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表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机理的第一性原理研究

梁培 刘阳 王乐 吴珂 董前民 李晓艳

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表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机理的第一性原理研究

梁培, 刘阳, 王乐, 吴珂, 董前民, 李晓艳

Investigation of the doping failure induced by DB in the SiNWs using first principles method

Liang Pei, Liu Yang, Wang Le, Wu Ke, Dong Qian-Min, Li Xiao-Yan
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-09-07
  • 修回日期:  2012-01-12
  • 刊出日期:  2012-08-05

表面悬挂键导致硅纳米线掺杂失效机理的第一性原理研究

  • 1. 中国计量学院光学与电子科技学院, 杭州 310018;
  • 2. 浙江大学信息学部, 杭州 310018
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61006051, 61177050)和浙江省自然科学基金(批准号: Y407370, Y6100244, Z1110222)资助的课题.

摘要: 利用第一性原理方法, 本文计算了B/N单掺杂SiNWs, 以及含有表面悬挂键的B/N单掺杂硅纳米线的总能和电子结构, 计算结果表明, 悬挂键的出现会导致单原子掺杂失效. 能带结构分析表明, B/N掺杂的H钝化的SiNWs表现出正常的p/n特性, 而表面悬挂键(dangling binding, DB)的存在会导致p型(B原子)或者n型(N原子)掺杂失效; 其失效的原因主要是因为表面悬挂键所引入的缺陷能级俘获了n型杂质(p型杂质)所带来的电子(空穴); 利用小分子(SO2)吸附饱和悬挂键可以起到激活杂质的作用, 进而实现Si纳米线的有效掺杂.

English Abstract

参考文献 (20)

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