| [1] |
董典萌, 汪成, 张清怡, 张涛, 杨永涛, 夏翰驰, 王月晖, 吴真平. 基于HfO2插层的Ga2O3基金属-绝缘体-半导体结构日盲紫外光电探测器. 物理学报,
2023, 72(9): 097302.
doi: 10.7498/aps.72.20222222
|
| [2] |
李庚霖, 贾曰辰, 陈峰. 绝缘体上铌酸锂薄膜片上光子学器件的研究进展. 物理学报,
2020, 69(15): 157801.
doi: 10.7498/aps.69.20200302
|
| [3] |
王泽霖, 张振华, 赵喆, 邵瑞文, 隋曼龄. 电触发二氧化钒纳米线发生金属-绝缘体转变的机理. 物理学报,
2018, 67(17): 177201.
doi: 10.7498/aps.67.20180835
|
| [4] |
彭超, 恩云飞, 李斌, 雷志锋, 张战刚, 何玉娟, 黄云. 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究. 物理学报,
2018, 67(21): 216102.
doi: 10.7498/aps.67.20181372
|
| [5] |
周航, 郑齐文, 崔江维, 余学峰, 郭旗, 任迪远, 余德昭, 苏丹丹. 总剂量效应致0.13m部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应. 物理学报,
2016, 65(9): 096104.
doi: 10.7498/aps.65.096104
|
| [6] |
罗明海, 徐马记, 黄其伟, 李派, 何云斌. VO2金属-绝缘体相变机理的研究进展. 物理学报,
2016, 65(4): 047201.
doi: 10.7498/aps.65.047201
|
| [7] |
周航, 崔江维, 郑齐文, 郭旗, 任迪远, 余学峰. 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究. 物理学报,
2015, 64(8): 086101.
doi: 10.7498/aps.64.086101
|
| [8] |
赵星, 梅博, 毕津顺, 郑中山, 高林春, 曾传滨, 罗家俊, 于芳, 韩郑生. 0.18 m部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究. 物理学报,
2015, 64(13): 136102.
doi: 10.7498/aps.64.136102
|
| [9] |
赵小龙, 康雪, 陈亮, 张忠兵, 刘金良, 欧阳晓平, 彭文博, 贺永宁. ZnO半导体电导型X射线探测器件研究. 物理学报,
2014, 63(9): 098502.
doi: 10.7498/aps.63.098502
|
| [10] |
白玉蓉, 徐静平, 刘璐, 范敏敏, 黄勇, 程智翔. 高k栅介质小尺寸全耗尽绝缘体上锗p型金属氧化物半导体场效应晶体管漏源电流模型. 物理学报,
2014, 63(23): 237304.
doi: 10.7498/aps.63.237304
|
| [11] |
石艳梅, 刘继芝, 姚素英, 丁燕红. 具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构. 物理学报,
2014, 63(10): 107302.
doi: 10.7498/aps.63.107302
|
| [12] |
吕厚祥, 石德政, 谢征微. 铁磁/半导体(绝缘体)/铁磁异质结中渡越时间与两铁磁层磁矩夹角变化的关系. 物理学报,
2013, 62(20): 208502.
doi: 10.7498/aps.62.208502
|
| [13] |
洪霞, 郭雄彬, 方旭, 李衎, 叶辉. 基于表面等离子体共振增强的硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计研究. 物理学报,
2013, 62(17): 178502.
doi: 10.7498/aps.62.178502
|
| [14] |
江天, 程湘爱, 江厚满, 陆启生. 光伏半导体器件对能量小于禁带宽度光子的响应机理研究. 物理学报,
2011, 60(10): 107305.
doi: 10.7498/aps.60.107305
|
| [15] |
王昌雷, 田震, 邢岐荣, 谷建强, 刘丰, 胡明列, 柴路, 王清月. 硅基VO2纳米薄膜光致绝缘体—金属相变的THz时域频谱研究. 物理学报,
2010, 59(11): 7857-7862.
doi: 10.7498/aps.59.7857
|
| [16] |
张大成, 申艳艳, 黄元杰, 王卓, 刘昌龙. 绝缘体中金属离子注入合成纳米颗粒的理论研究. 物理学报,
2010, 59(11): 7974-7978.
doi: 10.7498/aps.59.7974
|
| [17] |
马建华, 孙璟兰, 孟祥建, 林 铁, 石富文, 褚君浩. SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性. 物理学报,
2005, 54(3): 1390-1395.
doi: 10.7498/aps.54.1390
|
| [18] |
谢秉川, 高雷. 非线性正常导体-绝缘体无规网络渡越指数的研究. 物理学报,
2000, 49(2): 365-370.
doi: 10.7498/aps.49.365
|
| [19] |
王茂祥, 俞建华, 孙承休, 吴宗汉. 金属-绝缘体-半导体(Au-SiO2-Si)隧道结的负阻现象与发光特性. 物理学报,
2000, 49(6): 1159-1162.
doi: 10.7498/aps.49.1159
|
| [20] |
陈锋, 应和平, 徐铁锋, 李文铸. 二维半充满Hubbard模型有限温度下绝缘体──金属相变的研究. 物理学报,
1994, 43(10): 1672-1676.
doi: 10.7498/aps.43.1672
|
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