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Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

冯 倩 郝 跃 岳远征

Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

冯 倩, 郝 跃, 岳远征
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-04-21
  • 修回日期:  2007-07-21
  • 刊出日期:  2008-03-20

Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国防预研项目(批准号:51308030102)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题.

摘要: 在研制AlGaN/GaN HEMT器件的基础上,采用ALD法制备了Al2O3 AlGaN/GaN MOSHEMT器件.通过X射线光电子能谱测试表明在AlGaN/GaN异质结材料上成功淀积了Al2O3薄膜.根据对HEMT和MOSHEMT器件肖特基电容、器件输出以及转移特性的测试进行分析发现:所制备的Al2O3薄膜与AlGaN外延层间界面态密度较小,因而MOSHEMT器件呈现出较

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