离子流强度。比较简便的方法是用积分电路来测量电量,同时可指示离子流强度。本文所介绍的是一个实用的积分电路,其中包括直流放大,触发电路,计数电路及稳定电源等。离子流的强度由仪器上电流表指出,电量由机械记数器的数字来表示。
1960, 16(7): 401-412.
doi: 10.7498/aps.16.401
摘要:
本工作用双磁镜β谱仪,带铁中间象式β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁技术来研究Cs134(半衰期为2.3年)的衰变,定出4个β分支的能量和它们的相对强度的百分比是79(16%),410(5%),652(64%)和683(15%)千电子伏;它们的相应的logft是6.48,9.34,8.91,9.58.还定出Ba134的9个γ跃迁的能量和它们的多极性是473(E1),564(M1+E2),571(M1),604.8(E2),796(E2),803(E2),1036(E
本工作用双磁镜β谱仪,带铁中间象式β谱仪、有铁双聚焦β谱仪和闪烁技术来研究Cs134(半衰期为2.3年)的衰变,定出4个β分支的能量和它们的相对强度的百分比是79(16%),410(5%),652(64%)和683(15%)千电子伏;它们的相应的logft是6.48,9.34,8.91,9.58.还定出Ba134的9个γ跃迁的能量和它们的多极性是473(E1),564(M1+E2),571(M1),604.8(E2),796(E2),803(E2),1036(E
1960, 16(7): 413-422.
doi: 10.7498/aps.16.413
摘要:
本实验测量了6.8MeV质子对Cr,Co,Ni,Cu和Zn的弹性散射角分布。在其微分截面σe(θ)与库仑散射微分截面σR(θ)之比对θ的作图中显示:这几种元素A相近,也有大体相似的角分布曲线;其极大极小位置可以用kR′sinθm/2=常数表之,显示出核的粗糙结构的特征。但在大角度处,这几种质量数A相近的核,其(σe(θ))/(σR(θ))值却有显著的差异,而且偶z核的(σe(
本实验测量了6.8MeV质子对Cr,Co,Ni,Cu和Zn的弹性散射角分布。在其微分截面σe(θ)与库仑散射微分截面σR(θ)之比对θ的作图中显示:这几种元素A相近,也有大体相似的角分布曲线;其极大极小位置可以用kR′sinθm/2=常数表之,显示出核的粗糙结构的特征。但在大角度处,这几种质量数A相近的核,其(σe(θ))/(σR(θ))值却有显著的差异,而且偶z核的(σe(