1980年 29卷 第2期
1980, 29(2): 139-152.
doi: 10.7498/aps.29.139
摘要:
针对非平衡态统计中出现的非线性及多元线性Master方程,明确提出了一般的概率假定;应用概率论的方法建立了一般的非线性及多元线性Master方程;讨论了它们与宏观动力学方程的一致性问题;最后应用多元线性Master方程讨论了Brusselator的涨落,并对其耗散结构的产生作了初步解释。
针对非平衡态统计中出现的非线性及多元线性Master方程,明确提出了一般的概率假定;应用概率论的方法建立了一般的非线性及多元线性Master方程;讨论了它们与宏观动力学方程的一致性问题;最后应用多元线性Master方程讨论了Brusselator的涨落,并对其耗散结构的产生作了初步解释。
1980, 29(2): 153-160.
doi: 10.7498/aps.29.153
摘要:
本文指出,图形识别实质上是图形空间中的表象变换(坐标系变换)。由于表象变换是通过么正变换实现的,用光学方法进行图形识别是比较合适的。本文着重讨论了如何只根据所需识别的标准图形组,构造光学系统,即用光学方法直接实现投影变换的方法。并进一步发展了文献[3]中的优化方法。
本文指出,图形识别实质上是图形空间中的表象变换(坐标系变换)。由于表象变换是通过么正变换实现的,用光学方法进行图形识别是比较合适的。本文着重讨论了如何只根据所需识别的标准图形组,构造光学系统,即用光学方法直接实现投影变换的方法。并进一步发展了文献[3]中的优化方法。
1980, 29(2): 161-172.
doi: 10.7498/aps.29.161
摘要:
本文对从光波的衰减测量决定大气气溶胶谱分布进行理论研究。应用泛函理论,证明了在消光截面取Van de Hulst近似公式时,第一类Fredholm积分方程有唯一解。从而确证频谱法探测大气气溶胶是可能的。同时还研究了这种探测的反演计算、误差分析、有效信息量和如何选择最优波段等问题。
本文对从光波的衰减测量决定大气气溶胶谱分布进行理论研究。应用泛函理论,证明了在消光截面取Van de Hulst近似公式时,第一类Fredholm积分方程有唯一解。从而确证频谱法探测大气气溶胶是可能的。同时还研究了这种探测的反演计算、误差分析、有效信息量和如何选择最优波段等问题。
1980, 29(2): 173-181.
doi: 10.7498/aps.29.173
摘要:
本工作进行了淬火Al-7.27％Ag合金的扭转疲劳试验,测定了各种扭应变下的△E-N曲线,并且观察了经过各种循环数以后试样的表面金相变化。实验结果指出,当扭应变较小时,△E随着循环数N的增加而逐渐下降,△E-N曲线的变化类似Al-Cu和Al-Mg合金在较低扭应变下的情况。但当扭应变较大时,△E开始略有下降,随后上升到某一较高值后再下降,直至试样断裂。△E-N曲线的形状与Al-Cu和Al-Mg合金完全不同。试样表面的金相变化分为两个明显不同的阶段。在疲劳的起始阶段,滑移痕迹细而均匀,但经过一定循环数后,少数滑移痕迹变得集中而深化。随着循环数的增加,新的滑移带在原有滑移带之间不断地出现,没有纯Al和Al-Mg合金中滑移带变宽的情况。还看到了裂纹沿晶界的形成和发展。根据溶质银原子与位错的电交互作用和位错切割银原子簇的观点,对所得到的结果进行了讨论。
本工作进行了淬火Al-7.27％Ag合金的扭转疲劳试验,测定了各种扭应变下的△E-N曲线,并且观察了经过各种循环数以后试样的表面金相变化。实验结果指出,当扭应变较小时,△E随着循环数N的增加而逐渐下降,△E-N曲线的变化类似Al-Cu和Al-Mg合金在较低扭应变下的情况。但当扭应变较大时,△E开始略有下降,随后上升到某一较高值后再下降,直至试样断裂。△E-N曲线的形状与Al-Cu和Al-Mg合金完全不同。试样表面的金相变化分为两个明显不同的阶段。在疲劳的起始阶段,滑移痕迹细而均匀,但经过一定循环数后,少数滑移痕迹变得集中而深化。随着循环数的增加,新的滑移带在原有滑移带之间不断地出现,没有纯Al和Al-Mg合金中滑移带变宽的情况。还看到了裂纹沿晶界的形成和发展。根据溶质银原子与位错的电交互作用和位错切割银原子簇的观点,对所得到的结果进行了讨论。
1980, 29(2): 182-198.
