2002年 51卷 第8期
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2002, 51(8): 1661-1665.
doi: 10.7498/aps.51.1661
摘要:
提出了经典非保守动力学系统守恒定律构成的一般途径.首先,给出积分因子的定义.其次,详细地研究了守恒量存在的必要条件,建立了完整非保守系统Raitzin正则运动方程的守恒定理及其逆定理,并举例说明结果的应用
提出了经典非保守动力学系统守恒定律构成的一般途径.首先,给出积分因子的定义.其次,详细地研究了守恒量存在的必要条件,建立了完整非保守系统Raitzin正则运动方程的守恒定理及其逆定理,并举例说明结果的应用
2002, 51(8): 1666-1670.
doi: 10.7498/aps.51.1666
摘要:
研究了具有单面约束的Birkhoff系统在小扰动作用下对称性的摄动与不变量之间的关系.首先,建立了系统的运动微分方程,给出了系统的精确不变量;其次,基于力学系统的高阶绝热不变量的概念,得到了系统的绝热不变量存在的条件及其形式;最后,举例说明结果的应用
研究了具有单面约束的Birkhoff系统在小扰动作用下对称性的摄动与不变量之间的关系.首先,建立了系统的运动微分方程,给出了系统的精确不变量;其次,基于力学系统的高阶绝热不变量的概念,得到了系统的绝热不变量存在的条件及其形式;最后,举例说明结果的应用
2002, 51(8): 1671-1674.
doi: 10.7498/aps.51.1671
摘要:
进一步拓广使用齐次平衡法并对关键的操作步骤进行了改进,从而简便地求出了色散长波方程和变形色散水波方程的一种新的特殊形状的多孤子解。而张解放等得到的多孤子解是本文结果的特殊情况
进一步拓广使用齐次平衡法并对关键的操作步骤进行了改进,从而简便地求出了色散长波方程和变形色散水波方程的一种新的特殊形状的多孤子解。而张解放等得到的多孤子解是本文结果的特殊情况
2002, 51(8): 1675-1683.
doi: 10.7498/aps.51.1675
摘要:
针对量子系统的联合消相干模型,可以找到一些不受消相干错误影响的系统状态,这种状态被称为相干保持态,所有相干保持态构成的空间就称为无消相干子空间(decoherencefreesubspace,缩写为DFS).利用DFS的特性可以实现自动容错的量子避错码.首先提出一种DFS的定义,并且以定理的形式证明其他DFS的定义都是等价的.然后给出了DFS的存在性定理.最后利用群论的方法设计一种构造DFS的简单方法
针对量子系统的联合消相干模型,可以找到一些不受消相干错误影响的系统状态,这种状态被称为相干保持态,所有相干保持态构成的空间就称为无消相干子空间(decoherencefreesubspace,缩写为DFS).利用DFS的特性可以实现自动容错的量子避错码.首先提出一种DFS的定义,并且以定理的形式证明其他DFS的定义都是等价的.然后给出了DFS的存在性定理.最后利用群论的方法设计一种构造DFS的简单方法
2002, 51(8): 1684-1689.
doi: 10.7498/aps.51.1684
摘要:
通过分析各种情况下B92量子密钥分配协议的密钥分配和安全性指标,得出采用非对称信源实现B92协议可以在不损失安全性能的前提下极大提高密钥分配的效率.系统分析了非对称B92协议参量选择与性能之间的约束关系,给出了各种情况下的最优参量,同时比较了不同情况相应的密钥分配效率和安全性指标,获得了一种实现全局最优的非对称B92密钥分配协议
通过分析各种情况下B92量子密钥分配协议的密钥分配和安全性指标,得出采用非对称信源实现B92协议可以在不损失安全性能的前提下极大提高密钥分配的效率.系统分析了非对称B92协议参量选择与性能之间的约束关系,给出了各种情况下的最优参量,同时比较了不同情况相应的密钥分配效率和安全性指标,获得了一种实现全局最优的非对称B92密钥分配协议
2002, 51(8): 1690-1695.
doi: 10.7498/aps.51.1690
摘要:
提出了一种施加多个凹槽滤波器反馈控制混沌系统的方法,使混沌运动转化为规则的运动.多凹槽滤波器控制是一种具有固定参数的线性反馈控制方法,它不影响原系统的参数,截断了系统从倍周期分叉通向混沌的道路.同时,用Melnikov方法进行理论分析,给出了合适的反馈控制器的参数.将多凹槽滤波器应用于典型的混沌系统,其仿真结果表明了该控制方法的有效性与可行性
提出了一种施加多个凹槽滤波器反馈控制混沌系统的方法,使混沌运动转化为规则的运动.多凹槽滤波器控制是一种具有固定参数的线性反馈控制方法,它不影响原系统的参数,截断了系统从倍周期分叉通向混沌的道路.同时,用Melnikov方法进行理论分析,给出了合适的反馈控制器的参数.将多凹槽滤波器应用于典型的混沌系统,其仿真结果表明了该控制方法的有效性与可行性
2002, 51(8): 1696-1699.
doi: 10.7498/aps.51.1696
摘要:
提出了一种实现原子物质波干涉的新设想.采用一个菲涅耳波带片来压缩原子束线宽,以此照明一块刻有四缝的铜箔,观察原子束的干涉和全息现象,用来测量原子束的时间相干长度
提出了一种实现原子物质波干涉的新设想.采用一个菲涅耳波带片来压缩原子束线宽,以此照明一块刻有四缝的铜箔,观察原子束的干涉和全息现象,用来测量原子束的时间相干长度
2002, 51(8): 1700-1705.
