搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

赵谦 王波 严辉 久米田稔 清水立生

引用本文:
Citation:

退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

赵谦, 王波, 严辉, 久米田稔, 清水立生

Annealing effect on the photoluminescence and dangling bonddensity in erbium-doped hydrogenated amorphous silicon

Zhao Qian, Wang Bo, Yan Hui, M.Kumeda, T.Shimizu
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  6847
  • PDF下载量:  626
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2003-03-12
  • 修回日期:  2003-04-04
  • 刊出日期:  2004-01-15

/

返回文章
返回