doi: 10.7498/aps.29.182
摘要:
(Ni,Co)3Al4。是Al-Ni-Co三元系中的一种三元相,其均匀存在范围在室温为,55—58.5A/0 Al,26—35A/0 Ni和10-15.5A/0 Co。这个三元相属立方晶系,空间群为Oh10-Ia3d,每晶胞含112个原子,在室温的点阵常数为α=11.3962?。这个结构是由64个CsCI型基本结构单位堆垛而成的一种超结构。在这64个基本结构单位中,有16个体心位置是有序地空着的,在16(b)的等效位置上构成了16个八面体空位。基本结构单位的角位置16(a)和48(f)都由Al原子占据着,而心位置48(g)则由Ni原子和Co原子无规地占据着。由于空位的存在,原子位置从其原来的CsCl型结构单位位置有所偏离;测定的结果是,xf=0.010,xg=0.369。从合金相的存在范围及原子在结构内的分布情况,这个合金相的理想化合式决定为(Ni,Co)3Al4,每单胞含16个化合式量。
(Ni,Co)3Al4。是Al-Ni-Co三元系中的一种三元相,其均匀存在范围在室温为,55—58.5A/0 Al,26—35A/0 Ni和10-15.5A/0 Co。这个三元相属立方晶系,空间群为Oh10-Ia3d,每晶胞含112个原子,在室温的点阵常数为α=11.3962?。这个结构是由64个CsCI型基本结构单位堆垛而成的一种超结构。在这64个基本结构单位中,有16个体心位置是有序地空着的,在16(b)的等效位置上构成了16个八面体空位。基本结构单位的角位置16(a)和48(f)都由Al原子占据着,而心位置48(g)则由Ni原子和Co原子无规地占据着。由于空位的存在,原子位置从其原来的CsCl型结构单位位置有所偏离;测定的结果是,xf=0.010,xg=0.369。从合金相的存在范围及原子在结构内的分布情况,这个合金相的理想化合式决定为(Ni,Co)3Al4,每单胞含16个化合式量。
1980, 29(2): 199-204.
doi: 10.7498/aps.29.199
摘要:
用电子衍射方法研究了一些非晶钆钴合金磁性薄膜的结构,用Lorentz电子显微技术观察了其相应的磁结构。在所有薄膜的电子衍射图上均可清楚地看见七个弥散衍射环,其中两个最小的环分布在s-1(s=2sinθ/λ)的范围内。在不同的薄膜中观察到磁泡或平面畴结构。本文就这种由两种原子半径相差较大的元素,如稀土和过渡元素构成的非晶合金,讨论了如何只根据s-1范围内的衍射强度峰形,直接、定性地了解稀土与稀土原子、稀土与过渡族原子以及过渡族与过渡族原子之间最近邻配位数相对大小的问题。也讨论了钆钴薄膜相分离对磁各向异性的影响。
用电子衍射方法研究了一些非晶钆钴合金磁性薄膜的结构,用Lorentz电子显微技术观察了其相应的磁结构。在所有薄膜的电子衍射图上均可清楚地看见七个弥散衍射环,其中两个最小的环分布在s-1(s=2sinθ/λ)的范围内。在不同的薄膜中观察到磁泡或平面畴结构。本文就这种由两种原子半径相差较大的元素,如稀土和过渡元素构成的非晶合金,讨论了如何只根据s-1范围内的衍射强度峰形,直接、定性地了解稀土与稀土原子、稀土与过渡族原子以及过渡族与过渡族原子之间最近邻配位数相对大小的问题。也讨论了钆钴薄膜相分离对磁各向异性的影响。
1980, 29(2): 205-213.
