1984年 33卷 第4期
1984, 33(4): 449-456.
doi: 10.7498/aps.33.449
摘要:
本文分析与计算了共振螺旋场对自发撕裂模的抑制作用。通过解电阻MHD方程证实了螺旋场能使m=2的撕裂模增长速度减慢一倍左右。同时也讨论和计算了边界控制场对撕裂模的抑制作用。
本文分析与计算了共振螺旋场对自发撕裂模的抑制作用。通过解电阻MHD方程证实了螺旋场能使m=2的撕裂模增长速度减慢一倍左右。同时也讨论和计算了边界控制场对撕裂模的抑制作用。
1984, 33(4): 457-464.
doi: 10.7498/aps.33.457
摘要:
本文讨论了约束对低杂波离子随机加热效率的影响。计算发现,增大等离子体电流或使电流分布趋于中心可以改善快离子的约束,提高加热效率。
本文讨论了约束对低杂波离子随机加热效率的影响。计算发现,增大等离子体电流或使电流分布趋于中心可以改善快离子的约束,提高加热效率。
1984, 33(4): 465-471.
doi: 10.7498/aps.33.465
摘要:
软X射线诊断是研究托卡马克等离子体不稳定性的重要手段。本文给出用Au(Si)面垒探测器阵列测量CT-6B托卡马克等离子体软X射线的结果,以及各种等离子体不稳定性时的软X射线辐射空间分布特性。
软X射线诊断是研究托卡马克等离子体不稳定性的重要手段。本文给出用Au(Si)面垒探测器阵列测量CT-6B托卡马克等离子体软X射线的结果,以及各种等离子体不稳定性时的软X射线辐射空间分布特性。
1984, 33(4): 472-476.
doi: 10.7498/aps.33.472
摘要:
本文首次报道一种用于高压下电磁现象研究的两级非磁性超高压装置,描述了其结构原理和设计概要。这一装置目前达到的最高调试压力为28kbar,这是完全流体静力学的压力。利用本装置,已在0—25kbar的压力范围内进行了锑化铟、锗、碲镉汞等的电阻率和霍耳系数随压力变化的测量,对于这些材料能带结构和迁移率特性随压力变化,已获得令人满意的结果。
本文首次报道一种用于高压下电磁现象研究的两级非磁性超高压装置,描述了其结构原理和设计概要。这一装置目前达到的最高调试压力为28kbar,这是完全流体静力学的压力。利用本装置,已在0—25kbar的压力范围内进行了锑化铟、锗、碲镉汞等的电阻率和霍耳系数随压力变化的测量,对于这些材料能带结构和迁移率特性随压力变化,已获得令人满意的结果。
1984, 33(4): 477-485.
doi: 10.7498/aps.33.477
摘要:
利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为Ec=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。
利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为Ec=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。
1984, 33(4): 486-495.
doi: 10.7498/aps.33.486
摘要:
Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的是,他的方法只适用于在能级相当深的情况下,测量低温时载流子的俘获截面。本文在详细分析结电容瞬态动力过程的基础上,提出一种消除载流子分布不均匀(包括边界层中载流子分布不均匀和体内浅施主或浅受主浓度不均匀)的影响,准确测量俘获截面的方法,不受测量温度及样品中的能级情况的严重限制。这对于研究俘获截面与温度的关系以及进而研究俘获动力学机制是很
Zylbersztejn指出在空间电荷区边界层中,由于势垒的存在而引起的载流子分布的不均匀性,对测量深中心对载流子的俘获截面的不良影响,并且提出一种消除这种影响的方法。可惜的是,他的方法只适用于在能级相当深的情况下,测量低温时载流子的俘获截面。本文在详细分析结电容瞬态动力过程的基础上,提出一种消除载流子分布不均匀(包括边界层中载流子分布不均匀和体内浅施主或浅受主浓度不均匀)的影响,准确测量俘获截面的方法,不受测量温度及样品中的能级情况的严重限制。这对于研究俘获截面与温度的关系以及进而研究俘获动力学机制是很
1984, 33(4): 496-507.
doi: 10.7498/aps.33.496
摘要:
根据Lamb理论,对横向磁场下任意J值(能级的总角动量)的激光场的振幅和频率方程进行了具体的计算,给出任意J值以及J=1→2的一阶、三阶系数的解析式。作为结果的一个具体应用实例,成功地解释了6328?的He-Ne20横向塞曼激光器的拍频调谐曲线。
根据Lamb理论,对横向磁场下任意J值(能级的总角动量)的激光场的振幅和频率方程进行了具体的计算,给出任意J值以及J=1→2的一阶、三阶系数的解析式。作为结果的一个具体应用实例,成功地解释了6328?的He-Ne20横向塞曼激光器的拍频调谐曲线。
1984, 33(4): 508-514.