doi: 10.7498/aps.51.1700
摘要:
利用非对称核物质状态方程及同位旋相关的量子分子动力学(IQMD)模型对中能重离子碰撞中的同位旋相分比(isospinfractionation)现象进行了研究.给出了同位旋相分比现象的一种静态解释.并详细分析了各种动力学因素对同位旋相分比的影响.同时,也讨论了同位旋相分比的同位旋效应
利用非对称核物质状态方程及同位旋相关的量子分子动力学(IQMD)模型对中能重离子碰撞中的同位旋相分比(isospinfractionation)现象进行了研究.给出了同位旋相分比现象的一种静态解释.并详细分析了各种动力学因素对同位旋相分比的影响.同时,也讨论了同位旋相分比的同位旋效应
2002, 51(8): 1706-1710.
doi: 10.7498/aps.51.1706
摘要:
用四个点电荷构造一个简单、新颖的静电势阱,并基于含时薛定谔方程和有限差分时间域方法,研究冷原子在该势阱中的量子力学效应.以中性铷原子为例,给出了原子和静电场系统的含时波函数,基态本征能量和本征波函数.结果表明,在这样的静电势阱中,囚禁中性冷原子是完全可能的.所得结果对实验上构造类似的静电势阱捕获中性冷原子有重要指导意义
用四个点电荷构造一个简单、新颖的静电势阱,并基于含时薛定谔方程和有限差分时间域方法,研究冷原子在该势阱中的量子力学效应.以中性铷原子为例,给出了原子和静电场系统的含时波函数,基态本征能量和本征波函数.结果表明,在这样的静电势阱中,囚禁中性冷原子是完全可能的.所得结果对实验上构造类似的静电势阱捕获中性冷原子有重要指导意义
2002, 51(8): 1711-1715.
doi: 10.7498/aps.51.1711
摘要:
采用真空感应熔炼的方法制备出含B量为0.15%—0.55%的低合金钢.通过X射线衍射技术和穆斯堡尔谱分析技术,研究了其中B与Fe元素作用的微结构.确定了穆斯堡尔谱的基本参量———化学位移(IS)、四极分裂(QS)、内磁场(Hhf)随高硼钢成分变化的规律.研究结果表明,B元素少部分固溶在αFe中,大部分与Fe形成Fe2B和FeB.分析了B和Fe原子核外电子结构的变化特征及超精细结构变化的原因
采用真空感应熔炼的方法制备出含B量为0.15%—0.55%的低合金钢.通过X射线衍射技术和穆斯堡尔谱分析技术,研究了其中B与Fe元素作用的微结构.确定了穆斯堡尔谱的基本参量———化学位移(IS)、四极分裂(QS)、内磁场(Hhf)随高硼钢成分变化的规律.研究结果表明,B元素少部分固溶在αFe中,大部分与Fe形成Fe2B和FeB.分析了B和Fe原子核外电子结构的变化特征及超精细结构变化的原因
2002, 51(8): 1716-1723.
doi: 10.7498/aps.51.1716
摘要:
对于晶体光轴平行于波导界面的结构,讨论了光在金属包层对称平面单轴晶体波导(波导层是单轴晶体,两个波导界面均为金属)内的传输特性.解析地得到了这种结构下波导模式场的精确解.模式场的性质因单轴晶体的性质不同而异.对于正单轴晶体,波导的主模是横电波,任何频率的光波均可激励该模式;当频率满足一定条件时,波导内传输单模,否则,将激励起高阶模式.高阶模既非TE波,也非TM波,而是两者耦合而成的混合模.对于负单轴晶体,波导的主模是一种混合模,该模式同样可被任何频率的光波所激励;当频率满足一定条件时,波导内传输单模,否则
对于晶体光轴平行于波导界面的结构,讨论了光在金属包层对称平面单轴晶体波导(波导层是单轴晶体,两个波导界面均为金属)内的传输特性.解析地得到了这种结构下波导模式场的精确解.模式场的性质因单轴晶体的性质不同而异.对于正单轴晶体,波导的主模是横电波,任何频率的光波均可激励该模式;当频率满足一定条件时,波导内传输单模,否则,将激励起高阶模式.高阶模既非TE波,也非TM波,而是两者耦合而成的混合模.对于负单轴晶体,波导的主模是一种混合模,该模式同样可被任何频率的光波所激励;当频率满足一定条件时,波导内传输单模,否则
2002, 51(8): 1724-1729.
doi: 10.7498/aps.51.1724
摘要:
采用平板几何对不同磁场强度下等离子体对电磁波的吸收、反射和透射特性进行了数值分析.结果表明,不同磁场可以显著改变等离子体对不同频率的雷达波的吸收和反射特性.当雷达波频率接近等离子体高混杂频率时,磁化等离子体将对该波产生强的共振吸收,带宽在2GHz左右,吸收比可达90%以上.因此,通过适当调整磁场强度、等离子体密度和碰撞频率,可实现较宽雷达波段的等离子体隐身
采用平板几何对不同磁场强度下等离子体对电磁波的吸收、反射和透射特性进行了数值分析.结果表明,不同磁场可以显著改变等离子体对不同频率的雷达波的吸收和反射特性.当雷达波频率接近等离子体高混杂频率时,磁化等离子体将对该波产生强的共振吸收,带宽在2GHz左右,吸收比可达90%以上.因此,通过适当调整磁场强度、等离子体密度和碰撞频率,可实现较宽雷达波段的等离子体隐身
2002, 51(8): 1730-1735.
