| [1] |
杜安天, 刘若涛, 曹春芳, 韩实现, 王海龙, 龚谦. 利用InAs/GaAs数字合金超晶格改进InAs量子点有源区的结构设计. 物理学报,
2023, 72(12): 128101.
doi: 10.7498/aps.72.20230270
|
| [2] |
王学章, 李科群. 锂电池叉流流道液冷结构设计及散热特性分析. 物理学报,
2022, 71(18): 184702.
doi: 10.7498/aps.71.20220212
|
| [3] |
吴飞, 黄威, 陈文渊, 肖勇, 郁殿龙, 温激鸿. 基于微孔板与折曲通道的亚波长宽带吸声结构设计. 物理学报,
2020, 69(13): 134303.
doi: 10.7498/aps.69.20200368
|
| [4] |
庄新港, 刘红博, 张鹏举, 史学舜, 刘长明, 刘红元, 王恒飞. 低温辐射计热结构设计与分析. 物理学报,
2019, 68(6): 060601.
doi: 10.7498/aps.68.20181880
|
| [5] |
王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐. 内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析. 物理学报,
2013, 62(20): 207303.
doi: 10.7498/aps.62.207303
|
| [6] |
杨晨, 张洪欣, 王海侠, 徐楠, 许媛媛, 黄丽玉, 张可欣. 十字环型左手材料单元结构设计与仿真. 物理学报,
2012, 61(16): 164101.
doi: 10.7498/aps.61.164101
|
| [7] |
李维峰, 梁迎新, 金勇, 魏建华. AlxGa1-xAs:Si 中DX中心的双极化子机制及统计分析. 物理学报,
2010, 59(12): 8850-8855.
doi: 10.7498/aps.59.8850
|
| [8] |
任淮辉, 李旭东. 三维材料微结构设计与数值模拟. 物理学报,
2009, 58(6): 4041-4052.
doi: 10.7498/aps.58.4041
|
| [9] |
张松, 屈绍波, 马华, 谢峰, 徐卓. 基于平行金属条的左手结构设计与仿真研究. 物理学报,
2009, 58(6): 3961-3965.
doi: 10.7498/aps.58.3961
|
| [10] |
王传道. GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构. 物理学报,
2008, 57(2): 1091-1096.
doi: 10.7498/aps.57.1091
|
| [11] |
辛 萍, 孙成伟, 秦福文, 文胜平, 张庆瑜. 反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析. 物理学报,
2007, 56(2): 1082-1087.
doi: 10.7498/aps.56.1082
|
| [12] |
张礼杰, 雷 鸣, 王宇明, 李建立, 孙 彧, 刘景和. Yb3+掺杂KY(WO4)2激光晶体生长、结构与光谱分析. 物理学报,
2006, 55(6): 3141-3146.
doi: 10.7498/aps.55.3141
|
| [13] |
佟存柱, 牛智川, 韩 勤, 吴荣汉. 1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析. 物理学报,
2005, 54(8): 3651-3656.
doi: 10.7498/aps.54.3651
|
| [14] |
缪中林, 陈平平, 陆卫, 徐文兰, 李志锋, 蔡玮颖. GaAs/Al1-xAs表面单量子阱原位光调制反射光谱研究. 物理学报,
2001, 50(1): 111-115.
doi: 10.7498/aps.50.111
|
| [15] |
程文芹, 蔡丽红, 谢小刚, 王文新, 胡强, 周钧铭. AlyGa1-yAs/AlxGa1-xAs量子阱激光器材料的光致荧光谱. 物理学报,
1996, 45(2): 304-306.
doi: 10.7498/aps.45.304
|
| [16] |
陈维德, 崔玉德. AlxGa1-xAs俄歇灵敏度因子的测定. 物理学报,
1994, 43(4): 673-677.
doi: 10.7498/aps.43.673
|
| [17] |
韦亚一, 沈金熙, 郑国珍, 郭少令, 汤定元, 彭正夫, 张允强. Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究. 物理学报,
1994, 43(2): 282-288.
doi: 10.7498/aps.43.282
|
| [18] |
潘少华, 陈正豪, 冯思民, 崔大复, 杨国桢. GaAs/AlxGa1-xAs超晶格子带间光跃迁的研究. 物理学报,
1990, 39(12): 2011-2018.
doi: 10.7498/aps.39.2011
|
| [19] |
王莉君, 侯宏启, 周均铭, 唐汝明, 鲁志东, 王彦云, 黄绮. InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究. 物理学报,
1989, 38(7): 1086-1092.
doi: 10.7498/aps.38.1086
|
| [20] |
黄春晖, 卢学坤, 丁训民. AlxGa1-xAs(100)表面性质的研究. 物理学报,
1989, 38(12): 1968-1973.
doi: 10.7498/aps.38.1968
|
下载:
