1987年 36卷 第10期
1987, 36(10): 142-144.
doi: 10.7498/aps.36.142
摘要:
本文讨论了强磁场中局域电中性二维电子气的基态能的数值迭代计算方法。计算结果表明基态能随总角动量的变化曲线只在某些角动量处出现尖角。
本文讨论了强磁场中局域电中性二维电子气的基态能的数值迭代计算方法。计算结果表明基态能随总角动量的变化曲线只在某些角动量处出现尖角。
1987, 36(10): 1321-1329.
doi: 10.7498/aps.36.1321
摘要:
本文用计算机模拟方法探讨了金属玻璃在加压过程中的变化。根据铁的状态方程拟合了Lennard-Jones双体势,用能显极小化方法松弛以得到具有周期性边界的含有1067个原子的非晶铁模型,并研究了加压状态下径向分布函数的变化。从第二峰中两个亚峰模糊化的趋势判断,加压可能破坏非晶合金中已经存在的局域有序关联。文中还估算了非晶铁的P-V曲线。
本文用计算机模拟方法探讨了金属玻璃在加压过程中的变化。根据铁的状态方程拟合了Lennard-Jones双体势,用能显极小化方法松弛以得到具有周期性边界的含有1067个原子的非晶铁模型,并研究了加压状态下径向分布函数的变化。从第二峰中两个亚峰模糊化的趋势判断,加压可能破坏非晶合金中已经存在的局域有序关联。文中还估算了非晶铁的P-V曲线。
1987, 36(10): 1330-1335.
doi: 10.7498/aps.36.1330
摘要:
利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A1,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。
利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A1,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。
1987, 36(10): 1336-1343.
doi: 10.7498/aps.36.1336
摘要:
将微微秒非线性光学相关技术发展成一种新的微微秒时间分辨光谱技术,并用它研究了GaAs-GaAlAs多量子阶结构中非平衡载流子的弛豫过程,讨论了非平衡电子系统能量损耗的机理,给出了电子-声子散射的时间常数。
将微微秒非线性光学相关技术发展成一种新的微微秒时间分辨光谱技术,并用它研究了GaAs-GaAlAs多量子阶结构中非平衡载流子的弛豫过程,讨论了非平衡电子系统能量损耗的机理,给出了电子-声子散射的时间常数。
1987, 36(10): 1344-1348.
doi: 10.7498/aps.36.1344
摘要:
本文从单粒子理论出发,导出了切化科夫自由电子激光中自发辐射与受激辐射的关系。结果表明:在切化科夫自由电子激光中也存在着类似于wiggler自由电子激光中的Madey公式的关系。文中还利用得出的结果对倾斜角度受激切伦科夫辐射的增益进行了计算。
本文从单粒子理论出发,导出了切化科夫自由电子激光中自发辐射与受激辐射的关系。结果表明:在切化科夫自由电子激光中也存在着类似于wiggler自由电子激光中的Madey公式的关系。文中还利用得出的结果对倾斜角度受激切伦科夫辐射的增益进行了计算。
1987, 36(10): 1349-1354.
doi: 10.7498/aps.36.1349
摘要:
本工作应用X射线大角散射技术测定金属玻璃氢化前后的径向分布函数,以探讨氢化对金属玻璃结构的影响,弄清氢在金属玻璃结构中的位置及其局域环境。
本工作应用X射线大角散射技术测定金属玻璃氢化前后的径向分布函数,以探讨氢化对金属玻璃结构的影响,弄清氢在金属玻璃结构中的位置及其局域环境。
1987, 36(10): 1355-1358.
doi: 10.7498/aps.36.1355
摘要:
关于β-LaNi5·Hx(x～6)的空间群来自中子衍射有三种不同说法:P31m,P321和P6/mmm。本文综合质子NMR二次矩和组态熵等方面对上述争议作了分析。综合分析包括:明确刚性排斥相关半径rc概念;核算P31m,P321和P6/mmm在不同rc设置下的相关系数表;基于中子衍射提供的氢占有率提出可能的统计考虑;适当修改前人关于组态熵计算公式,对比计算值与组态熵实验分析值;根据相同的统计考虑程序计算NMR二次矩并与
关于β-LaNi5·Hx(x～6)的空间群来自中子衍射有三种不同说法:P31m,P321和P6/mmm。本文综合质子NMR二次矩和组态熵等方面对上述争议作了分析。综合分析包括:明确刚性排斥相关半径rc概念;核算P31m,P321和P6/mmm在不同rc设置下的相关系数表;基于中子衍射提供的氢占有率提出可能的统计考虑;适当修改前人关于组态熵计算公式,对比计算值与组态熵实验分析值;根据相同的统计考虑程序计算NMR二次矩并与
1987, 36(10): 1359-1363.
