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不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

张仁刚 王宝义 张 辉 马创新 魏 龙

不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

张仁刚, 王宝义, 张 辉, 马创新, 魏 龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-09-22
  • 修回日期:  2004-10-18
  • 刊出日期:  2005-05-10

不同参数溅射的ZnO薄膜硫化后的特性

  • 1. 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10275077)资助的课题.

摘要: 采用直流反应磁控溅射法在玻璃和石英衬底上沉积了ZnO薄膜, 然后将它们在H2S气流中 硫化得到ZnS薄膜.用x射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和UV-VIS透过光谱对Zn S薄膜样品进行了分析.结果表明, 该ZnS薄膜为六角晶体结构, 沿(002)晶面择优取向生长, 其结晶状态和透过光谱与工作气压、Ar/O2流量比密切相关. 当气压高于1Pa 时, 得 到厚度很小的ZnS薄膜; 而气压低于1Pa时, 沉积的ZnO薄膜则不能全部反应生成ZnS. 另外, 当Ar/O2流量比低于4∶1或高于4∶1时, 结晶状态都会变差. 此外, 由于ZnS薄 膜具有高 的沿(002)晶面择优取向的生长特性, 使得退火或未退火ZnO薄膜硫化后的晶粒尺寸变化很小 .

English Abstract

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