搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

半导体短程势深能级在浅能区的波函数行为

李名复 任尚元 茅德强

引用本文:
Citation:

半导体短程势深能级在浅能区的波函数行为

李名复, 任尚元, 茅德强

THE BEHAVIOR OF DEEP LEVEL WAVEFUNCTIONS IN SHALLOW ENERGY REGION

LI MING-FU, REN SHANG-YUAN, MAO DE-QIANG
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4764
  • PDF下载量:  405
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1983-06-13
  • 刊出日期:  1984-03-05

半导体短程势深能级在浅能区的波函数行为

  • 1. (1)中国科学技术大学物理系; (2)中国科学技术大学研究生院

摘要: 本文对短程缺陷势深能级在能量趋向禁带边缘时波函数的行为作了研究。当深能级能量与禁带边能量差ε很小时,在一定的能量和对称性条件满足下,波函数在k空间向极值收缩而在实空间扩展。本文发展了一种方法可有效地用于ε很小时的波函数数值计算。对于靠近导带的A1态波函数,对于出Si,当ε小于2meV时,开始显著地在k空间收缩;对于GaAs,直至ε=0.1meV还未发生显著收缩。发生显著收缩对应的ε值与有效质量以及缺陷态和能带边波函数对称性匹配度有灵敏的关系。对于靠近价带顶的A1态,由于与价带顶对称性不匹配,不发生k空间收缩现象。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回