doi: 10.7498/aps.36.1359
摘要:
测定了晶态Al6Mn,准晶Al4Mn和准晶Al6Mn的Mn原子K吸收EXAFS谱(包括Mn原子K的近限吸收谱)。研究了准晶Al4Mn和准晶Al6Mn中Mn原子周围的第一近邻结构,讨论了Mn原子周围第一近邻Al原子的分布特征。在准晶Al6Mn和准晶Al4Mn中,Al-Mn间原子平均距离约为2.52?,小于晶态中Al-Mn间平均距离,围绕Mn原子的配位数约为
测定了晶态Al6Mn,准晶Al4Mn和准晶Al6Mn的Mn原子K吸收EXAFS谱(包括Mn原子K的近限吸收谱)。研究了准晶Al4Mn和准晶Al6Mn中Mn原子周围的第一近邻结构,讨论了Mn原子周围第一近邻Al原子的分布特征。在准晶Al6Mn和准晶Al4Mn中,Al-Mn间原子平均距离约为2.52?,小于晶态中Al-Mn间平均距离,围绕Mn原子的配位数约为
1987, 36(10): 1364-1370.
doi: 10.7498/aps.36.1364
摘要:
本文对Si加入Nd2Fe14B四方相后所形成的合金相的结构和磁性进行了研究。结果表明,Si加入Nd2Fe14B四方相后并不破坏它的结构(Si的含量可达B的两倍),而形成Nd2(Fe,Si)14B赝三元金属间化合物。随着Si含量的增加,晶格常数和饱和磁化强度随之减小,但居里温度则随之增加。Si的加入,并不改变Nd2Fe14B的室温各向
本文对Si加入Nd2Fe14B四方相后所形成的合金相的结构和磁性进行了研究。结果表明,Si加入Nd2Fe14B四方相后并不破坏它的结构(Si的含量可达B的两倍),而形成Nd2(Fe,Si)14B赝三元金属间化合物。随着Si含量的增加,晶格常数和饱和磁化强度随之减小,但居里温度则随之增加。Si的加入,并不改变Nd2Fe14B的室温各向
1987, 36(10): 1371-1374.
doi: 10.7498/aps.36.1371
摘要:
本文研究了非晶态PrxCo1-x薄膜合金的磁化强度与温度和磁场的关系。得到非晶态合金Pr-Co中存在有两个磁相的结论。这可能是由于局域化学短程序涨落造成的相分离,通过对磁化强度-温度曲线拟合,得到了这两相的相变温度。另外通过对合金的饱和磁矩与成份的关系研究,分别得到Pr原子的有效原子磁矩与成份的关系,以及Co原子在x=0时的有效原子磁矩。
本文研究了非晶态PrxCo1-x薄膜合金的磁化强度与温度和磁场的关系。得到非晶态合金Pr-Co中存在有两个磁相的结论。这可能是由于局域化学短程序涨落造成的相分离,通过对磁化强度-温度曲线拟合,得到了这两相的相变温度。另外通过对合金的饱和磁矩与成份的关系研究,分别得到Pr原子的有效原子磁矩与成份的关系,以及Co原子在x=0时的有效原子磁矩。
1987, 36(10): 1375-1381.
doi: 10.7498/aps.36.1375
摘要:
用XPS,UPS和AES研究铁早期氧化过程,认为在温度不太高和氧分压不太大的条件下,多晶铁片与氧作用生成的化合物是Fe3O4而不是FeO和α-Fe2O3,也不是三种化合物的分层分布。在600℃以上高温下,氧分压近于1×10-6Torr下,出现了铁表面上氧的热脱附过程而不是氧化过程。
用XPS,UPS和AES研究铁早期氧化过程,认为在温度不太高和氧分压不太大的条件下,多晶铁片与氧作用生成的化合物是Fe3O4而不是FeO和α-Fe2O3,也不是三种化合物的分层分布。在600℃以上高温下,氧分压近于1×10-6Torr下,出现了铁表面上氧的热脱附过程而不是氧化过程。
1987, 36(10): 1382-1385.
doi: 10.7498/aps.36.1382
摘要:
用时间分辨的激光诱导荧光光谱方法测量了10—300K温度范围内Ni2+:BeAl2O4晶体的红外荧光光谱和荧光寿命。通过荧光寿命的温度变化特性分析,得出3T2g态的内禀辐射衰减寿命为123±7.2μs。无辐射弛豫的Mott激活能为1147cm-1,并导出了此晶体发光量子效率随温度的变化关系式。Ni2+:BeAl2O4
用时间分辨的激光诱导荧光光谱方法测量了10—300K温度范围内Ni2+:BeAl2O4晶体的红外荧光光谱和荧光寿命。通过荧光寿命的温度变化特性分析,得出3T2g态的内禀辐射衰减寿命为123±7.2μs。无辐射弛豫的Mott激活能为1147cm-1,并导出了此晶体发光量子效率随温度的变化关系式。Ni2+:BeAl2O4
1987, 36(10): 1241-1246.