doi: 10.7498/aps.51.1730
摘要:
建议了一种利用单个囚禁冷却离子实现基本量子逻辑门操作(单比特门和两比特受控旋转门)的理论方法,通过数值计算给出了各种相关实验参量的合理设置要求.在这一方案中,量子逻辑门的操作既不要求离子辅助能级的参与,也不限定只在弱耦合的LambDicke区内进行,因而将更容易地为实验所实现
建议了一种利用单个囚禁冷却离子实现基本量子逻辑门操作(单比特门和两比特受控旋转门)的理论方法,通过数值计算给出了各种相关实验参量的合理设置要求.在这一方案中,量子逻辑门的操作既不要求离子辅助能级的参与,也不限定只在弱耦合的LambDicke区内进行,因而将更容易地为实验所实现
2002, 51(8): 1736-1738.
doi: 10.7498/aps.51.1736
摘要:
报道了一种激光二极管抽运、KTP倍频的Nd∶YVO4激光器,采用折叠腔,实现了稳定的高输出单频倍频运转,绿光输出功率达到102mW,转换效率为10.7
报道了一种激光二极管抽运、KTP倍频的Nd∶YVO4激光器,采用折叠腔,实现了稳定的高输出单频倍频运转,绿光输出功率达到102mW,转换效率为10.7
2002, 51(8): 1739-1742.
doi: 10.7498/aps.51.1739
摘要:
在考虑体系内部相互作用非均匀性的基础上,从不可逆过程热力学的角度,在铁电领域重新引入“分子场”的概念,并给出了“分子场”所满足的热力学方程及物性方程.对铁电相变中的局域性质作了深入探讨
在考虑体系内部相互作用非均匀性的基础上,从不可逆过程热力学的角度,在铁电领域重新引入“分子场”的概念,并给出了“分子场”所满足的热力学方程及物性方程.对铁电相变中的局域性质作了深入探讨
2002, 51(8): 1743-1749.
doi: 10.7498/aps.51.1743
摘要:
通过对平板边界层流动中的测量数据的仔细分析,证实了在平板边界层的湍流发生的过程中存在着奇怪吸引子.将这一结论与先前的转捩动力学分析结果相比较,证明了湍流的发生本身具有着混沌动力学本质,从而在平板边界层中的湍流发生与混沌之间建立了联系
通过对平板边界层流动中的测量数据的仔细分析,证实了在平板边界层的湍流发生的过程中存在着奇怪吸引子.将这一结论与先前的转捩动力学分析结果相比较,证明了湍流的发生本身具有着混沌动力学本质,从而在平板边界层中的湍流发生与混沌之间建立了联系
2002, 51(8): 1750-1754.
doi: 10.7498/aps.51.1750
摘要:
研究腔靶辐射温度与靶型及激光辐照条件的关系.实验利用神光Ⅱ基频光,激光能量为3—5kJ8束,脉宽为0.6—0.9ns打Au腔靶.采用滤片x射线二极管(XRD)阵列谱仪及平响应x射线二极管(PXRD)分别测量腔靶诊断口辐射软x射线强度谱及其角分布,给出了等效辐射温度为140—180eV.同时,利用多针孔时、空分辨成像技术,观测诊断口发射软x射线时空特性,实验现象表明两种诊断口(衬Be环与无Be环)在160—170eV辐射温度条件下,辐射烧蚀产生的等离子体云均对腔内发射x射线流形成一定程度的阻挡作用,数据处理
研究腔靶辐射温度与靶型及激光辐照条件的关系.实验利用神光Ⅱ基频光,激光能量为3—5kJ8束,脉宽为0.6—0.9ns打Au腔靶.采用滤片x射线二极管(XRD)阵列谱仪及平响应x射线二极管(PXRD)分别测量腔靶诊断口辐射软x射线强度谱及其角分布,给出了等效辐射温度为140—180eV.同时,利用多针孔时、空分辨成像技术,观测诊断口发射软x射线时空特性,实验现象表明两种诊断口(衬Be环与无Be环)在160—170eV辐射温度条件下,辐射烧蚀产生的等离子体云均对腔内发射x射线流形成一定程度的阻挡作用,数据处理
2002, 51(8): 1755-1758.
doi: 10.7498/aps.51.1755
摘要:
在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,通过类铜组态3d9nln′l′(n′=4,5,6;l′=s,p,d),理论计算出类镍Dy38+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度002—50keV范围内的变化规律,分析了不同离化度离子的能级特征,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参量
在自旋轨道劈裂阵模型(SOSA)下,通过类铜组态3d9nln′l′(n′=4,5,6;l′=s,p,d),理论计算出类镍Dy38+的双电子复合速率系数,得出其在电子温度002—50keV范围内的变化规律,分析了不同离化度离子的能级特征,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的中间自电离态旁观电子主量子数、旁观电子角动量和电离能,这为实现等离子体的诊断提供了重要的参量
2002, 51(8): 1759-1763.
doi: 10.7498/aps.51.1759
摘要:
采用粉末冶金方法,制备出波阻抗沿厚度方向呈特定分布的WMoTi体系梯度飞片,在二级轻气炮上进行了梯度飞片击靶实验的初步研究.结果表明,利用梯度飞片可以实现对靶样品的准等熵压缩,击靶后产生的波阵面是平缓、连续上升的,明显不同于冲击压缩的陡峭波阵面,靶面压力峰值最高达到了167GPa.波阻抗按二次函数分布的梯度飞片能够获得最佳的击靶波形
采用粉末冶金方法,制备出波阻抗沿厚度方向呈特定分布的WMoTi体系梯度飞片,在二级轻气炮上进行了梯度飞片击靶实验的初步研究.结果表明,利用梯度飞片可以实现对靶样品的准等熵压缩,击靶后产生的波阵面是平缓、连续上升的,明显不同于冲击压缩的陡峭波阵面,靶面压力峰值最高达到了167GPa.波阻抗按二次函数分布的梯度飞片能够获得最佳的击靶波形
2002, 51(8): 1764-1767.
