1989年 38卷 第12期
1989, 38(12): 1901-1910.
doi: 10.7498/aps.38.1901
摘要:
本文利用分叉理论研究一个含参数的有扩散不稳定性的四阶反应-扩散系统的空间周期结构问题,其中扩散项服从Cahn-Hillard广义扩散定律。首先通过稳定性和奇异性的分析得到从空间均匀定态产生空间周期定态的判别准则,然后利用奇异摄动方法获得这个空间周期定态的二阶近似解。本文的理论结果很好地符合文献[3]中的数值结果。
本文利用分叉理论研究一个含参数的有扩散不稳定性的四阶反应-扩散系统的空间周期结构问题,其中扩散项服从Cahn-Hillard广义扩散定律。首先通过稳定性和奇异性的分析得到从空间均匀定态产生空间周期定态的判别准则,然后利用奇异摄动方法获得这个空间周期定态的二阶近似解。本文的理论结果很好地符合文献[3]中的数值结果。
1989, 38(12): 1911-1918.
doi: 10.7498/aps.38.1911
摘要:
本文全面论述了孤子方程求解的投影矩阵法。不仅导出孤子解间的变换关系(孤子变换),而且导出以前未明确得到的呼吸子解之间的变换关系(呼吸子变换),并一般地证明了孤子解的非奇异性。
本文全面论述了孤子方程求解的投影矩阵法。不仅导出孤子解间的变换关系(孤子变换),而且导出以前未明确得到的呼吸子解之间的变换关系(呼吸子变换),并一般地证明了孤子解的非奇异性。
1989, 38(12): 1919-1926.
doi: 10.7498/aps.38.1919
摘要:
本文报道利用单辊方法制备的非晶Nd3Fe81B16合金的晶化及其对磁性和M?ssbauer谱的影响。发现在非晶Fe81B19合金中用3at％Nd取代B,使非晶Fe81B19合金的晶化温度提高88℃。在适当的退火条件下晶化后样品在室温下的磁性是:σs=189emu/g,σr/σs=0.7,iHc=2.15kOe,Br≈12kG,bHc=2kOe,(BH)max≈8MGOe。与目前广泛使用的六角铁氧体相比,bHc相近,但Br和(BH)max远比六角铁氧体高。这种材料仅含有少量的Nd,因此可能开发为一种新的廉价永磁材料。本文对少量Nd的添加对非晶FeB合金的晶化温度,磁性和M?ssbauer谱的影响进行了讨论。初步探讨了高矫顽力的来源,认为它的磁化和反磁化过程可以用畴壁钉扎理论解释。
本文报道利用单辊方法制备的非晶Nd3Fe81B16合金的晶化及其对磁性和M?ssbauer谱的影响。发现在非晶Fe81B19合金中用3at％Nd取代B,使非晶Fe81B19合金的晶化温度提高88℃。在适当的退火条件下晶化后样品在室温下的磁性是:σs=189emu/g,σr/σs=0.7,iHc=2.15kOe,Br≈12kG,bHc=2kOe,(BH)max≈8MGOe。与目前广泛使用的六角铁氧体相比,bHc相近,但Br和(BH)max远比六角铁氧体高。这种材料仅含有少量的Nd,因此可能开发为一种新的廉价永磁材料。本文对少量Nd的添加对非晶FeB合金的晶化温度,磁性和M?ssbauer谱的影响进行了讨论。初步探讨了高矫顽力的来源,认为它的磁化和反磁化过程可以用畴壁钉扎理论解释。
1989, 38(12): 1927-1936.
doi: 10.7498/aps.38.1927
摘要:
采用单模量子化光场和有效二能级的多能级原子组成的模型,研究了动态Stark效应对该系统原子和压缩态光场的双光子过程动力学行为的影响。动态Stark效应将使原子反转Rabi振荡的再生(revival)幅度降低,周期缩短,原子和场的能量交换加快;也有利于光子反聚束效应加强和亚泊松光子统计分布变窄,但却使光场压缩特性减弱,甚至消失。
采用单模量子化光场和有效二能级的多能级原子组成的模型,研究了动态Stark效应对该系统原子和压缩态光场的双光子过程动力学行为的影响。动态Stark效应将使原子反转Rabi振荡的再生(revival)幅度降低,周期缩短,原子和场的能量交换加快;也有利于光子反聚束效应加强和亚泊松光子统计分布变窄,但却使光场压缩特性减弱,甚至消失。
1989, 38(12): 1937-1944.
