1990年 39卷 第6期
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1990, 39(6): 1-10.
doi: 10.7498/aps.39.1-3
摘要:
以扩展Skyrme力为基础,计入唯象的表面效应和Coulomb相互作用,推导了核系统的能量密度。对于有限温度情形,通过索末菲展开,得到了能量密度、自由能密度以及熵密度的解析公式。由此计算了热核物质和有限核的状态方程,每核子熵及每核子自由能。对计算结果作了比较和分析,预言了在同一框架下研究热核动力学演化的可能性。
以扩展Skyrme力为基础,计入唯象的表面效应和Coulomb相互作用,推导了核系统的能量密度。对于有限温度情形,通过索末菲展开,得到了能量密度、自由能密度以及熵密度的解析公式。由此计算了热核物质和有限核的状态方程,每核子熵及每核子自由能。对计算结果作了比较和分析,预言了在同一框架下研究热核动力学演化的可能性。
1990, 39(6): 11-18.
doi: 10.7498/aps.39.11
摘要:
本文利用多通道量子数亏损理论(MQDT),通过拟合Isberg等人新近关于Gall的实验能级数据,确定出偶宇称J=0,1,2,3和奇宇称J=1,2六个对称块的MQDT参数,预言了11个Rydberg系列离散能级的位置,并分析了各Rydbyrg系列之间的干扰情况,除个别低能级外,能级计算值与已测得的实验值符合得很好。
本文利用多通道量子数亏损理论(MQDT),通过拟合Isberg等人新近关于Gall的实验能级数据,确定出偶宇称J=0,1,2,3和奇宇称J=1,2六个对称块的MQDT参数,预言了11个Rydberg系列离散能级的位置,并分析了各Rydbyrg系列之间的干扰情况,除个别低能级外,能级计算值与已测得的实验值符合得很好。
1990, 39(6): 19-24.
doi: 10.7498/aps.39.19
摘要:
用荧光扩展X射线吸收谱(EXAFS)方法测量了人工合成金刚石中金属熔媒Ni的结构形态。Ni呈现出面心立方结构,与纯金属Ni相似。从Ni原子周围C原子的配位和Ni-Ni原子间距的增大,说明有C原子溶解于Ni中,估算出的溶解度为9at%,大大超过常压下Ni中C原子的溶解度极限2.7at%。金刚石中Ni原子近邻配位数比纯金属状态Ni中小。这表明Ni以微粒形式分布于金刚石中,推算出这些微粒尺度约为20?。
用荧光扩展X射线吸收谱(EXAFS)方法测量了人工合成金刚石中金属熔媒Ni的结构形态。Ni呈现出面心立方结构,与纯金属Ni相似。从Ni原子周围C原子的配位和Ni-Ni原子间距的增大,说明有C原子溶解于Ni中,估算出的溶解度为9at%,大大超过常压下Ni中C原子的溶解度极限2.7at%。金刚石中Ni原子近邻配位数比纯金属状态Ni中小。这表明Ni以微粒形式分布于金刚石中,推算出这些微粒尺度约为20?。
1990, 39(6): 25-32.
doi: 10.7498/aps.39.25
摘要:
多电子原子都存在自电离过程,本文研究了存在自电离时的阈上离化过程,利用一个简化模型得到了光电子谱的解析表达式。结果表明,自电离的存在使阈上离化过程更为复杂,导致许多新现象的产生。
多电子原子都存在自电离过程,本文研究了存在自电离时的阈上离化过程,利用一个简化模型得到了光电子谱的解析表达式。结果表明,自电离的存在使阈上离化过程更为复杂,导致许多新现象的产生。
1990, 39(6): 33-39.