doi: 10.7498/aps.51.1764
摘要:
利用高强度超短脉冲激光与铝靶相互作用可以产生高能超热电子,这些超热电子入射到铝单晶上时将发生衍射.对高强度超短脉冲激光产生的超热电子与晶体的相互作用产生衍射及利用这样的衍射进行晶体结构分析的可行性进行了探讨
利用高强度超短脉冲激光与铝靶相互作用可以产生高能超热电子,这些超热电子入射到铝单晶上时将发生衍射.对高强度超短脉冲激光产生的超热电子与晶体的相互作用产生衍射及利用这样的衍射进行晶体结构分析的可行性进行了探讨
2002, 51(8): 1768-1772.
doi: 10.7498/aps.51.1768
摘要:
利用高速摄影法对水中放电等离子体通道的边界层进行了研究,结果表明,当输入到单位长度通道内的功率密度较小时,通道边界存在较厚的过渡层,其亮度明显小于通道中间部分.根据等离子体通道的高速阴影照片指出该通道沿轴向具有非均匀性.另外,还给出了等离子体气泡最后破裂时的高速阴影照片,并对气泡破裂过程作了初步的探讨
利用高速摄影法对水中放电等离子体通道的边界层进行了研究,结果表明,当输入到单位长度通道内的功率密度较小时,通道边界存在较厚的过渡层,其亮度明显小于通道中间部分.根据等离子体通道的高速阴影照片指出该通道沿轴向具有非均匀性.另外,还给出了等离子体气泡最后破裂时的高速阴影照片,并对气泡破裂过程作了初步的探讨
2002, 51(8): 1773-1777.
doi: 10.7498/aps.51.1773
摘要:
应用同步辐射小角x射线散射(SAXS)方法研究了不同聚合条件下苯乙烯对乙烯基苯甲酸两亲性嵌段聚合物的聚集行为,结果发现该聚合物在选择性溶液中自组装形成胶束.胶束的形态和结构取决于嵌段聚合物的组成、浓度以及溶剂的性质等因素
应用同步辐射小角x射线散射(SAXS)方法研究了不同聚合条件下苯乙烯对乙烯基苯甲酸两亲性嵌段聚合物的聚集行为,结果发现该聚合物在选择性溶液中自组装形成胶束.胶束的形态和结构取决于嵌段聚合物的组成、浓度以及溶剂的性质等因素
2002, 51(8): 1778-1783.
doi: 10.7498/aps.51.1778
摘要:
利用经典分子动力学模型,发现C60进入单壁碳纳米管(SWNTs)形成(C60)n@SWNTs的吸入和俘获机理.揭示了吸入和俘获势垒只局域于SWNTs的管口区,而在SWNTs的管内区,C60沿管轴方向的运动几乎不受力.最后,系统地计算了吸入和俘获势垒随SWNTs管径的变化,发现只有当SWNTs的管径大于阈值1238nm时才能吸入C
利用经典分子动力学模型,发现C60进入单壁碳纳米管(SWNTs)形成(C60)n@SWNTs的吸入和俘获机理.揭示了吸入和俘获势垒只局域于SWNTs的管口区,而在SWNTs的管内区,C60沿管轴方向的运动几乎不受力.最后,系统地计算了吸入和俘获势垒随SWNTs管径的变化,发现只有当SWNTs的管径大于阈值1238nm时才能吸入C
2002, 51(8): 1784-1787.
doi: 10.7498/aps.51.1784
摘要:
利用纯度为995%的Al片进行阳极氧化,制成多孔氧化铝,通过两步纳米复合,制备了金属Co纳米孔洞模板.分别用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品进行了测试分析TEM观察的结果显示,模板孔洞分布均匀、局域有序,平均孔径为30nm左右,孔心距约为59nm;XRD测试的结果表明,模板是Co的多晶,并且具有明显的(002)取向;VSM测得模板的矫顽力为6164×104Am,比Co的块材有很大提高
利用纯度为995%的Al片进行阳极氧化,制成多孔氧化铝,通过两步纳米复合,制备了金属Co纳米孔洞模板.分别用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品进行了测试分析TEM观察的结果显示,模板孔洞分布均匀、局域有序,平均孔径为30nm左右,孔心距约为59nm;XRD测试的结果表明,模板是Co的多晶,并且具有明显的(002)取向;VSM测得模板的矫顽力为6164×104Am,比Co的块材有很大提高
2002, 51(8): 1788-1792.
doi: 10.7498/aps.51.1788
摘要:
采用了一种用离子束增强沉积从V2O5粉末直接制备VO2薄膜的新方法,将纯度为997%的V2O5粉末压成溅射靶,在用Ar离子束溅射的同时,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,使沉积膜中V2O5的V—O键断裂,进而被注入的氢还原,退火后获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜.高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力,使薄膜的转换温度降低、电阻温度曲线斜率变大,是薄膜TCR增大的原因
采用了一种用离子束增强沉积从V2O5粉末直接制备VO2薄膜的新方法,将纯度为997%的V2O5粉末压成溅射靶,在用Ar离子束溅射的同时,用氩氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,使沉积膜中V2O5的V—O键断裂,进而被注入的氢还原,退火后获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜.高剂量的氩氢混合束注入对薄膜引入应力,使薄膜的转换温度降低、电阻温度曲线斜率变大,是薄膜TCR增大的原因
2002, 51(8): 1793-1797.