doi: 10.7498/aps.38.1937
摘要:
研究了在绝热近似条件下具有两个时间延迟反馈迴路的混合光学双稳态中动力学行为。在此模型中,该系统可由高维映象来描写增加输入光强保持两时延比ω=3/5,观察到了从三频准周期运动到混沌的过渡。此结果对理解湍流有重要意义。
研究了在绝热近似条件下具有两个时间延迟反馈迴路的混合光学双稳态中动力学行为。在此模型中,该系统可由高维映象来描写增加输入光强保持两时延比ω=3/5,观察到了从三频准周期运动到混沌的过渡。此结果对理解湍流有重要意义。
1989, 38(12): 1945-1950.
doi: 10.7498/aps.38.1945
摘要:
用Na原子3S—4D双光子共振增强的受激超Raman散射、四波混频和光泵受激发射过程,获得230—340nm范围内两组紫外相干辐射,分析了这一系列紫外相干辐射的产生机制和谐线特性。
用Na原子3S—4D双光子共振增强的受激超Raman散射、四波混频和光泵受激发射过程,获得230—340nm范围内两组紫外相干辐射,分析了这一系列紫外相干辐射的产生机制和谐线特性。
1989, 38(12): 1951-1957.
doi: 10.7498/aps.38.1951
摘要:
本文利用多重散射方法研究了分子的近阈结构,阐明了:1)激发电子与分子离子实的相互作用动力学特征;2)势形共振的物理起源。并与实验比较,标识了NO2内壳层激发的实验谱。
本文利用多重散射方法研究了分子的近阈结构,阐明了:1)激发电子与分子离子实的相互作用动力学特征;2)势形共振的物理起源。并与实验比较,标识了NO2内壳层激发的实验谱。
1989, 38(12): 1958-1967.
doi: 10.7498/aps.38.1958
摘要:
本文讨论了在光的相干激发下,半导体中电子-空穴对的玻色近似和SU(2)相干态的产生,讨论了两种情形下电子-空穴对噪声特性和复合辐射特性,给出了电子-空穴对的二阶相干函数和分布函数,说明了玻色近似相当于SU(2)群到谐振子群的收缩。
本文讨论了在光的相干激发下,半导体中电子-空穴对的玻色近似和SU(2)相干态的产生,讨论了两种情形下电子-空穴对噪声特性和复合辐射特性,给出了电子-空穴对的二阶相干函数和分布函数,说明了玻色近似相当于SU(2)群到谐振子群的收缩。
1989, 38(12): 1968-1973.
doi: 10.7498/aps.38.1968
摘要:
用紫外光电子能谱研究了Al0.7Ga0.3As的表面态结构,观察到Al0.7Ga0.3As在价带中的两个表面态结构。在1500L原子氢吸附后消失。研究了这两个表面态结构在热退火消除表面损伤过程中的变化。结合LEED和XPS的实验结果,确定在450℃左右的热退火可以有效地消除损伤,获得一个完整的Al0.7Ga0.3As(100)表面。
用紫外光电子能谱研究了Al0.7Ga0.3As的表面态结构,观察到Al0.7Ga0.3As在价带中的两个表面态结构。在1500L原子氢吸附后消失。研究了这两个表面态结构在热退火消除表面损伤过程中的变化。结合LEED和XPS的实验结果,确定在450℃左右的热退火可以有效地消除损伤,获得一个完整的Al0.7Ga0.3As(100)表面。
1989, 38(12): 1974-1980.
doi: 10.7498/aps.38.1974
摘要:
本文利用角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和高分辨率电子能量损失谱(HREELS)研究Ar+刻蚀退火处理的GaP(111)面表面态。发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。
本文利用角分辨紫外光电子能谱(ARUPS)和高分辨率电子能量损失谱(HREELS)研究Ar+刻蚀退火处理的GaP(111)面表面态。发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。空表面态引起n型样品表面能带发生1.36eV弯曲。
1989, 38(12): 1981-1987.
doi: 10.7498/aps.38.1981
摘要:
本文介绍了用高能(MeV)离子散射研究表面、界面原子结构的方法、实验装置;报道了获得Al单晶清洁表面的方法,用高能离子散射、沟道效应研究Al(100)表面原子结构的实验结果:Al(100)表面层原子的热振动振幅较体内原子大20—30％,Al(100)表面层原子的弛豫量小于-0.05?。
本文介绍了用高能(MeV)离子散射研究表面、界面原子结构的方法、实验装置;报道了获得Al单晶清洁表面的方法,用高能离子散射、沟道效应研究Al(100)表面原子结构的实验结果:Al(100)表面层原子的热振动振幅较体内原子大20—30％,Al(100)表面层原子的弛豫量小于-0.05?。
1989, 38(12): 1988-1995.
