晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究
物理学报
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (11): 117304     doi:10.7498/aps.60.117304
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晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究
王平亚, 张金风, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃
宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
Transport properties of two-dimensional electron gas in lattice-matched InAlN/GaN and InAlN/AlN/GaN materials
Wang Ping-Ya, Zhang Jin-Feng, Xue Jun-Shuai, Zhou Yong-Bo, Zhang Jin-Cheng, Hao Yue
Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

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