doi: 10.7498/aps.33.508
摘要:
本文报道了波长在2000—194?真空紫外区域内Ar的高次离化光谱工作。观察到相当数量的新谱线,并归属了其中64条,还找到六个新能级,即:ArIV 3s23p2(3P)3d2F5/2,7/2, ArIV 3s23p2(1D)3d2S1/2, ArV3s23p3d
本文报道了波长在2000—194?真空紫外区域内Ar的高次离化光谱工作。观察到相当数量的新谱线,并归属了其中64条,还找到六个新能级,即:ArIV 3s23p2(3P)3d2F5/2,7/2, ArIV 3s23p2(1D)3d2S1/2, ArV3s23p3d
1984, 33(4): 515-522.
doi: 10.7498/aps.33.515
摘要:
本文中报道了磷酸盐玻璃中Nd3+,Yb3+的时间分辨谱和激发能量的转移。通过实验确定了在不同温度下的转移速率。证实了Nd3+→Yb3+的能量转移机构为从4F3/2(Nd3+)到2F5/2(Yb3+)并同时产生单声子发射的过程;而从Yb3+到Nd3+
本文中报道了磷酸盐玻璃中Nd3+,Yb3+的时间分辨谱和激发能量的转移。通过实验确定了在不同温度下的转移速率。证实了Nd3+→Yb3+的能量转移机构为从4F3/2(Nd3+)到2F5/2(Yb3+)并同时产生单声子发射的过程;而从Yb3+到Nd3+
1984, 33(4): 523-529.
doi: 10.7498/aps.33.523
摘要:
我们用Raman光谱研究了Li2O(LiCl)2B2O3-Al2O3系玻璃的结构,着重研究了Al2O3的影响。对于Li2O-B2O3系玻璃,Li2O含量增加使玻璃中存在的BO3三角体转变为BO4四面体,
我们用Raman光谱研究了Li2O(LiCl)2B2O3-Al2O3系玻璃的结构,着重研究了Al2O3的影响。对于Li2O-B2O3系玻璃,Li2O含量增加使玻璃中存在的BO3三角体转变为BO4四面体,
1984, 33(4): 530-537.
doi: 10.7498/aps.33.530
摘要:
本文通过实验研究了Nb-Ti超导单芯裸线、多芯复合线在干绕和湿绕两种条件下,经历不同的励磁过程的声发射(AE)行为。发现导线的运动和磁通跳跃是声发射的主要源,而通常的磁通流动不出现可测的声发射,湿绕时导线移动的启动力比干绕提高一个数量级。如果导线发生宏观移动或完全磁通跳跃之前分别经历着一系列微滑移或不完全的磁通跳跃,则声发射技术有可能作为磁体猝灭的一种检测手段。
本文通过实验研究了Nb-Ti超导单芯裸线、多芯复合线在干绕和湿绕两种条件下,经历不同的励磁过程的声发射(AE)行为。发现导线的运动和磁通跳跃是声发射的主要源,而通常的磁通流动不出现可测的声发射,湿绕时导线移动的启动力比干绕提高一个数量级。如果导线发生宏观移动或完全磁通跳跃之前分别经历着一系列微滑移或不完全的磁通跳跃,则声发射技术有可能作为磁体猝灭的一种检测手段。
1984, 33(4): 538-546.
doi: 10.7498/aps.33.538
摘要:
本文中研究一种水下目标识别方法并介绍一组材料、大小、厚度不同的中空圆柱形水下目标的识别实验。我们分三步提取水下目标特征量。第一步是在频域上用短脉冲作为入射信号辨识脉冲响应函数。第二步用“卷积-修正递推最小二乘”法估计目标ARMA模型参数。第三步计算频域上的极点。我们用极点作为水下目标的特征量,并认为它是一个不变量。计算机模拟结果表明,同以AR参数作为特征量的方法相比较,极点法的抗噪声干扰能力改善12dB。我们采用匹配滤波分类器对水下目标进行分类。实验结果表明,在无噪声情况下,正确识别率可达100％。信噪比
本文中研究一种水下目标识别方法并介绍一组材料、大小、厚度不同的中空圆柱形水下目标的识别实验。我们分三步提取水下目标特征量。第一步是在频域上用短脉冲作为入射信号辨识脉冲响应函数。第二步用“卷积-修正递推最小二乘”法估计目标ARMA模型参数。第三步计算频域上的极点。我们用极点作为水下目标的特征量,并认为它是一个不变量。计算机模拟结果表明,同以AR参数作为特征量的方法相比较,极点法的抗噪声干扰能力改善12dB。我们采用匹配滤波分类器对水下目标进行分类。实验结果表明,在无噪声情况下,正确识别率可达100％。信噪比
1984, 33(4): 547-553.
doi: 10.7498/aps.33.547
摘要:
本文考虑了临界密度附近的密度梯度明显变陡的情况,解析地讨论了激光等离子体中共振吸收所引起的谐波发射问题,得到的二次谐波的转换率与实验结果相符。另外,还就三次谐波发射的转换率进行了计算。
本文考虑了临界密度附近的密度梯度明显变陡的情况,解析地讨论了激光等离子体中共振吸收所引起的谐波发射问题,得到的二次谐波的转换率与实验结果相符。另外,还就三次谐波发射的转换率进行了计算。
1984, 33(4): 554-560.