doi: 10.7498/aps.38.1988
摘要:
本文用较完整的热激电导理论分析方法,处理非晶态半导体的热激电导谱,获得a-Si:H薄膜和a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中能隙上半部缺陷态密度的分布。其结果与用Fritzsche的理论分析方法获得的态密度分布一致。进一步比较了两种处理方法的主要特点,讨论了它们的特征参量,最大热发射能级Em与准费密能级Eq之间的关系。结果证明,a-Si:H热激电导的分析应用弱复合情况处理,热激载流子的再俘获不能忽略。表明Gu等人的理论分析进一步改进了对非晶态半导体热激电导谱的处理。
本文用较完整的热激电导理论分析方法,处理非晶态半导体的热激电导谱,获得a-Si:H薄膜和a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中能隙上半部缺陷态密度的分布。其结果与用Fritzsche的理论分析方法获得的态密度分布一致。进一步比较了两种处理方法的主要特点,讨论了它们的特征参量,最大热发射能级Em与准费密能级Eq之间的关系。结果证明,a-Si:H热激电导的分析应用弱复合情况处理,热激载流子的再俘获不能忽略。表明Gu等人的理论分析进一步改进了对非晶态半导体热激电导谱的处理。
1989, 38(12): 1996-2002.
doi: 10.7498/aps.38.1996
摘要:
本文中研究了O+(200keV,1.8×1018/cm2)和N+(190keV,1.8×1018/cm2)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O+的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋层的界面存在一个不饱和氧化硅状态,氧化硅埋层是由SiO2相和这不饱和氧化硅态组成,而且氧化硅埋层和体硅界面不同于表层Si和氧化硅埋层界面;注N+的SOI结构在经1200℃,2h退火后,其氮化硅埋层中存在一个富N的疏松夹层,表层Si和氮化硅埋层界面与氮化硅埋层和体硅界面性质亦不同。这些结果与红外吸收和透射电子显微镜及离子背散射谱的分析结果相一致。还对两种SOI结构界面与埋层的不同特征的原因进行了分析讨论。
本文中研究了O+(200keV,1.8×1018/cm2)和N+(190keV,1.8×1018/cm2)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O+的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋层的界面存在一个不饱和氧化硅状态,氧化硅埋层是由SiO2相和这不饱和氧化硅态组成,而且氧化硅埋层和体硅界面不同于表层Si和氧化硅埋层界面;注N+的SOI结构在经1200℃,2h退火后,其氮化硅埋层中存在一个富N的疏松夹层,表层Si和氮化硅埋层界面与氮化硅埋层和体硅界面性质亦不同。这些结果与红外吸收和透射电子显微镜及离子背散射谱的分析结果相一致。还对两种SOI结构界面与埋层的不同特征的原因进行了分析讨论。
1989, 38(12): 2003-2007.
doi: 10.7498/aps.38.2003
摘要:
用分析电子显微镜研究了顶部籽晶法生长的BaTiO3晶体内的缺陷。成功地制备出薄区厚约100nm内含包裹体的电子显微镜样品。用透射电子显微镜(TEM),配合电子能量损失谱(EELS)确定了BaTiO3单晶内包裹体的相分为:非晶的Ba-Ti-O和高Ti-Ba氧化物——Ba6Ti17O40在BaTiO3单晶试样中,还观察到其它几种类型的微缺陷。
用分析电子显微镜研究了顶部籽晶法生长的BaTiO3晶体内的缺陷。成功地制备出薄区厚约100nm内含包裹体的电子显微镜样品。用透射电子显微镜(TEM),配合电子能量损失谱(EELS)确定了BaTiO3单晶内包裹体的相分为:非晶的Ba-Ti-O和高Ti-Ba氧化物——Ba6Ti17O40在BaTiO3单晶试样中,还观察到其它几种类型的微缺陷。
1989, 38(12): 2008-2018.
doi: 10.7498/aps.38.2008
摘要:
在Krichever-Novikov(简称KN)弦的BRST量子化的基础上,采用Siegel的方法构造了任意给定亏格的KN弦的拟自由场论,并提出了一种非微扰拟自由弦场论的尝试。
在Krichever-Novikov(简称KN)弦的BRST量子化的基础上,采用Siegel的方法构造了任意给定亏格的KN弦的拟自由场论,并提出了一种非微扰拟自由弦场论的尝试。
1989, 38(12): 2019-2028.