doi: 10.7498/aps.51.1793
摘要:
报道了在蓝宝石(αAl2O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究.通过引入ⅢⅤ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在3549°和7502°发现了6HSiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的.扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵
报道了在蓝宝石(αAl2O3)衬底上采用atmosphericpressurechemicalvapor(APCVD)技术异质外延碳化硅薄膜材料的研究.通过引入ⅢⅤ族氮化物为中间的缓冲层,在C(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜,经过四晶衍射分析,分别在3549°和7502°发现了6HSiC(0006)面和(00012)晶面族的对称衍射峰,显示SiC薄膜的晶体取向与(0001)面的衬底是相同的.扫描电子显微镜(SEM)的观察显示薄膜表面连续、光滑,不要利用二次离子质谱仪(SIMS)方法对生长膜层在纵
2002, 51(8): 1798-1803.
doi: 10.7498/aps.51.1798
摘要:
建立了electronphononfield(EPF)电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的交流电导公式.通过计算具有20000—65000个格点的无序体系的交流电导率,分析了交流电导率与温度及外场频率的关系,讨论了无序度对交流电导的影响.计算结果表明,无序体系的交流电导率随外场频率的增加而近似线性的增大;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性,电导率随温度的升高而增大,在高温区电导率随温度的升高而减小;无序度对无序体系的交流电导影响明显:在低温区,无序度越小,体系的电导率越大;在高温区,适当增大无序度,
建立了electronphononfield(EPF)电子隧穿电导模型,推导了一维无序体系新的交流电导公式.通过计算具有20000—65000个格点的无序体系的交流电导率,分析了交流电导率与温度及外场频率的关系,讨论了无序度对交流电导的影响.计算结果表明,无序体系的交流电导率随外场频率的增加而近似线性的增大;无序体系在低温区出现了负微分电阻特性,电导率随温度的升高而增大,在高温区电导率随温度的升高而减小;无序度对无序体系的交流电导影响明显:在低温区,无序度越小,体系的电导率越大;在高温区,适当增大无序度,
2002, 51(8): 1804-1807.
doi: 10.7498/aps.51.1804
摘要:
采用分立漂移模型,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴和偶极电场畴的形成和输运.随着超晶格两端接触层掺杂浓度和阱中掺杂浓度的不同,可以得到单极畴、偶极畴以及单极畴与偶极畴共存
采用分立漂移模型,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴和偶极电场畴的形成和输运.随着超晶格两端接触层掺杂浓度和阱中掺杂浓度的不同,可以得到单极畴、偶极畴以及单极畴与偶极畴共存
2002, 51(8): 1808-1810.
doi: 10.7498/aps.51.1808
摘要:
利用热场动力学的方法研究了介观RLC电路在具有热噪声的真空态下电荷和磁通(电流)的量子涨落.从而得到了有限温度下这一电路在热真空态下的量子涨落与温度的关系.结果表明,介观RLC电路的量子涨落不仅与电路中的元件参量和电路的共振频率ω有关,而且与温度T有关.温度越高,介观RLC电路的量子噪声越大
利用热场动力学的方法研究了介观RLC电路在具有热噪声的真空态下电荷和磁通(电流)的量子涨落.从而得到了有限温度下这一电路在热真空态下的量子涨落与温度的关系.结果表明,介观RLC电路的量子涨落不仅与电路中的元件参量和电路的共振频率ω有关,而且与温度T有关.温度越高,介观RLC电路的量子噪声越大
2002, 51(8): 1811-1815.
doi: 10.7498/aps.51.1811
摘要:
通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出处于非晶微晶相变过渡区域的硅薄膜样品.测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50mW·cm-2的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到106.在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析.结果表明,在我们的样品制备条件下,当H2和SiH4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随
通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出处于非晶微晶相变过渡区域的硅薄膜样品.测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50mW·cm-2的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到106.在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析.结果表明,在我们的样品制备条件下,当H2和SiH4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随
2002, 51(8): 1816-1820.
doi: 10.7498/aps.51.1816
摘要:
测量了新型超导体MgCNi3(Tc=8K)的电阻率、正常态Hall效应和热电势等输运性质.电阻率温度曲线表明,在高于70K的温区可以用电声子散射的BlochGr櫣ｎｅｉｓｅｎ公式拟合.Hall系数RH和热电势S在Tc以上的整个温度范围都为负值,强烈表明MgCNi3的载流子类型为电子型.RH在从Tc到140K的温区内基本不随温度变化,但在140K到室温范围,RH随温度升高其绝对值减小,对RH的这种温度依赖关系进行了讨论.S在150K以上近似与温度成线性关系,而在150K以下显示非线性,用电声子相互作用的重整
测量了新型超导体MgCNi3(Tc=8K)的电阻率、正常态Hall效应和热电势等输运性质.电阻率温度曲线表明,在高于70K的温区可以用电声子散射的BlochGr櫣ｎｅｉｓｅｎ公式拟合.Hall系数RH和热电势S在Tc以上的整个温度范围都为负值,强烈表明MgCNi3的载流子类型为电子型.RH在从Tc到140K的温区内基本不随温度变化,但在140K到室温范围,RH随温度升高其绝对值减小,对RH的这种温度依赖关系进行了讨论.S在150K以上近似与温度成线性关系,而在150K以下显示非线性,用电声子相互作用的重整
2002, 51(8): 1821-1825.