doi: 10.7498/aps.39.33
摘要:
对于求解重迭穆斯堡尔谱的超精细参数分布,从多元线性回归分析观点,提出一种带非负约束的逐步回归分析方法。本方法在求解过程中充分利用实验谱的信息,通过显著性和非负性约束合理选择子谱变量,从而可以获得“最佳”拟合结果。本方法既有计算量少的优点,又可进一步降低拟合谱的均方误差和使拟合结果更加合理。
对于求解重迭穆斯堡尔谱的超精细参数分布,从多元线性回归分析观点,提出一种带非负约束的逐步回归分析方法。本方法在求解过程中充分利用实验谱的信息,通过显著性和非负性约束合理选择子谱变量,从而可以获得“最佳”拟合结果。本方法既有计算量少的优点,又可进一步降低拟合谱的均方误差和使拟合结果更加合理。
1990, 39(6): 40-46.
doi: 10.7498/aps.39.40-3
摘要:
本文讨论了以往强激光诱导自电离理论所忽略的二阶以上的高阶离化效应,得到了自电离谱的解析表达式,详细研究了高阶离化的影响。结果表明,当激光场足够强时,高阶离化使自电离谱和自电离态的缀饰态产生显著变化。
本文讨论了以往强激光诱导自电离理论所忽略的二阶以上的高阶离化效应,得到了自电离谱的解析表达式,详细研究了高阶离化的影响。结果表明,当激光场足够强时,高阶离化使自电离谱和自电离态的缀饰态产生显著变化。
1990, 39(6): 47-53.
doi: 10.7498/aps.39.47
摘要:
应用广义Wigner分布的Fokker-Planck方程的系统方法,研究了混合吸收和色散特征的受驱动光学系统的多光子跃迁过程。得到多光子、混合型Fokker-Plauck方程和稳态方程。并讨论了稳态方程的性质。
应用广义Wigner分布的Fokker-Planck方程的系统方法,研究了混合吸收和色散特征的受驱动光学系统的多光子跃迁过程。得到多光子、混合型Fokker-Plauck方程和稳态方程。并讨论了稳态方程的性质。
1990, 39(6): 54-58.
doi: 10.7498/aps.39.54
摘要:
在液晶混合光学双稳装置中,实验上观察到了由于直流电场引起的液晶中离子电荷飘移与液晶分子再取向之间竞争相互作用导致的自脉冲振荡现象。给出了该系统的弛豫方程。通过数值分析,得到了与实验定性一致的结果。
在液晶混合光学双稳装置中,实验上观察到了由于直流电场引起的液晶中离子电荷飘移与液晶分子再取向之间竞争相互作用导致的自脉冲振荡现象。给出了该系统的弛豫方程。通过数值分析,得到了与实验定性一致的结果。
1990, 39(6): 59-66.
doi: 10.7498/aps.39.59
摘要:
本文设计了两种自相似平面结构,制成相应的衍射屏,获得夫琅和费衍射图样。理论上以逐代繁衍的眼光看待自相似结构,导出频谱递推公式,并给出了总频谱函数与谱函数曲线,讨论了谱函数曲线的某些特征与能量转移性质。本文提出了一种研究实际自相似问题的光学模拟方法。
本文设计了两种自相似平面结构,制成相应的衍射屏,获得夫琅和费衍射图样。理论上以逐代繁衍的眼光看待自相似结构,导出频谱递推公式,并给出了总频谱函数与谱函数曲线,讨论了谱函数曲线的某些特征与能量转移性质。本文提出了一种研究实际自相似问题的光学模拟方法。
1990, 39(6): 67-74.
doi: 10.7498/aps.39.67-2
摘要:
本文对高β等离子体中槽纹模低杂漂移不稳定性从迴旋动力论出发作了较系统的研究,考虑了密度梯度、电子的温度梯度以及磁场梯度漂移的共振效应,解析结果与数值计算取得了完全一致的结论。发现,当温度梯度方向与密度梯度方向相反时,与温度梯度有关的电子的磁漂移共振起不稳定作用,使模的增长率比温度均匀时明显增大;而当方向相同时,温度梯度效应加强电子磁漂移共振的稳定作用,减少模的增长率。在两种情形中随着β值的增大,模的增长率都会减小,而且最大增长率向长波方向移动。电子温度各向异性对模的性质没有影响。
本文对高β等离子体中槽纹模低杂漂移不稳定性从迴旋动力论出发作了较系统的研究,考虑了密度梯度、电子的温度梯度以及磁场梯度漂移的共振效应,解析结果与数值计算取得了完全一致的结论。发现,当温度梯度方向与密度梯度方向相反时,与温度梯度有关的电子的磁漂移共振起不稳定作用,使模的增长率比温度均匀时明显增大;而当方向相同时,温度梯度效应加强电子磁漂移共振的稳定作用,减少模的增长率。在两种情形中随着β值的增大,模的增长率都会减小,而且最大增长率向长波方向移动。电子温度各向异性对模的性质没有影响。
1990, 39(6): 75-79.
