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正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

魏健文 董正超

正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

魏健文, 董正超
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-10-13
  • 修回日期:  2004-09-16
  • 刊出日期:  2005-05-10

正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

  • 1. 淮阴师范学院物理系,淮安 223001
    基金项目: 

    江苏省教育厅自然科学基金(批准号:04KJD140036)和国家自然科学基金(批准号:1034712 9)资助的课题.

摘要: 在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中,以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影 响,运用Bogoliubov_de Gennes(BdG)方程、Blonder_Tinkham_Klapwijk(BTK)理论,计算 了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振 荡和衰减两种趋势,其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=Δ 0/e的偏压值,电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关,显示了比δ势 描述更为丰富多彩的隧道谱.

English Abstract

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