尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!
GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析
李娜 , 袁先漳 , 李宁 , 陆卫 , 李志峰 , 窦红飞 , 沈学础 , 金莉 , 李宏伟 , 周均铭 , 黄绮
用微信扫码二维码
分享至好友和朋友圈
(1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080
973项目!《光电功能晶体结构性能、分子设计、微结构设计与制备过程的研究》资助的课题&&
摘要: 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.
/