[1] |
郑晓虎, 张建峰, 杜瑞瑞. InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究. 物理学报,
2022, 71(18): 186401.
doi: 10.7498/aps.71.20221024
|
[2] |
张杨, 黄燕, 陈效双, 陆卫. InSb(110)表面S,O原子吸附的第一性原理研究. 物理学报,
2013, 62(20): 206102.
doi: 10.7498/aps.62.206102
|
[3] |
冯卫, 赵爱迪. 钴原子及其团簇在Rh(111)和Pd(111)表面的扫描隧道显微学研究. 物理学报,
2012, 61(17): 173601.
doi: 10.7498/aps.61.173601
|
[4] |
袁健美, 郝文平, 李顺辉, 毛宇亮. Ni(111)表面C原子吸附的密度泛函研究. 物理学报,
2012, 61(8): 087301.
doi: 10.7498/aps.61.087301
|
[5] |
贾瑜, 马丙现, 胡行, 顾华伟, 李新建. InSb(211)A,B表面电子结构特性. 物理学报,
2000, 49(2): 318-323.
doi: 10.7498/aps.49.318
|
[6] |
范朝阳, 张训生, 唐景昌, 隋华, 徐亚伯, 徐世红, 潘海斌, 徐彭寿. Na/Si(111)3×1表面的NEXAFS研究. 物理学报,
1997, 46(5): 953-958.
doi: 10.7498/aps.46.953
|
[7] |
张海峰, 李永平, 方容川, 班大雁. CdTe(111)表面碱金属吸附的电子结构特性研究. 物理学报,
1996, 45(12): 2047-2053.
doi: 10.7498/aps.45.2047
|
[8] |
陆尔东, 徐彭寿, 余小江, 徐世红, 潘海斌, 张新夷. GaAs(100)表面硫钝化的新方法:CH3CSNH2/NH4OH处理. 物理学报,
1996, 45(4): 715-720.
doi: 10.7498/aps.45.715
|
[9] |
班大雁, 张海峰, 李永平, 方容川. ZnS(111)表面电子结构研究. 物理学报,
1996, 45(9): 1526-1535.
doi: 10.7498/aps.45.1526
|
[10] |
李永平, 方容川, 杨凤源, 张海峰. CdTe(111)表面的稳定性研究. 物理学报,
1995, 44(5): 788-794.
doi: 10.7498/aps.44.788
|
[11] |
陆春明, 李喆深, 董国胜, 任静, 龚雅谦. 化学腐蚀和硫处理对InSb(111)表面的影响. 物理学报,
1992, 41(4): 675-682.
doi: 10.7498/aps.41.675
|
[12] |
陈可明, 周国良, 盛篪, 蒋维栋, 张翔九. Ge/Si(111)与Si/Ge(111)体系的生长特性与表面再构研究. 物理学报,
1990, 39(4): 599-606.
doi: 10.7498/aps.39.599
|
[13] |
梅良模, 张瑞勤, 关大任, 蔡政亭. 清洁Si(111)表面电子结构的理论研究. 物理学报,
1989, 38(10): 1578-1584.
doi: 10.7498/aps.38.1578
|
[14] |
卢学坤, 董国胜. 用ARUPS和HREELS研究GaP(111)面的表面态. 物理学报,
1989, 38(12): 1974-1980.
doi: 10.7498/aps.38.1974
|
[15] |
叶令, 张开明. 用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附. 物理学报,
1987, 36(1): 47-53.
doi: 10.7498/aps.36.47
|
[16] |
樊永年. 硫在镍(100)表面偏析动力学研究. 物理学报,
1986, 35(12): 1640-1645.
doi: 10.7498/aps.35.1640
|
[17] |
樊永年. 硫偏析在钼(111)表面上的有序结构. 物理学报,
1986, 35(5): 667-671.
doi: 10.7498/aps.35.667
|
[18] |
曹培林, 施丹华. CO在Ni(100)表面活化及硫中毒机理的ASED—MO研究. 物理学报,
1985, 34(10): 1291-1298.
doi: 10.7498/aps.34.1291
|
[19] |
马可军, 俞振中, 金刚, 曹菊英. HCl—Fe+++溶液显示InSb{111}晶面的位错蚀坑. 物理学报,
1982, 31(9): 1285-1288.
doi: 10.7498/aps.31.1285
|
[20] |
张开明, 叶令. Si(111)表面原子弛豫研究. 物理学报,
1980, 29(1): 122-126.
doi: 10.7498/aps.29.122
|