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循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究

胡美娇 李成 徐剑芳 赖虹凯 陈松岩

循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究

胡美娇, 李成, 徐剑芳, 赖虹凯, 陈松岩
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  • 采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析.最后制备出11 nm厚的绝缘体上Ge材料(GeOI),具有完整的晶格结构和平整的界面.室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm,发光
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404)和国家自然科学基金(批准号:61036003和60837001)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-09-23
  • 修回日期:  2010-10-11
  • 刊出日期:  2011-07-15

循环氧化/退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究

  • 1. 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404)和国家自然科学基金(批准号:61036003和60837001)资助的课题.

摘要: 采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析.最后制备出11 nm厚的绝缘体上Ge材料(GeOI),具有完整的晶格结构和平整的界面.室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm,发光

English Abstract

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