doi: 10.7498/aps.39.75
摘要:
本文提出一种软X射线条纹相机与吸收膜相耦合测量激光等离子体辐射温度的实验方法,并且应用这个方法测量了平面金靶在1.053μm激光(LF-11#激光装置)作用下,靶面功率密度约为1014W/cm2的辐射温度。对温度处理中存在的误差,以及把此方法推广到能谱的时间分辨和温度的空间分辨测量中的可能性进行了讨论。
本文提出一种软X射线条纹相机与吸收膜相耦合测量激光等离子体辐射温度的实验方法,并且应用这个方法测量了平面金靶在1.053μm激光(LF-11#激光装置)作用下,靶面功率密度约为1014W/cm2的辐射温度。对温度处理中存在的误差,以及把此方法推广到能谱的时间分辨和温度的空间分辨测量中的可能性进行了讨论。
1990, 39(6): 80-84.
doi: 10.7498/aps.39.80
摘要:
利用带有针孔的透射式光栅光谱仪研究了激光等离子体X射线辐射的原子序数依赖性和激光功率密度对辐射的影响。得到了波长为1.06μm,平均功率密度为5×1014W/cm2的激光辐照条件下Z=6(C)到Z=79(Au)的不同原子序数激光等离子体X射线发射光谱。点聚焦和线聚焦激光照射方式下Al,Au等离子体X射线发射的对照实验结果表明,激光功率密度对低Z等离子体X射线发射的影响比对高Z的影响更明显。
利用带有针孔的透射式光栅光谱仪研究了激光等离子体X射线辐射的原子序数依赖性和激光功率密度对辐射的影响。得到了波长为1.06μm,平均功率密度为5×1014W/cm2的激光辐照条件下Z=6(C)到Z=79(Au)的不同原子序数激光等离子体X射线发射光谱。点聚焦和线聚焦激光照射方式下Al,Au等离子体X射线发射的对照实验结果表明,激光功率密度对低Z等离子体X射线发射的影响比对高Z的影响更明显。
1990, 39(6): 85-89.
doi: 10.7498/aps.39.85
摘要:
本文叙述了用X射线衍射和differential scanning calorimetry(缩写为DSC)测量两种方法对Cu50Ti50非晶态合金进行的快中子辐照效应研究。辐照不仅改变了该合金晶化峰的温度,而且还改变了晶化峰的形貌。在X射线衍射研究中还观察到辐照对结构所产生的影响恰与低温退火的影响相反。在这两种实验结果的基础上,讨论了Cu50Ti50非晶态合金的快中子辐照与原子短程结构变化的关系。
本文叙述了用X射线衍射和differential scanning calorimetry(缩写为DSC)测量两种方法对Cu50Ti50非晶态合金进行的快中子辐照效应研究。辐照不仅改变了该合金晶化峰的温度,而且还改变了晶化峰的形貌。在X射线衍射研究中还观察到辐照对结构所产生的影响恰与低温退火的影响相反。在这两种实验结果的基础上,讨论了Cu50Ti50非晶态合金的快中子辐照与原子短程结构变化的关系。
1990, 39(6): 90-97.
