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表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

李 琦 李肇基 张 波

表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

李 琦, 李肇基, 张 波
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-14
  • 修回日期:  2007-04-12
  • 刊出日期:  2007-11-20

表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

  • 1. 电子科技大学IC设计中心,成都 610054

摘要: 提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程, 获得double RESURF表面电场的解析式. 借助此模型, 研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响; 计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关系, 给出了获得最大击穿电压和最小导通电阻的途径. 数值结果, 解析结果和试验结果符合较好.

English Abstract

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