doi: 10.7498/aps.51.1821
摘要:
在超导体铁磁体绝缘层超导体结(SFIS)中,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算铁磁超导共存态的自洽方程和SFIS结中的直流Josephson电流.研究表明,铁磁超导态的磁交换能h对准粒子的Andreev反射有抑制作用,使得SFIS结中的直流Josephson电流随铁磁超导共存态的磁交换能h增大而减弱
在超导体铁磁体绝缘层超导体结(SFIS)中,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和FurusakiTsukada(FT)电流公式,计算铁磁超导共存态的自洽方程和SFIS结中的直流Josephson电流.研究表明,铁磁超导态的磁交换能h对准粒子的Andreev反射有抑制作用,使得SFIS结中的直流Josephson电流随铁磁超导共存态的磁交换能h增大而减弱
2002, 51(8): 1826-1831.
doi: 10.7498/aps.51.1826
摘要:
测量了77K温度下不同基体材料和不同芯数带材的临界电流和交流损耗.分析了弯曲应变对它们的影响.结果表明单芯样品的不可逆应变小于0.15%,而多芯样品的不可逆应变在01%到03%之间,多芯导体的机械性能比单芯导体的好,增加芯数可以提高机械性能,金属包套材料对超导芯起到了增强的作用,它防止了超导芯中裂纹的进一步传播.自场损耗随外加应变的增加而增加,这种大幅度的增加与应变使带材的临界电流急剧减小直接相关
测量了77K温度下不同基体材料和不同芯数带材的临界电流和交流损耗.分析了弯曲应变对它们的影响.结果表明单芯样品的不可逆应变小于0.15%,而多芯样品的不可逆应变在01%到03%之间,多芯导体的机械性能比单芯导体的好,增加芯数可以提高机械性能,金属包套材料对超导芯起到了增强的作用,它防止了超导芯中裂纹的进一步传播.自场损耗随外加应变的增加而增加,这种大幅度的增加与应变使带材的临界电流急剧减小直接相关
2002, 51(8): 1832-1835.
doi: 10.7498/aps.51.1832
摘要:
测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型
测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型
2002, 51(8): 1836-1840.
doi: 10.7498/aps.51.1836
摘要:
报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=001,002)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0005,0010)薄膜的电阻率温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH(T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率温度特性定义的赝能隙打开的温度T分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T0,
报道了两类典型元素替代的超导Y123相体系-YBa2(Cu1-xCox)3O7-δ(x=001,002)和YBa2(Cu1-yZny)3O7-δ(y=0005,0010)薄膜的电阻率温度特性(ρ(T))和Hall效应(RH(T)).研究表明,Co掺杂的Y123相体系十分类似于氧欠掺杂的情况,对Co掺杂的薄膜样品,由电阻率温度特性定义的赝能隙打开的温度T分别为193和225K.而Zn掺杂的样品没有观察到赝能隙打开对电阻率温度特性的影响.由Hall效应的测量和Hall角(cotθH)定义了另一个特征温度T0,
2002, 51(8): 1841-1845.
doi: 10.7498/aps.51.1841
摘要:
用对向靶直流溅射系统制备了c轴垂直取向的钡铁氧体薄膜.用少量的Al来取代Fe,从而制备了成分为BaAlxFe12-xO19(x=0,1,2)的钡铁氧体薄膜.研究了Al取代Fe对其结晶学性能、磁学性能的影响.研究了退火效应及基板温度对薄膜性能的影响.获得了c轴垂直取向的具有高矫顽力和大矩形比的钡铁氧体薄膜
用对向靶直流溅射系统制备了c轴垂直取向的钡铁氧体薄膜.用少量的Al来取代Fe,从而制备了成分为BaAlxFe12-xO19(x=0,1,2)的钡铁氧体薄膜.研究了Al取代Fe对其结晶学性能、磁学性能的影响.研究了退火效应及基板温度对薄膜性能的影响.获得了c轴垂直取向的具有高矫顽力和大矩形比的钡铁氧体薄膜
2002, 51(8): 1846-1850.
doi: 10.7498/aps.51.1846
摘要:
通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明,真空退火对自旋阀的性质有影响.低于200℃的退火能有效的提高钉扎场;退火温度高于200℃时,自旋阀的钉扎场要下降,其他性能也恶化;在300℃时,钉扎场降为零,giantmagnetoresistance(GMR)现象消失.俄歇电子能谱仪(AES)的结果表明,在自旋阀多层膜中存在着晶界扩散
通过对退火后FeMn钉扎自旋阀磁性的研究表明,真空退火对自旋阀的性质有影响.低于200℃的退火能有效的提高钉扎场;退火温度高于200℃时,自旋阀的钉扎场要下降,其他性能也恶化;在300℃时,钉扎场降为零,giantmagnetoresistance(GMR)现象消失.俄歇电子能谱仪(AES)的结果表明,在自旋阀多层膜中存在着晶界扩散
2002, 51(8): 1851-1855.
doi: 10.7498/aps.51.1851
摘要:
利用高分辨电子显微学方法(HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(35nm)Ni80Fe20(2nm)Ir17Mn83(6nm)Co90Fe10(15nm)NOL1Co90Fe10(2nm)Cu(22nm)Co90Fe10(15nm)NOL2Ta(3nm).该自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应高达15%,较无此镜面反射纳米氧化层(NOL)的自旋阀提高近1倍,同时交换偏置场亦有所增强.高分辨显微结构分析表明,介于钉扎层与被钉扎层之间的氧化层(NOL1)并未完全氧化,即除氧化过程生成的CoFe氧化物
利用高分辨电子显微学方法(HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(35nm)Ni80Fe20(2nm)Ir17Mn83(6nm)Co90Fe10(15nm)NOL1Co90Fe10(2nm)Cu(22nm)Co90Fe10(15nm)NOL2Ta(3nm).该自旋阀的巨磁电阻(GMR)效应高达15%,较无此镜面反射纳米氧化层(NOL)的自旋阀提高近1倍,同时交换偏置场亦有所增强.高分辨显微结构分析表明,介于钉扎层与被钉扎层之间的氧化层(NOL1)并未完全氧化,即除氧化过程生成的CoFe氧化物
2002, 51(8): 1856-1860.