doi: 10.7498/aps.39.90
摘要:
本文详细地讨论了光学双稳性(OB)的临界现象。理论分析主要以忽略量子涨落的Fokker-Plank方程的静态解为基础。结果发现,OB的临界现象可以纳入Landau二级相变理论的框架,并且有关临界指数之间的关系也服从标度律。
本文详细地讨论了光学双稳性(OB)的临界现象。理论分析主要以忽略量子涨落的Fokker-Plank方程的静态解为基础。结果发现,OB的临界现象可以纳入Landau二级相变理论的框架,并且有关临界指数之间的关系也服从标度律。
1990, 39(6): 98-104.
doi: 10.7498/aps.39.98
摘要:
对一组提纯蒙脱石样品研究表明,它们具有不同的次微结构。红外(IR)谱中吸收带915和840cm-1的变化及电子自旋共振(ESR)谱中g≈4.3等的变化反映了各样品次微结构的差异。研究了它们的离子导电性,讨论了结构对其电导性能的影响。
对一组提纯蒙脱石样品研究表明,它们具有不同的次微结构。红外(IR)谱中吸收带915和840cm-1的变化及电子自旋共振(ESR)谱中g≈4.3等的变化反映了各样品次微结构的差异。研究了它们的离子导电性,讨论了结构对其电导性能的影响。
1990, 39(6): 105-114.
doi: 10.7498/aps.39.105
摘要:
本文用固相反应烧结制备出Li2Mo2O6多晶材料。经X射线分析、红外光谱和电子顺磁共振谱(EPR)的研究,确定了它的结构是Li2Mo2O4和MoO2两个晶相组成的烧结体。钼离子以四价状态存在于MoO2晶相结构中。采用交流阻抗谱分析了晶界与温度变化的相关性。测得了样品的ln(σ总T)-1/T 曲线是由两段直线和一段曲线所组成;总电导率化能σ27℃=1.36×10-3(Ω·cm)-1,σ115℃=1.49×10-3(Ω·cm)-1,σ300℃=9.71×10-3(Ω·cm)-1,σ370℃=2.42×10-3(Ω·cm)-1;电导活化能E1=0.043eV,E2=0.235eV,E平均=0.76eV。采用维格纳极化电池法测得电子电导率σe,σe27℃=2.240×10-5(Ω·cm)-1,σe300℃=4.476×10-3(Ω·cm)-1。实验证明,室温下材料为固体电解质,300℃附近为良好的离子与电子混合导体。
本文用固相反应烧结制备出Li2Mo2O6多晶材料。经X射线分析、红外光谱和电子顺磁共振谱(EPR)的研究,确定了它的结构是Li2Mo2O4和MoO2两个晶相组成的烧结体。钼离子以四价状态存在于MoO2晶相结构中。采用交流阻抗谱分析了晶界与温度变化的相关性。测得了样品的ln(σ总T)-1/T 曲线是由两段直线和一段曲线所组成;总电导率化能σ27℃=1.36×10-3(Ω·cm)-1,σ115℃=1.49×10-3(Ω·cm)-1,σ300℃=9.71×10-3(Ω·cm)-1,σ370℃=2.42×10-3(Ω·cm)-1;电导活化能E1=0.043eV,E2=0.235eV,E平均=0.76eV。采用维格纳极化电池法测得电子电导率σe,σe27℃=2.240×10-5(Ω·cm)-1,σe300℃=4.476×10-3(Ω·cm)-1。实验证明,室温下材料为固体电解质,300℃附近为良好的离子与电子混合导体。
1990, 39(6): 115-120.
doi: 10.7498/aps.39.115
摘要:
本文介绍了低能电子衍射动力学计算中的倍层法,并用之计算了碱金属诱导的Cu(110)-(1×2)再构表面结构。计算结果表明,顶层原子向内收缩至1.13?的失排结构为最可靠结构。
本文介绍了低能电子衍射动力学计算中的倍层法,并用之计算了碱金属诱导的Cu(110)-(1×2)再构表面结构。计算结果表明,顶层原子向内收缩至1.13?的失排结构为最可靠结构。
1990, 39(6): 121-127.
