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硅基光电子物理和器件

编者按:

半导体科学技术的出现和发展为人类社会的生产和生活带来前所未有的变革. 半导体科学技术是信息产业的核心和基础, 是推动传统工业转型升级的物质支撑, 是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性基石. 特别是作为半导体技术之一的微电子技术, 不但自身是一个庞大的产业, 它还作为核心部件在不断推动其他科技应用的迅速发展, 从国防科技、现代工业到日常生活, 各个领域无不渗透着半导体微电子技术. 半导体科学技术已经成为一种既代表国家现代化工业水平又与人民生活息息相关的基础性高新技术, 我们无法想象如果它在将来停止继续往前发展了会怎么样? 随着晶体管的不断缩小, 芯片集成度的不断提高, 晶体管间的电互连面临包括散热、串扰、延迟在内的一系列问题, 成为限制集成电路进一步发展的主要阻力. 最新的14 nm 工艺,金属导线的最小间距只有52 nm, 线宽只有几个纳米,已经非常接近物理极限. 在同一芯片上集成光子学器件和电子学器件用光互连代替电互连的光电集成技术有望解决这一难题, 硅基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点. 光互连的实现还将为进一步集成量子器件提供必要条件. 目前硅基光电探测器、电光调制器、波分复用器、光波导等都已成功实现, 但由于硅的间接带隙特点导致真正能够实用的硅基光源仍悬而未决. 实现硅基发光器件成为实现硅基光电集成技术最具挑战和最重要的目标.


本刊组织的“硅基光电子物理和器件” 专题从理论设计高效发光硅锗超晶格, 包括量子效应低维硅, 硅基稀土掺杂, 硅中缺陷发光和硅基锗材料在内的各种硅基发光材料制备、高迁移率锗沟道器件、硅基IV 族异质结构发光器件和硅基III-V 族量子点激光器等几个方面对各种硅基光源目前面临的问题和未来的发展方向进行系统的介绍和总结, 推动国内硅基发光器件的研究进展, 以期在国际上首先实现可实用的硅基发光器件.

客座编辑:中国科学院半导体研究所 骆军委, 李树深
物理学报. 2015, 64(20).
硅基光源的研究进展
沈浩, 李东升, 杨德仁
2015, 64 (20): 204208. doi: 10.7498/aps.64.204208
摘要 +
随着人们对大容量、高速和低成本的信息传播的要求越来越迫切, 近年来硅基光电子学得以蓬勃发展, 但硅基光源一直没有得到真正的解决, 成为制约硅基光电子学发展的瓶颈. 硅的间接带隙本质给高效硅基光源的实现带来很大困难, 实用化的硅基激光是半导体科学家长期奋斗的目标. 本文分别介绍了硅基发光材料、硅基发光二极管和硅基激光的研究进展, 最后总结了目前各种硅基光源面临的问题和未来的发展方向.
硅基III-V族量子点激光器的发展现状和前景
王霆, 张建军, Huiyun Liu
2015, 64 (20): 204209. doi: 10.7498/aps.64.204209
摘要 +
本文简要综述了硅基III-V族量子点激光器的研究进展. 在介绍了量子点激光器的优势和发展后, 重点介绍了近年来硅基、锗基III-V族量子点材料生长上的突破性进展及所带来的器件性能的大幅提高, 如实现了锗基和硅基1.3 m InAs/GaAs量子点激光器的室温激射, 锗基量子点激光器的阈值电流低至55.2 A/cm2并可达60 ℃以上的连续激射, 通过锗硅虚拟衬底, 在硅基上实现了30 ℃下以16.6 mW的输出功率达到4600 h的激光寿命, 这些突破性的进展为硅基光电子集成打开了新的大门.
Si基IV族异质结构发光器件的研究进展
何超, 张旭, 刘智, 成步文
2015, 64 (20): 206102. doi: 10.7498/aps.64.206102
摘要 +
Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点, 有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题. 在Si基光互连的关键器件中, 除了Si基光源尚未得到解决, 其他器件都已经实现, 因此Si基可集成高效光源具有十分重要的研究意义. 同为IV族元素的Ge 和GeSn因其与Si的可集成性及其独特的能带结构有望成为Si基光电集成回路中的光源. 虽然Ge是间接带隙材料, 但通过引入张应变、n型重掺杂, 或者引入Sn形成GeSn合金等能带工程手段来提高发光效率. 近年来, Si 基IV族发光材料和发光器件有许多重要进展, 本文就Si基Ge, GeSn材料发光研究中的几个关键技术节点应变工程、掺杂技术、理论模型和器件研究回顾了近几年国际和国内的研究进展, 并展望了Si基IV族激光器的发展趋势.
半导体材料基因组计划:硅基发光材料
骆军委, 李树深
2015, 64 (20): 207803. doi: 10.7498/aps.64.207803
摘要 +
材料基因组计划旨在通过实验、计算和理论的有机整合协同创新, 实现新材料研发周期减半, 成本降低到现有的几分之一, 以期加速在清洁能源、国家安全、人类福利等方面的进步. 半导体材料的研究和发展奠定了半导体科学技术在当前人类社会发展中至关重要的地位, 半导体材料基因组计划的实施将促使半导体科学技术的研究和应用进入一个崭新的时代. 本文基于基因遗传算法理论设计硅基发光材料的研究工作探讨了半导体材料基因组计划的实施构想. 首先简单介绍了硅基发光的应用前景和开发硅基发光材料所面临的挑战. 随后介绍了基于模拟达尔文物种进化的基因遗传算法和高精度高性能的能带结构计算方法, 设定高效带边发光这一目标, 逆向设计拥有直接带隙发光的二维Si/Ge超晶格和一维Si/Ge核-多壳纳米线, 为实施半导体材料基因组计划提供了一个范例, 显示了材料基因组计划的强大力量和巨大价值. 最后对半导体材料基因组计划的实施提了几点建议.
高迁移率Ge沟道器件研究进展
安霞, 黄如, 李志强, 云全新, 林猛, 郭岳, 刘朋强, 黎明, 张兴
2015, 64 (20): 208501. doi: 10.7498/aps.64.208501
摘要 +
高迁移率Ge沟道器件由于其较高而且更对称的载流子迁移率, 成为未来互补型金属-氧化物-半导体(CMOS) 器件极有潜力的候选材料. 然而, 对于Ge基MOS器件, 其栅、源漏方面面临的挑战严重影响了Ge基MOS 器件性能的提升, 尤其是Ge NMOS器件. 本文重点分析了Ge基器件在栅、源漏方面面临的问题, 综述了国内外研究者们提出的不同解决方案, 在此基础上提出了新的技术方案. 研究结果为Ge基MOS 器件性能的进一步提升奠定了基础.