doi: 10.7498/aps.33.554
摘要:
本文研究了小环径比锐边界等离子体的扭曲模不稳定性,计算结果表明:外导体壳有一定的稳定作用,无论外导体壳存在与否,环状模数n为1的临界β值均为最小,即为最危险的扰动模式,随着环径比例数ε的增大,临界β值开始时增大,在ε=0.7时达到极大值。ε>0.6时高β极限与低β极限下的临界β值几乎相等。
本文研究了小环径比锐边界等离子体的扭曲模不稳定性,计算结果表明:外导体壳有一定的稳定作用,无论外导体壳存在与否,环状模数n为1的临界β值均为最小,即为最危险的扰动模式,随着环径比例数ε的增大,临界β值开始时增大,在ε=0.7时达到极大值。ε>0.6时高β极限与低β极限下的临界β值几乎相等。
1984, 33(4): 561-563.
doi: 10.7498/aps.33.561
摘要:
文献[1]在计算双麦克斯韦等离子体的辐射散射结构因子的时候,区分T⊥≥T∥和T⊥≤T∥两种情况,得到两个不同形式的解析表达式。本文指出,区分这两种情况是没有必要的,可以得到具有更高精确度的统一解析表达式。
文献[1]在计算双麦克斯韦等离子体的辐射散射结构因子的时候,区分T⊥≥T∥和T⊥≤T∥两种情况,得到两个不同形式的解析表达式。本文指出,区分这两种情况是没有必要的,可以得到具有更高精确度的统一解析表达式。
1984, 33(4): 564-567.
doi: 10.7498/aps.33.564
摘要:
我们采用时间分辨简并四波混频研究了MBBA液晶相变前分子取向弛豫时间随温度的变化。实验结果与Landau-de Gennes模型的理论预测基本相符。
我们采用时间分辨简并四波混频研究了MBBA液晶相变前分子取向弛豫时间随温度的变化。实验结果与Landau-de Gennes模型的理论预测基本相符。
1984, 33(4): 568-570.
doi: 10.7498/aps.33.568
摘要:
本文中探讨了MBBA液晶中,由热致位相光栅产生的简并四波混频效应。通过测量热光栅衰变的弛豫时间,得到T=45.1℃时,液晶各向同性相的热弥散系数为D=8.6×10-4)cm2·S-1)。
本文中探讨了MBBA液晶中,由热致位相光栅产生的简并四波混频效应。通过测量热光栅衰变的弛豫时间,得到T=45.1℃时,液晶各向同性相的热弥散系数为D=8.6×10-4)cm2·S-1)。
1984, 33(4): 571-574.
doi: 10.7498/aps.33.571
摘要:
本文中提出了超导转变温度Tc与离子注入剂量φ的经验关系式,Tc=1.13θDexp[-1/(A/(Φ+1)+B)].将这一关系式和若干实验结果进行了对比,结果表明,计算值与实验结果符合得很好。最后我们讨论了这一关系式的物理基础,认为由于费密面附近出现了杂质能带,导致了样品Tc的变化。
本文中提出了超导转变温度Tc与离子注入剂量φ的经验关系式,Tc=1.13θDexp[-1/(A/(Φ+1)+B)].将这一关系式和若干实验结果进行了对比,结果表明,计算值与实验结果符合得很好。最后我们讨论了这一关系式的物理基础,认为由于费密面附近出现了杂质能带,导致了样品Tc的变化。
1984, 33(4): 579-582.
doi: 10.7498/aps.33.579
摘要:
本文报道了用水热反应制备BaFe12O19铁氧体,用磁性分析,X射线衍射分析,穆斯堡尔谱以及电子显微镜研究其相变过程。
本文报道了用水热反应制备BaFe12O19铁氧体,用磁性分析,X射线衍射分析,穆斯堡尔谱以及电子显微镜研究其相变过程。
1984, 33(4): 583-587.
doi: 10.7498/aps.33.583
摘要:
对GaP(N,Te,Zn)样品做了77K的静压光致荧光研究。得到了N,NN1,NN3束缚激子能级的压力系数,以及施主Te和中性施主Te的束缚激子能级的压力系数。讨论了这些能级随压力的变化行为,并首次观察到Gap中自由激子的零声子发射。
对GaP(N,Te,Zn)样品做了77K的静压光致荧光研究。得到了N,NN1,NN3束缚激子能级的压力系数,以及施主Te和中性施主Te的束缚激子能级的压力系数。讨论了这些能级随压力的变化行为,并首次观察到Gap中自由激子的零声子发射。
1984, 33(4): 588-592.
doi: 10.7498/aps.33.588
摘要:
对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子Nx的发光光谱及畸变势束缚激子NT的发光峰。测量NX能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。
对离子注N的GaAs样品作了77K的静压光致荧光研究。观察到了N陷阱中心元胞势束缚激子Nx的发光光谱及畸变势束缚激子NT的发光峰。测量NX能级的压力系数为2.8meV/kbar,常压下N的共振态高于导带边179meV。讨论了N等电子陷阱的电声子耦合强度及有效束缚激子半径随压力的变化关系。
