硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (8): 5706-5709
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究
邱冲1, 封飞飞2, 王光绪2, 刘军林3, 江风益4
(1)晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029; (2)南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047; (3)南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047; 晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029; (4)南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌 330047;晶能光电(江西)有限公司,南昌 330029
N-polar n-type ohmic contact of GaN-based LED on Si substrate
Feng Fei-Fei1, Wang Guang-Xu1, Liu Jun-Lin2, Jiang Feng-Yi2, Qiu Chong3
(1)Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Nanchang University, Nanchang 330047, China; (2)Education Ministry Engineering Research Center for Luminescence Materials and Devices, Nanchang University, Nanchang 330047, China; Latticepower (jiangxi) Corporation, Nanchang 330096, China; (3)Latticepower (jiangxi) Corporation, Nanchang 330096, China

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