doi: 10.7498/aps.36.1241
摘要:
本文在有理面附近的局域近似下,从MHD方程出发,求出了非线性撕裂模的时间演化的解析结果。大体可划分为三个阶段:线性增长,由非线性因素导致饱和,最终过渡到一个与初始条件无关的非线性特解,并与原有的线性及非线性撕裂模的解析结果进行了比较,在线性近似下可退化到经典的结果。由本文结论还可解释托卡马克的大破裂中的有关现象。
本文在有理面附近的局域近似下,从MHD方程出发,求出了非线性撕裂模的时间演化的解析结果。大体可划分为三个阶段:线性增长,由非线性因素导致饱和,最终过渡到一个与初始条件无关的非线性特解,并与原有的线性及非线性撕裂模的解析结果进行了比较,在线性近似下可退化到经典的结果。由本文结论还可解释托卡马克的大破裂中的有关现象。
1987, 36(10): 1247-1254.
doi: 10.7498/aps.36.1247
摘要:
用量子力学微扰方法结合相干平均理论提出了固体宽带组合脉冲的理论,并用该理论设计了固体宽带组合π脉冲Px(90°)Py(90°)Px(90°),实验表明效果较好。
用量子力学微扰方法结合相干平均理论提出了固体宽带组合脉冲的理论,并用该理论设计了固体宽带组合π脉冲Px(90°)Py(90°)Px(90°),实验表明效果较好。
1987, 36(10): 1255-1263.
doi: 10.7498/aps.36.1255
摘要:
本文研究了贵金属-CaAs(110)界面形成过程中hν=21.2eV和40.8eV的价带光电子谱的演化,在小于0.5单原子层淀积金属时,观察到所谓原子样Ag5s和Au6s态。大约从10埃到几十埃的淀积金属范围内,发现贵金属价带发射极大值现象。用金属原子团的形成、岛状生长与界面反应相关的观点讨论了实验结果。
本文研究了贵金属-CaAs(110)界面形成过程中hν=21.2eV和40.8eV的价带光电子谱的演化,在小于0.5单原子层淀积金属时,观察到所谓原子样Ag5s和Au6s态。大约从10埃到几十埃的淀积金属范围内,发现贵金属价带发射极大值现象。用金属原子团的形成、岛状生长与界面反应相关的观点讨论了实验结果。
1987, 36(10): 1264-1272.
doi: 10.7498/aps.36.1264
摘要:
本文基于位于准费密能级下深受主陷阱和剩余空穴,在平衡(无光照)和非平衡(有光照)条件下单位时间内空穴浓度变化率的微分方程基础上,导出了指数衰减理论方程,可很好地解释深能级对FET光脉冲瞬态特性的影响,指出了深能级是衰减长尾产生的根本原因,并测定了GaAs MESFET、GaAlAs TEGFET Si JFET的光脉冲瞬态特性,验证了理论模型的准确性。探讨了能级深度ET等因素对衰减曲线的影响。测定了上述三类器件的等效噪声电压与频率f之间的关系,应用文献[6]的公式得出了相应的等效噪声
本文基于位于准费密能级下深受主陷阱和剩余空穴,在平衡(无光照)和非平衡(有光照)条件下单位时间内空穴浓度变化率的微分方程基础上,导出了指数衰减理论方程,可很好地解释深能级对FET光脉冲瞬态特性的影响,指出了深能级是衰减长尾产生的根本原因,并测定了GaAs MESFET、GaAlAs TEGFET Si JFET的光脉冲瞬态特性,验证了理论模型的准确性。探讨了能级深度ET等因素对衰减曲线的影响。测定了上述三类器件的等效噪声电压与频率f之间的关系,应用文献[6]的公式得出了相应的等效噪声
1987, 36(10): 1273-1280.
