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类磁控管结构的理论分析

李伟 刘永贵

类磁控管结构的理论分析

李伟, 刘永贵
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-12-23
  • 修回日期:  2011-04-15
  • 刊出日期:  2012-01-05

类磁控管结构的理论分析

  • 1. 国防科技大学光电科学与工程学院, 长沙 410073
    基金项目: 

    国家高技术发展计划项目资助的课题.

摘要: 利用场匹配法得到了类磁控管结构的色散关系以及场函数表达式的同时, 利用高频电磁场分析软件验证了所得结果正确性, 并改变结构参数考察了截止频率的变化情况. 最终结果表明: 在保证其他参量不变的前提下,π模截止频率随外半径的减小, 内半径的增大或谐振腔数的增多而提高, 随谐振腔张角的增大而降低. 所得结果对于分析同轴辐射相对论磁控管的模式转换和传输特性奠定了基础.

English Abstract

参考文献 (12)

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