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基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

吴东江 王叶安 秦福文 吴爱民 徐 茵 顾 彪

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

吴东江, 王叶安, 秦福文, 吴爱民, 徐 茵, 顾 彪
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-01
  • 修回日期:  2007-06-01
  • 刊出日期:  2008-01-15

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

  • 1. (1)大连理工大学机械工程学院,大连 116024; (2)大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60476008)资助的课题.

摘要: 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于

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