doi: 10.7498/aps.39.121-2
摘要:
本文用X射线及电子衍射结构分析对金刚石和石墨单晶表面覆盖沉积铬进行了研究。将细颗粒金刚石或者高定向石墨片埋在经真空去气处理的电解铬粉中,在10-5—10-6Torr真空条件下,经高于900℃热处理,在金刚石及高定向石墨表面外延生长了Cr3C2和Cr7C3。对碳化铬生长的条件及覆盖沉积外延生长的物理机制进行了讨论。
本文用X射线及电子衍射结构分析对金刚石和石墨单晶表面覆盖沉积铬进行了研究。将细颗粒金刚石或者高定向石墨片埋在经真空去气处理的电解铬粉中,在10-5—10-6Torr真空条件下,经高于900℃热处理,在金刚石及高定向石墨表面外延生长了Cr3C2和Cr7C3。对碳化铬生长的条件及覆盖沉积外延生长的物理机制进行了讨论。
1990, 39(6): 128-134.
doi: 10.7498/aps.39.128
摘要:
本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V4-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η2及其s特征α2,和超精细相互作用常数,确定V4-处于深能级为0.78eV的A1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V4-的单个悬挂键上的η2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V4-的势分布向一侧有较大偏重所致。
本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V4-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η2及其s特征α2,和超精细相互作用常数,确定V4-处于深能级为0.78eV的A1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V4-的单个悬挂键上的η2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V4-的势分布向一侧有较大偏重所致。
1990, 39(6): 135-141.
doi: 10.7498/aps.39.135
摘要:
本文提供了一种在GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)材料的直接带边附近折射率参数色散关系的获得方法。其特点是在多层介质膜系统中用光学传递矩阵对MQW进行处理的基础上引入室温激子振荡因子,然后对材料的实验反射谱进行拟合。这种色散关系对于光电器件设计及其理论期望来讲是十分重要的。这种方法除能得到折射率实部与虚部的色散关系外,还可得到激子共振吸收谱。
本文提供了一种在GaAs/GaAlAs多量子阱(MQW)材料的直接带边附近折射率参数色散关系的获得方法。其特点是在多层介质膜系统中用光学传递矩阵对MQW进行处理的基础上引入室温激子振荡因子,然后对材料的实验反射谱进行拟合。这种色散关系对于光电器件设计及其理论期望来讲是十分重要的。这种方法除能得到折射率实部与虚部的色散关系外,还可得到激子共振吸收谱。
1990, 39(6): 142-150.
doi: 10.7498/aps.39.142
摘要:
本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs异质结构中的谷间电子转移效应。计入每一异质结界面上的能带交错,谷间耦合和电场的贡献,导出了计算异质结构隧穿概率和隧道电流的公式。以GaAs/AlGaAs异质结构为例,算出不同结构、不同合金组分比及不同电压下的隧穿概率和隧道电流。讨论了异质结界面、势阱和势垒材料的能带结构以及外加电压对谷间电子转移效应的影响。算得的隧道电流同实验结果相符合,证实了这一理论在研究多能谷系统中的适用性。在此基础上进一步分析了这一谷间电子转移效应与熟知的Gunn效应间的区别,并讨论了它在半导体器件设计中的应用。
本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs异质结构中的谷间电子转移效应。计入每一异质结界面上的能带交错,谷间耦合和电场的贡献,导出了计算异质结构隧穿概率和隧道电流的公式。以GaAs/AlGaAs异质结构为例,算出不同结构、不同合金组分比及不同电压下的隧穿概率和隧道电流。讨论了异质结界面、势阱和势垒材料的能带结构以及外加电压对谷间电子转移效应的影响。算得的隧道电流同实验结果相符合,证实了这一理论在研究多能谷系统中的适用性。在此基础上进一步分析了这一谷间电子转移效应与熟知的Gunn效应间的区别,并讨论了它在半导体器件设计中的应用。
1990, 39(6): 151-156.
