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硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响

檀满林 朱嘉琦 张化宇 朱振业 韩杰才

硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响

檀满林, 朱嘉琦, 张化宇, 朱振业, 韩杰才
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-06
  • 修回日期:  2008-02-25
  • 刊出日期:  2008-05-05

硼掺杂对四面体非晶碳膜电导性能的影响

  • 1. (1)哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨 150018; (2)哈尔滨工业大学深圳研究生院,深圳 518055; (3)哈尔滨工业大学深圳研究生院,深圳 518055;哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨 150018
    基金项目: 

    国家博士后科学基金(批准号:20070420851)和武器装备预研基金(批准号:9140A12060408HT0131)资助的课题.

摘要: 以单质硼和高纯石墨的混合粉末压制成型的靶材作为靶源,采用过滤阴极真空电弧技术制备不同硼含量的掺硼四面体非晶碳膜.分别采用四探针法、阻抗分析仪和电化学界面对薄膜的变温电导率、I-V特性和C-V特性进行了测试和研究.实验结果表明,当B含量由0增加至6.04 at%时,薄膜的室温电导率先逐渐增大而后逐渐减小,相应薄膜的电导激活能先逐渐减小而后逐渐增大,并在2.13 at%时分别出现最大和最小值1.42×10-7S/cm和0.1eV.此外,掺硼四面体非晶碳/n型硅异质结的I-V曲线表现出典型的整流特性,表明p-n结二极管已经形成,且结两端的掺杂能级在空间上连续统一.

English Abstract

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