搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

杨威 姬扬 罗海辉 阮学忠 王玮竹 赵建华

Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

杨威, 姬扬, 罗海辉, 阮学忠, 王玮竹, 赵建华
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4178
  • PDF下载量:  949
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2009-03-08
  • 修回日期:  2009-04-28
  • 刊出日期:  2009-06-05

Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10674129)资助的课题.

摘要: 建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回