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薄介质膜击穿全过程的探讨

陈斗南

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薄介质膜击穿全过程的探讨

陈斗南

A RESEARCH FOR THE ENTIRE BREAKDOWN PROCEDURE IN THIN DIELECTRIC FILMS

CHEN DOU-NAN
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  • 本文提出了一个用于解释介质膜击穿全过程的新模型。在本模型中,整个击穿过程主要包含两个机构,一个是本征型的雪崩击穿,另一个是引起膜的破坏性击穿的丝状热传递。理论分析及有关的实验结果表明,本征击穿的电场强度主要取决于介质膜的带隙宽度及膜的厚度,而丝状热传递主要决定于膜的质量,特别是膜中的缺陷。文中简要讨论了膜的物理性质、工艺及测试条件对击穿的影响。
    A new model used to interpret the phenomena of dielectric breakdown is proposed over the whole range of applied field. There are two main mechanisms that one of which is the avalanche breakdown, so-call intrinsic type, and the other is the filament heating transport leading to the destructive breakdown exist in the breakdown process. The theoretical analysis and the experimental data indicate that the field strength of intrinsic breakdown depends on the band gap and the thickness of film, but the filament heating transport which induces a destructive breakdown depends on the properties of film. In particular, the defect is the main origin leading to the occurrence of destructive breakdown. In addition, the effect of various physical parameters, testing conditions and process factors on the breakdown are discussed briefly.
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-08-05
  • 刊出日期:  2005-03-18

薄介质膜击穿全过程的探讨

  • 1. 华南工学院物理系

摘要: 本文提出了一个用于解释介质膜击穿全过程的新模型。在本模型中,整个击穿过程主要包含两个机构,一个是本征型的雪崩击穿,另一个是引起膜的破坏性击穿的丝状热传递。理论分析及有关的实验结果表明,本征击穿的电场强度主要取决于介质膜的带隙宽度及膜的厚度,而丝状热传递主要决定于膜的质量,特别是膜中的缺陷。文中简要讨论了膜的物理性质、工艺及测试条件对击穿的影响。

English Abstract

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