doi: 10.7498/aps.29.205
摘要:
本文将电子迁移方程应用于研究空腔电离现象,证明了空腔的存在对腔内电子能谱的影响可归结为在空腔内分布一均匀电子源。导出了这一等效源谱的表示式。计算了等效电子源在平行板电离室中沉积的能量。与实验相比,明显地证实新理论比Spencer-Attix理论更好地描述了空腔电离现象。
本文将电子迁移方程应用于研究空腔电离现象,证明了空腔的存在对腔内电子能谱的影响可归结为在空腔内分布一均匀电子源。导出了这一等效源谱的表示式。计算了等效电子源在平行板电离室中沉积的能量。与实验相比,明显地证实新理论比Spencer-Attix理论更好地描述了空腔电离现象。
1980, 29(2): 214-224.
doi: 10.7498/aps.29.214
摘要:
本文讨论了低频漂移波与托卡马克中反常输运的经验规律——赝经典扩散间的关系。文中指出,主要是无碰撞漂移波而不是耗散漂移波导致了赝经典扩散。当线性不稳定的无碰撞漂移波主要地由准线性弛豫过程所饱和时,可以导致赝经典形式的反常扩散,它正比于碰撞频率而与波幅关系不大。估计的反常扩散系数在量级上与实验一致。讨论了上述机制有效的参数范围。
本文讨论了低频漂移波与托卡马克中反常输运的经验规律——赝经典扩散间的关系。文中指出,主要是无碰撞漂移波而不是耗散漂移波导致了赝经典扩散。当线性不稳定的无碰撞漂移波主要地由准线性弛豫过程所饱和时,可以导致赝经典形式的反常扩散,它正比于碰撞频率而与波幅关系不大。估计的反常扩散系数在量级上与实验一致。讨论了上述机制有效的参数范围。
1980, 29(2): 225-232.
doi: 10.7498/aps.29.225
摘要:
从动力论方程出发,推导并讨论了磁化与非磁化等离子体的纵向电阻率。结果是:(1)各向同性磁化等离子体的电阻率约为非磁化者的1.5倍;(2)对各向异性的等离子体而言,磁化后的电阻率约与Te⊥Te‖-5/2成正比,但非磁化时的电阻率则与Te⊥-1Te‖-1/2成正比。以上的差异主要是来自外磁场对电子运动轨迹的作用。同时本文亦论述了在讨论经典电阻率时,静态屏蔽作用是主要的,而动力屏蔽对电阻率的影响是可以忽略不计的。
从动力论方程出发,推导并讨论了磁化与非磁化等离子体的纵向电阻率。结果是:(1)各向同性磁化等离子体的电阻率约为非磁化者的1.5倍;(2)对各向异性的等离子体而言,磁化后的电阻率约与Te⊥Te‖-5/2成正比,但非磁化时的电阻率则与Te⊥-1Te‖-1/2成正比。以上的差异主要是来自外磁场对电子运动轨迹的作用。同时本文亦论述了在讨论经典电阻率时,静态屏蔽作用是主要的,而动力屏蔽对电阻率的影响是可以忽略不计的。
1980, 29(2): 233-240.
doi: 10.7498/aps.29.233
摘要:
在自由界面情况下用求位能汛函极值的变分原理推出了等离子体平衡所需满足的平衡方程和边界条件;其泛函的Euler方程即为具有自由界面条件的磁面函数方程。也给出了便于计算的变分泛函,它相当于等值面边界问题。对于导体壁为简单几何形状的情况,用Rit法进行了数值计算。
在自由界面情况下用求位能汛函极值的变分原理推出了等离子体平衡所需满足的平衡方程和边界条件;其泛函的Euler方程即为具有自由界面条件的磁面函数方程。也给出了便于计算的变分泛函,它相当于等值面边界问题。对于导体壁为简单几何形状的情况,用Rit法进行了数值计算。
1980, 29(2): 241-246.
doi: 10.7498/aps.29.241
摘要:
对低频脉冲偏场产生磁泡的过程中硬磁泡的形成条件进行了实验研究。发现硬磁泡的百分比p随着脉冲偏场强度的增加而迅速减小,同时发现存在一临界脉冲偏场强度Hpo,当Hp≥Hpo时,所产生的磁泡都是软磁泡。
对低频脉冲偏场产生磁泡的过程中硬磁泡的形成条件进行了实验研究。发现硬磁泡的百分比p随着脉冲偏场强度的增加而迅速减小,同时发现存在一临界脉冲偏场强度Hpo,当Hp≥Hpo时,所产生的磁泡都是软磁泡。
1980, 29(2): 247-251.
