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p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

季振国 何振杰 宋永梁

p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

季振国, 何振杰, 宋永梁
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-07-28
  • 修回日期:  2004-03-31
  • 刊出日期:  2004-06-05

p型导电掺In的SnO2薄膜的制备及表征

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金(批准号:G2000068306)和国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA3A19/1)资助的课题.

摘要: 采用溶胶-凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2薄膜.x射线衍射测试结果表明,掺In的SnO2薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试结果表明,掺In的SnO2禁带宽度为3.8eV.霍尔测量结果表明,空穴浓度与热处理温度有很大的关系,525℃为最佳热处 理的温度.铟锡原子比在0.05—0.20范围内,空穴的浓度与In的含量有直接的关系,并随In含量的增加而增加.

English Abstract

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