doi: 10.7498/aps.51.1856
摘要:
研究了(Na0.5Bi0.5)TiO3,(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO3和(Na0.5Bi0.5)(1-x)SrxTiO3陶瓷的介电温谱,确认了该系列材料在520℃以下的高、低温两种介电反常和存在于这一温度区间的巨大热滞现象.发现该类材料只存在对应于低温介电反常的介电损耗峰,而对于高温介电峰则无对应的损耗峰.同时,常温时材料的结构特征对于其介电温谱的特征影响较小,但施加偏置场却可明显改变材料的介电温谱特征:1)可使得材料的热滞现象几乎消失;2)适当偏置场下材料升降温介电曲线可与零偏场下介电
研究了(Na0.5Bi0.5)TiO3,(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO3和(Na0.5Bi0.5)(1-x)SrxTiO3陶瓷的介电温谱,确认了该系列材料在520℃以下的高、低温两种介电反常和存在于这一温度区间的巨大热滞现象.发现该类材料只存在对应于低温介电反常的介电损耗峰,而对于高温介电峰则无对应的损耗峰.同时,常温时材料的结构特征对于其介电温谱的特征影响较小,但施加偏置场却可明显改变材料的介电温谱特征:1)可使得材料的热滞现象几乎消失;2)适当偏置场下材料升降温介电曲线可与零偏场下介电
2002, 51(8): 1861-1864.
doi: 10.7498/aps.51.1861
摘要:
制备了Er3+Yb3+共掺微米级高折射率TiBa玻璃颗粒和微球,玻璃基材主要成分为TiO2BaCO3Ba(NO3)2CaCO3SiO2等,掺入1mol%Er2O3+3mol%Yb2O3.用976nm激光激发测量了它们的上转换绿光发射,发现当抽运功率大于30mW(功率密度约为1000W·cm-2)时,524nm峰的强度大于547nm峰的强度,随功率的增大,其强度差越来越大,实验判断,这是由于材料吸收抽运光而升温所致
制备了Er3+Yb3+共掺微米级高折射率TiBa玻璃颗粒和微球,玻璃基材主要成分为TiO2BaCO3Ba(NO3)2CaCO3SiO2等,掺入1mol%Er2O3+3mol%Yb2O3.用976nm激光激发测量了它们的上转换绿光发射,发现当抽运功率大于30mW(功率密度约为1000W·cm-2)时,524nm峰的强度大于547nm峰的强度,随功率的增大,其强度差越来越大,实验判断,这是由于材料吸收抽运光而升温所致
2002, 51(8): 1865-1869.
doi: 10.7498/aps.51.1865
摘要:
采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWPECRCVD)方法,使用不同的源气体(CHF3CH4,CHF3C2H2,CHF3C6H6)体系制备了aC∶F∶H薄膜.由于CH4,C2H2,C6H6气体在等离子体中的分解反应不同导致了薄膜的沉积速率和结构上的差异.红外吸收谱的结果表明,用C6H6CHF3作为源气体沉积的薄膜中几乎不含H,而用C2H2CHF3所沉积的薄膜中的含氟量最高,其相应的CF振动峰位向高频方向偏移.薄膜的真空退火结果表明,aC∶F∶H薄膜的热稳定性除了取决于薄膜的CC键浓度外,还与CC键
2002, 51(8): 1870-1874.
doi: 10.7498/aps.51.1870
摘要:
采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积(RFHFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪观测薄膜的表面形貌和粗糙度,x射线衍射(XRD)和Raman光谱表征膜层的结构,并用紫外可见近红外光谱仪测量其光透过率.实验结果表明,衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性、表面粗糙度及光透过率均有很大程度的影响,其最佳值分别为700℃,2×133Pa和200W.在该最佳参量下经1h的生长即获得连续、平滑的纳米金刚石膜,其平均晶粒尺寸为约25
采用射频等离子体增强的热丝化学气相沉积(RFHFCVD)技术在石英玻璃衬底上制备了表面光滑、晶粒致密均匀的纳米金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪观测薄膜的表面形貌和粗糙度,x射线衍射(XRD)和Raman光谱表征膜层的结构,并用紫外可见近红外光谱仪测量其光透过率.实验结果表明,衬底温度、反应气压及射频功率对金刚石膜的结晶习性、表面粗糙度及光透过率均有很大程度的影响,其最佳值分别为700℃,2×133Pa和200W.在该最佳参量下经1h的生长即获得连续、平滑的纳米金刚石膜,其平均晶粒尺寸为约25
2002, 51(8): 1875-1880.
