GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

李娜; 袁先漳; 李宁; 陆卫; 李志峰; 窦红飞; 沈学础; 金莉; 李宏伟; 周均铭; 黄绮

doi:10.7498/aps.49.797

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GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

李娜 , 袁先漳 , 李宁 , 陆卫 , 李志峰 , 窦红飞 , 沈学础 , 金莉 , 李宏伟 , 周均铭 , 黄绮

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

李娜, 袁先漳, 李宁, 陆卫, 李志峰, 窦红飞, 沈学础, 金莉, 李宏伟, 周均铭, 黄绮

物理学报. 2000, 49(4): 797-801.

doi: 10.7498/aps.49.797.

摘要
通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.
作者及机构信息
李娜¹,

袁先漳¹,

李宁¹,

陆卫¹,

李志峰¹,

窦红飞¹,

沈学础¹,

金莉²,

李宏伟²,

周均铭²,

黄绮²

(1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080

基金项目: 973项目!《光电功能晶体结构性能、分子设计、微结构设计与制备过程的研究》资助的课题&&
参考文献

施引文献

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物理学报. 2000, 49(4): 797-801.

doi: 10.7498/aps.49.797.

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

1. (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080

基金项目:

973项目!《光电功能晶体结构性能、分子设计、微结构设计与制备过程的研究》资助的课题&&

收稿日期: 1999-06-28
刊出日期: 2000-02-05

摘要: 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.

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(1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080

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出版历程

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析

English Abstract

1. (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080

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