doi: 10.7498/aps.39.151
摘要:
测量了三维非晶ZrCo的低温电阻和磁阻。磁阻的测量结果可以通过超导涨落和弱定域化两个效应的贡献来解释。实验上观测到的顺电导与Maki-Thompson(M-T)和Aslamzov-Larkin(A-L)两项贡献之和相符合。
测量了三维非晶ZrCo的低温电阻和磁阻。磁阻的测量结果可以通过超导涨落和弱定域化两个效应的贡献来解释。实验上观测到的顺电导与Maki-Thompson(M-T)和Aslamzov-Larkin(A-L)两项贡献之和相符合。
1990, 39(6): 157-162.
doi: 10.7498/aps.39.157
摘要:
提出了有效钉扎力的概念,并由此建立了描述有大量内界面的陶瓷样品滞迴行为的方法。测量了烧结YBaCuO陶瓷样品的剩余磁化强度与磁化场及温度的关系,并用有效钉扎力方法从中萃取了有效钉扎力,它有两项:一项与磁化电流相联系,并受界面间的弱连接控制;另一项来自颗粒体内的钉扎中心控制。弱外磁场中前一种起主要作用,强场中后一种居主导。
提出了有效钉扎力的概念,并由此建立了描述有大量内界面的陶瓷样品滞迴行为的方法。测量了烧结YBaCuO陶瓷样品的剩余磁化强度与磁化场及温度的关系,并用有效钉扎力方法从中萃取了有效钉扎力,它有两项:一项与磁化电流相联系,并受界面间的弱连接控制;另一项来自颗粒体内的钉扎中心控制。弱外磁场中前一种起主要作用,强场中后一种居主导。
1990, 39(6): 163-168.
doi: 10.7498/aps.39.163-3
摘要:
基于单离子模型,详细分析了Ho2Fe14B化合物在T=0K沿[100],[110]和[001]轴磁化时,Ho和Fe次晶格的磁化过程。预测了该化合物在T=0K高达2000 kOe的磁场中沿主晶轴的磁化曲线。
基于单离子模型,详细分析了Ho2Fe14B化合物在T=0K沿[100],[110]和[001]轴磁化时,Ho和Fe次晶格的磁化过程。预测了该化合物在T=0K高达2000 kOe的磁场中沿主晶轴的磁化曲线。
1990, 39(6): 169-174.
doi: 10.7498/aps.39.169-2
摘要:
本文中研究了从Nd14Fe78B8过渡到Nd14Fe78C8时化合物的晶体结构与内禀磁性。指出轻稀土-Fe-C化合物形成P42/mnm型四方结构的结晶学条件在于适当的热处理温度。在Nd14Fe78B8-xCx系列中,随着C含量的增加,居里温度略有减少,饱和磁化强度σs出现一个平缓的峰值变化,室温下的剩磁σr、内禀矫顽力 iHe和磁晶各向异性场Ha都明显增大。含碳样品的各向异性行为与Nd-Fe-B相似,室温下易磁化方向沿e轴,低温下易轴各向异性转变成易锥型。自旋再取向温度随C的增加逐渐降低,但1.5K下的锥角有轻微的增大,这表明在Nd和Fe次晶格的各向异性之间存在着复杂的耦合。此外,适当富Nd的Nd-Fe-C化合物有强的各向异性。
本文中研究了从Nd14Fe78B8过渡到Nd14Fe78C8时化合物的晶体结构与内禀磁性。指出轻稀土-Fe-C化合物形成P42/mnm型四方结构的结晶学条件在于适当的热处理温度。在Nd14Fe78B8-xCx系列中,随着C含量的增加,居里温度略有减少,饱和磁化强度σs出现一个平缓的峰值变化,室温下的剩磁σr、内禀矫顽力 iHe和磁晶各向异性场Ha都明显增大。含碳样品的各向异性行为与Nd-Fe-B相似,室温下易磁化方向沿e轴,低温下易轴各向异性转变成易锥型。自旋再取向温度随C的增加逐渐降低,但1.5K下的锥角有轻微的增大,这表明在Nd和Fe次晶格的各向异性之间存在着复杂的耦合。此外,适当富Nd的Nd-Fe-C化合物有强的各向异性。