doi: 10.7498/aps.29.247
摘要:
用衍射仪和Guinier聚焦照相机收集了铌酸锶钡钠系统一系列化合物的X射线粉末衍射图谱(CuKα辐射)。给出了Ba2NaNb5O15,SrBaNaNb5O15和Sr2.05Na0.90Nb5O15详细指标化了的粉末衍射数据,可代替原有的JCPDSX射线粉末衍射标准数据卡(卡片号为23-654,27-1408,27-1409和27-787)的数据。
用衍射仪和Guinier聚焦照相机收集了铌酸锶钡钠系统一系列化合物的X射线粉末衍射图谱(CuKα辐射)。给出了Ba2NaNb5O15,SrBaNaNb5O15和Sr2.05Na0.90Nb5O15详细指标化了的粉末衍射数据,可代替原有的JCPDSX射线粉末衍射标准数据卡(卡片号为23-654,27-1408,27-1409和27-787)的数据。
1980, 29(2): 252-256.
doi: 10.7498/aps.29.252
摘要:
本文用X射线粉末衍射与热学分析等方法对碘酸钡、碘酸锶、碘酸钙、碘酸锌、碘酸镉的相变过程、热稳定性和结构进行了研究。对二价碘酸盐之间形成复盐的可能性也进行了探讨。并讨论了二价碘酸盐水化物的稳定性与阳离子电负性的关系。
本文用X射线粉末衍射与热学分析等方法对碘酸钡、碘酸锶、碘酸钙、碘酸锌、碘酸镉的相变过程、热稳定性和结构进行了研究。对二价碘酸盐之间形成复盐的可能性也进行了探讨。并讨论了二价碘酸盐水化物的稳定性与阳离子电负性的关系。
1980, 29(2): 257-259.
doi: 10.7498/aps.29.257
摘要:
在铍过滤探测器谱仪上,对含氢量为x=0.17和0.67的两种钯氢(PdHx)样品分别测定了定域模(或光学支),观察到x=0.67的定域模峰位置相对于x=0.17的峰位置向低能移动约5毫电子伏,定性地讨论了定域模软化与超导性的关系。
在铍过滤探测器谱仪上,对含氢量为x=0.17和0.67的两种钯氢(PdHx)样品分别测定了定域模(或光学支),观察到x=0.67的定域模峰位置相对于x=0.17的峰位置向低能移动约5毫电子伏,定性地讨论了定域模软化与超导性的关系。
1980, 29(2): 260-264.
doi: 10.7498/aps.29.260
摘要:
本文讨论光学系统中前组初级像差(包括五种初级单色像差和两种初级色差)引起光阑坐标和物面坐标的改变,以及对其后组色差的影响——衍生高级色差理论。
本文讨论光学系统中前组初级像差(包括五种初级单色像差和两种初级色差)引起光阑坐标和物面坐标的改变,以及对其后组色差的影响——衍生高级色差理论。
1980, 29(2): 265-269.
doi: 10.7498/aps.29.265
摘要:
本文叙述用Wright腐蚀剂对取向的硅外延片解理面进行择优腐蚀的观察结果。腐蚀后,硅外延片剖面上显示出层错、位错、S(Saucer)坑以及其它蚀坑。并观察到一些隐埋在外延层内的层错结构。
本文叙述用Wright腐蚀剂对取向的硅外延片解理面进行择优腐蚀的观察结果。腐蚀后,硅外延片剖面上显示出层错、位错、S(Saucer)坑以及其它蚀坑。并观察到一些隐埋在外延层内的层错结构。
1980, 29(2): 270-272.
doi: 10.7498/aps.29.270
摘要:
本文考虑了会聚偏振光干涉图中高折射率、大光轴角晶体的消光影亮度,以及它使消光影从黑十字位到离开偏光显微镜视场的角度增加,从而提高大光轴角厚晶体的光学定向的精确度。
本文考虑了会聚偏振光干涉图中高折射率、大光轴角晶体的消光影亮度,以及它使消光影从黑十字位到离开偏光显微镜视场的角度增加,从而提高大光轴角厚晶体的光学定向的精确度。
