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高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计

王骁玮 罗小蓉 尹超 范远航 周坤 范叶 蔡金勇 罗尹春 张波 李肇基

高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计

王骁玮, 罗小蓉, 尹超, 范远航, 周坤, 范叶, 蔡金勇, 罗尹春, 张波, 李肇基
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-07-15
  • 修回日期:  2013-09-17
  • 刊出日期:  2013-12-05

高k介质电导增强SOI LDMOS机理与优化设计

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院, 成都 610054
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61176069)、中国博士后科学基金(批准号:2012T50771)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-0062)资助的课题.

摘要: 本文提出一种高k介质电导增强SOI LDMOS新结构(HK CE SOI LDMOS),并研究其机理. HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质,反向阻断时,高k介质对漂移区进行自适应辅助耗尽,实现漂移区三维RESURF效应并调制电场,因而提高器件耐压和漂移区浓度并降低导通电阻. 借助三维仿真研究耐压、比导通电阻与器件结构参数之间的关系. 结果表明,HK CE SOI LDMOS与常规超结SOI LDMOS相比,耐压提高16%–18%,同时比导通电阻降低13%–20%,且缓解了由衬底辅助耗尽效应带来的电荷非平衡问题.

English Abstract

参考文献 (16)

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