锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (6): 065101
气体、等离子体和放电物理 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
锗硅/硅异质结材料的化学气相淀积生长动力学模型
戴显英, 金国强, 董洁琼, 王船宝, 赵娴, 楚亚萍, 奚鹏程, 邓文洪, 张鹤鸣, 郝跃
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
A kinetics model for the chemical vapor deposition growth of SiGe/Si heterojunction materials
Dai Xian-Ying, Jin Guo-Qiang, Dong Jie-Qiong, Wang Chuan-Bao, Zhao Xian, Chu Ya-Ping, Xi Peng-Cheng, Deng Wen-Hong, Zhang He-Ming, Hao Yue
School of Microelectronic, Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University,Xi,an 710071,China

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