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SiOxNy薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型

杨炳良 刘百勇 陈斗南 郑耀宗

SiOxNy薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型

杨炳良, 刘百勇, 陈斗南, 郑耀宗
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-03-12
  • 修回日期:  1990-05-08
  • 刊出日期:  2005-07-01

SiOxNy薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型

  • 1. (1)华南理工大学物理系,广州,510641; (2)香港大学
    基金项目: 

    中国科学院科学基金

摘要: 本文研究了SiOxNy薄膜的微观结构和电流传输行为,并提出一个新的,用于解释SiOxNy薄膜的电流传输,特别对于外加高场直到介质膜发生本征击穿前的电流传输行为的模型。理论与实验符合较好。采用新模型满意地解释了膜的l-V特性中出现的电流增加和陷阱台阶现象,并对外加电场和电子陷阱对电流传输行为的影响进行了讨论。

English Abstract

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