doi: 10.7498/aps.38.2019
摘要:
本文从Yoshimori-Kasai模型出发,在Slave Boson平均场范围内采用相干势近似方法,给出一个描述重费密子合金正常态的理论。自洽计算了重费密子合金中传导电子和强关联f电子的态密度随合金浓度的变化。所得结果不仅明确揭示了态密度中赝隙形成的过程,还对重费密子合金中比热和热电功率的低温相干效应作出了合理的解释。
本文从Yoshimori-Kasai模型出发,在Slave Boson平均场范围内采用相干势近似方法,给出一个描述重费密子合金正常态的理论。自洽计算了重费密子合金中传导电子和强关联f电子的态密度随合金浓度的变化。所得结果不仅明确揭示了态密度中赝隙形成的过程,还对重费密子合金中比热和热电功率的低温相干效应作出了合理的解释。
1989, 38(12): 2029-2033.
doi: 10.7498/aps.38.2029
摘要:
利用射频溅射法制得的Co91Zr9和Co86Zr14两种成分的样品,对其感生各向异性在等温退火时的再取向作了详细研究。发现其热稳定性随含Zr量的增加而提高,求得其激活能分别为1.7eV和2.5eV。并对其感生各向异性随含非磁性金属原子的增加而下降的现象给出一个新解释。
利用射频溅射法制得的Co91Zr9和Co86Zr14两种成分的样品,对其感生各向异性在等温退火时的再取向作了详细研究。发现其热稳定性随含Zr量的增加而提高,求得其激活能分别为1.7eV和2.5eV。并对其感生各向异性随含非磁性金属原子的增加而下降的现象给出一个新解释。
1989, 38(12): 2034-2038.
doi: 10.7498/aps.38.2034
摘要:
用TEM研究了Ni67Zr33非晶合金晶化过程中亚稳相与稳定相之间存在的过渡区。在点阵像上亚稳相为宽的或宽窄相间的条纹,而稳定相为单一的窄条纹。过渡区中宽窄条纹的分布是随机的,看不出明显的规律。其电子衍射圈也没有平移对称性,可以看成亚稳态与稳定态的衍射谱之间的变化过程。以相同原子面不同堆垛间距的模型模拟了过渡区衍射强度的分布,与实际强度符合得很好。
用TEM研究了Ni67Zr33非晶合金晶化过程中亚稳相与稳定相之间存在的过渡区。在点阵像上亚稳相为宽的或宽窄相间的条纹,而稳定相为单一的窄条纹。过渡区中宽窄条纹的分布是随机的,看不出明显的规律。其电子衍射圈也没有平移对称性,可以看成亚稳态与稳定态的衍射谱之间的变化过程。以相同原子面不同堆垛间距的模型模拟了过渡区衍射强度的分布,与实际强度符合得很好。
1989, 38(12): 2039-2043.
doi: 10.7498/aps.38.2039
摘要:
在纯N2气体中,利用Townsend放电方法,对N2(A3∑u+)亚稳态分子的扩散系数Dm和猝灭速率常数Kq的测定进行了研究。分别得到:Dm=128cm2/s,Kq=8.1×10-19cm3/s。
在纯N2气体中,利用Townsend放电方法,对N2(A3∑u+)亚稳态分子的扩散系数Dm和猝灭速率常数Kq的测定进行了研究。分别得到:Dm=128cm2/s,Kq=8.1×10-19cm3/s。
1989, 38(12): 2044-2048.
doi: 10.7498/aps.38.2044
摘要:
本文采用时间演化算符研究了双光子Jaynes-Cummings模型态矢随时间变化的规律,讨论了原子的统计特性,揭示了原子的压缩效应。
本文采用时间演化算符研究了双光子Jaynes-Cummings模型态矢随时间变化的规律,讨论了原子的统计特性,揭示了原子的压缩效应。
1989, 38(12): 2049-2053.
doi: 10.7498/aps.38.2049
摘要:
给出了多透镜光学谐振腔的解析,分析了透镜腔光束参数的动态特性。提出一种补偿热焦距变化的影响的新观念,从而给出一种新形式的热稳定谐振腔——控制型热稳腔,或称软性腔。
给出了多透镜光学谐振腔的解析,分析了透镜腔光束参数的动态特性。提出一种补偿热焦距变化的影响的新观念,从而给出一种新形式的热稳定谐振腔——控制型热稳腔,或称软性腔。
1989, 38(12): 2054-2058.
doi: 10.7498/aps.38.2054
摘要:
在频率域研究了用喇曼增强非简并四波混频(RENFWM)测量喇曼模的横向弛豫时间,得到消背底的RENFWM光谱,对实验曲线进行拟合,获得苯和甲苯的振动模的横向弛豫时间分别为1.5ps和2ps。
在频率域研究了用喇曼增强非简并四波混频(RENFWM)测量喇曼模的横向弛豫时间,得到消背底的RENFWM光谱,对实验曲线进行拟合,获得苯和甲苯的振动模的横向弛豫时间分别为1.5ps和2ps。