doi: 10.7498/aps.51.1875
摘要:
利用强流脉冲离子束技术在Si基体上快速大面积沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250kV,束流密度为250A·cm-2,脉宽为80—100ns,能流密度为5J·cm-2的离子束(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上,使石墨靶材充分蒸发和电离,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积非晶的碳薄膜.Raman谱分析显示,所沉积薄膜为类金刚石薄膜.随着靶材与基体之间距离的减小,薄膜中sp3碳成分含量增加,同时硬度值也有所增大,并且薄膜的摩擦系数和表面粗糙度增加.x射线光电子能谱(XPS)分析显示薄膜中的sp3碳
利用强流脉冲离子束技术在Si基体上快速大面积沉积类金刚石(DLC)薄膜.电压为250kV,束流密度为250A·cm-2,脉宽为80—100ns,能流密度为5J·cm-2的离子束(主要由碳离子和氢离子组成)聚焦到石墨靶材上,使石墨靶材充分蒸发和电离,在石墨靶的法线方向的Si基体上沉积非晶的碳薄膜.Raman谱分析显示,所沉积薄膜为类金刚石薄膜.随着靶材与基体之间距离的减小,薄膜中sp3碳成分含量增加,同时硬度值也有所增大,并且薄膜的摩擦系数和表面粗糙度增加.x射线光电子能谱(XPS)分析显示薄膜中的sp3碳
2002, 51(8): 1881-1886.
doi: 10.7498/aps.51.1881
摘要:
采用水热法在玻璃基片上制备了TiO2薄膜.利用x射线衍射(XRD)、x射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试手段对所制备的TiO2薄膜的相结构、表面化学组成及形貌等进行了分析和表征,研究了不同水热条件对所制备TiO2薄膜的光吸收特性的影响.结果表明,所制备的薄膜为锐钛矿型TiO2,均匀、致密、无可视缺陷,具有优异的可见光透过性和紫外吸收特性
采用水热法在玻璃基片上制备了TiO2薄膜.利用x射线衍射(XRD)、x射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试手段对所制备的TiO2薄膜的相结构、表面化学组成及形貌等进行了分析和表征,研究了不同水热条件对所制备TiO2薄膜的光吸收特性的影响.结果表明,所制备的薄膜为锐钛矿型TiO2,均匀、致密、无可视缺陷,具有优异的可见光透过性和紫外吸收特性
2002, 51(8): 1887-1891.
doi: 10.7498/aps.51.1887
摘要:
首先用液流拉伸单分子DNA,使其吸附在修饰过的云母基片上.然后让二次液流沿着垂直于已拉伸的DNA的方向流过云母片,用原子力显微镜(AFM)观测,可见DNA单分子片段在基片上形成了一些纳米尺度的悬链线.提出一种“S悬桥”模型能定量地解释这一现象.该研究工作揭示,在DNA的单分子操作中,经典的弹性力学理论足以描述和控制DNA分子二维图形的形成
首先用液流拉伸单分子DNA,使其吸附在修饰过的云母基片上.然后让二次液流沿着垂直于已拉伸的DNA的方向流过云母片,用原子力显微镜(AFM)观测,可见DNA单分子片段在基片上形成了一些纳米尺度的悬链线.提出一种“S悬桥”模型能定量地解释这一现象.该研究工作揭示,在DNA的单分子操作中,经典的弹性力学理论足以描述和控制DNA分子二维图形的形成
2002, 51(8): 1892-1896.
doi: 10.7498/aps.51.1892
摘要:
研究由无限稀薄的靶粒子散布于有限浓度(体积分数为)的主粒子悬浮液中而组成的二分量带电胶体系统,计算了靶粒子的短时间平动和转动自扩散系数.当系统中的粒子浓度和电解质浓度都不太高时,只考虑流体力学相互作用对扩散张量的首项两体贡献.为了计算体系的对分布函数,在数值计算的基础上发展了一个等效硬球模型,近似地把主粒子和靶粒子看作等效半径为δEHS的相同硬球粒子.结果表明,靶粒子的自扩散系数随两种粒子尺寸比和主粒子体积分数变化的关系可以很好地用等效硬球模型来解释
研究由无限稀薄的靶粒子散布于有限浓度(体积分数为)的主粒子悬浮液中而组成的二分量带电胶体系统,计算了靶粒子的短时间平动和转动自扩散系数.当系统中的粒子浓度和电解质浓度都不太高时,只考虑流体力学相互作用对扩散张量的首项两体贡献.为了计算体系的对分布函数,在数值计算的基础上发展了一个等效硬球模型,近似地把主粒子和靶粒子看作等效半径为δEHS的相同硬球粒子.结果表明,靶粒子的自扩散系数随两种粒子尺寸比和主粒子体积分数变化的关系可以很好地用等效硬球模型来解释
2002, 51(8): 1897-1900.
doi: 10.7498/aps.51.1897
摘要:
利用改进的brickwall模型,给出了一类静态球对称黑洞Dirac场的熵,结果表明,在取相同的截断因子时,Dirac场的熵均为标量场的熵的72倍
利用改进的brickwall模型,给出了一类静态球对称黑洞Dirac场的熵,结果表明,在取相同的截断因子时,Dirac场的熵均为标量场的熵的72倍
2002, 51(8): 1901-1906.
doi: 10.7498/aps.51.1901
摘要:
从一般球对称带电蒸发黑洞的时空线元和零曲面方程出发,得到了该黑洞的视界;利用KleinGordon方程求得波数,进而采用WenzelKramersBrillouin近似方法和薄膜brickwall模型,求出了一般球对称带电蒸发黑洞的熵,所得的熵正好与该黑洞的视界面积成正比
从一般球对称带电蒸发黑洞的时空线元和零曲面方程出发,得到了该黑洞的视界;利用KleinGordon方程求得波数,进而采用WenzelKramersBrillouin近似方法和薄膜brickwall模型,求出了一般球对称带电蒸发黑洞的熵,所得的熵正好与该黑洞的视界面积成正比