doi: 10.7498/aps.36.1273
摘要:
本文把文献[1,2]的方法推广用于一个更普适的模型,导出了一个适用范围较大的条件,由此出发计算了半无限的第Ⅰ类、第Ⅱ类和Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格的表面等离子谱。结果表明,由于准周期原胞超晶格对于垂直于超晶格轴的截面,不存在反映对称性,因之当表面取在原胞的Fm个不同界面上时(Fm,是Fibonacci数),其表面模式有千姿百态的变化。这种变化有一定的规律,因之这方面的研究将使我们有可能根据理论或实验研究的需要,来设计特定的半无限准周期原胞超晶格,使其表面等离子谱具有期
本文把文献[1,2]的方法推广用于一个更普适的模型,导出了一个适用范围较大的条件,由此出发计算了半无限的第Ⅰ类、第Ⅱ类和Ⅱ-Ⅵ族半导体超晶格的表面等离子谱。结果表明,由于准周期原胞超晶格对于垂直于超晶格轴的截面,不存在反映对称性,因之当表面取在原胞的Fm个不同界面上时(Fm,是Fibonacci数),其表面模式有千姿百态的变化。这种变化有一定的规律,因之这方面的研究将使我们有可能根据理论或实验研究的需要,来设计特定的半无限准周期原胞超晶格,使其表面等离子谱具有期
1987, 36(10): 1281-1288.
doi: 10.7498/aps.36.1281
摘要:
在室温下磁场在0—15kOe范围内测量了非晶态磁性合金(Fe1-xCox)82Cu0.4Si4.4B13.2的横向磁阻△ρ/ρ。发现在高磁场下,磁阻与磁场强度有三种函数关系:(1)磁阻趋于饱和;(2)磁阻随磁场平方正比地增加;(3)对x=0.15的合金,在特殊的电流、磁场方向和确定的磁场强度下,有磁阻尖峰出现。情况(3)是一种磁击穿现象。磁击穿发生在自旋向上和向下的两片Fer
在室温下磁场在0—15kOe范围内测量了非晶态磁性合金(Fe1-xCox)82Cu0.4Si4.4B13.2的横向磁阻△ρ/ρ。发现在高磁场下,磁阻与磁场强度有三种函数关系:(1)磁阻趋于饱和;(2)磁阻随磁场平方正比地增加;(3)对x=0.15的合金,在特殊的电流、磁场方向和确定的磁场强度下,有磁阻尖峰出现。情况(3)是一种磁击穿现象。磁击穿发生在自旋向上和向下的两片Fer
1987, 36(10): 1289-1304.
doi: 10.7498/aps.36.1289
摘要:
本文研究了一些离子作用于银溶胶而引起聚集的情况。一价金属离子对银溶胶的聚集作用不明显,第Ⅱ主族的金属离子能够引起银溶胶的聚集而形成分形体(Fractal)态,且随着金属离子半径的增大,其聚集能力增强,对于三价金属离子Al3+,它也能引起银溶胶的聚集而形成分形体态。酸根阴离子一般不直接引起银溶胶的聚集,但能影响银溶胶的聚集。
本文研究了一些离子作用于银溶胶而引起聚集的情况。一价金属离子对银溶胶的聚集作用不明显,第Ⅱ主族的金属离子能够引起银溶胶的聚集而形成分形体(Fractal)态,且随着金属离子半径的增大,其聚集能力增强,对于三价金属离子Al3+,它也能引起银溶胶的聚集而形成分形体态。酸根阴离子一般不直接引起银溶胶的聚集,但能影响银溶胶的聚集。
1987, 36(10): 1305-1312.
doi: 10.7498/aps.36.1305
摘要:
结合改进的有效介质理论(EMT)和敏感半导体陶瓷的特征,提出了一个简单的、定量的物理模型——显微物理模型,用来描述敏感半导体陶瓷的显微结构特性与性质的关系。在本文中,我们把这个显微物理模型应用于描述非线性ZnO陶瓷的电性质,并发现由该模型得到的结果与实验结果和由导电理论(半导体理论和量子理论)得到的结果是一致的。
结合改进的有效介质理论(EMT)和敏感半导体陶瓷的特征,提出了一个简单的、定量的物理模型——显微物理模型,用来描述敏感半导体陶瓷的显微结构特性与性质的关系。在本文中,我们把这个显微物理模型应用于描述非线性ZnO陶瓷的电性质,并发现由该模型得到的结果与实验结果和由导电理论(半导体理论和量子理论)得到的结果是一致的。
1987, 36(10): 1313-1320.
doi: 10.7498/aps.36.1313
摘要:
本文用敏感半导体陶瓷的显微物理模型描述了热敏、气敏和湿敏陶瓷的电性能。得到了一些重要的结果。这些理论结果与实验结果相符,它们为敏感陶瓷的设计提供了理论依据。可预料该模型可作为这类半导体陶瓷的统一的显微物理模型。
本文用敏感半导体陶瓷的显微物理模型描述了热敏、气敏和湿敏陶瓷的电性能。得到了一些重要的结果。这些理论结果与实验结果相符,它们为敏感陶瓷的设计提供了理论依据。可预料该模型可作为这类半导体陶瓷的统一的显微物理模型。
