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AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定

陈维德 崔玉德

AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定

陈维德, 崔玉德
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-07-12
  • 刊出日期:  1994-04-20

AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定

  • 1. 中国科学院半导体研究所和表面物理国家重点实验室,北京100083

摘要: 利用PHI610俄歇谱仪测定了Al,Ga和As的俄歇灵敏度因子。对6种不同x值的AlxGa1-xAs样品进行俄歇定量分析。结果与X射线双晶衍射测量值非常一致。结果表明,利用自身谱仪测定的俄歇灵敏度因子进行的定量分析结果,与目前通常使用的手册或内标法提供的元素相对灵敏度因子的定量分析结果相比,测量精度得到大大提高。

English Abstract

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