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FeCuNbSiB对FeNi/PZT复合结构磁电效应的影响

文玉梅 王东 李平 陈蕾 吴治峄

FeCuNbSiB对FeNi/PZT复合结构磁电效应的影响

文玉梅, 王东, 李平, 陈蕾, 吴治峄
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  • 构造了FeCuNbSiB/FeNi/PZT磁电复合结构并与FeNi/PZT复合结构进行了对比研究.分析了高磁导率材料FeCuNbSiB对FeNi磁场的影响机理,研究了FeCuNbSiB/FeNi/PZT三相复合结构的磁电效应.实验表明,在FeNi/PZT两相层合结构中黏接FeCuNbSiB层后:1)最优偏置磁场从200 Oe降低到55 Oe,最大谐振磁电电压系数从1.59 V/Oe增大到2.77 V/Oe;2)在低偏置磁场中,层合结构磁电电压转换系数提高了1.7—7.8倍;3)层合结构的磁电电压对静态磁场
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10776039,50830202)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-10-16
  • 修回日期:  2010-12-13
  • 刊出日期:  2011-09-15

FeCuNbSiB对FeNi/PZT复合结构磁电效应的影响

  • 1. 重庆大学光电工程学院,教育部光电技术及系统重点实验室,重庆 400030
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10776039,50830202)资助的课题.

摘要: 构造了FeCuNbSiB/FeNi/PZT磁电复合结构并与FeNi/PZT复合结构进行了对比研究.分析了高磁导率材料FeCuNbSiB对FeNi磁场的影响机理,研究了FeCuNbSiB/FeNi/PZT三相复合结构的磁电效应.实验表明,在FeNi/PZT两相层合结构中黏接FeCuNbSiB层后:1)最优偏置磁场从200 Oe降低到55 Oe,最大谐振磁电电压系数从1.59 V/Oe增大到2.77 V/Oe;2)在低偏置磁场中,层合结构磁电电压转换系数提高了1.7—7.8倍;3)层合结构的磁电电压对静态磁场

English Abstract

参考文献 (14)

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