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缺陷对左手材料负折射的调控行为

赵 晶 郑 晴 赵晓鹏 李明明

缺陷对左手材料负折射的调控行为

赵 晶, 郑 晴, 赵晓鹏, 李明明
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-23
  • 修回日期:  2006-03-03
  • 刊出日期:  2006-06-05

缺陷对左手材料负折射的调控行为

  • 1. (1)清华大学电机工程与应用电子技术系,北京 100084; (2)西北工业大学电流变技术研究所,西安 710072
    基金项目: 

    国家杰出青年科学基金(批准号:50025207)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2004CB719805)和航空科学基金(批准号:05G53045)资助的课题.

摘要: 采用电路板刻蚀技术制备左手材料样品,由劈尖法分别研究了无缺陷和引入缺陷时左手材料的负折射特性.实验结果表明,引入两种点缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比分别为1.035和1.256,且负折射率的绝对值分别增大了9.6%和19.6%;引入空位缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比最大为1.973,最小为0.364,负折射率的绝对值最大增大了68.3%,最小增大了9.6%.缺陷的存在改变了左手材料周期性结构,形成新的电磁谐振条件,使其负折射率和功率峰值发生了变化,实现了对左手材料负折射率的调控.

English Abstract

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