搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响

张进成 郑鹏天 董作典 段焕涛 倪金玉 张金凤 郝跃

背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响

张进成, 郑鹏天, 董作典, 段焕涛, 倪金玉, 张金凤, 郝跃
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3901
  • PDF下载量:  1891
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-24
  • 修回日期:  2008-11-02
  • 刊出日期:  2009-05-20

背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国防预研项目(批准号:51311050112,51308030102,51308040301),国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033)和国防基础科研项目(批准号:A1420060156)资助的课题.

摘要: 首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同背势垒层的AlGaN/GaN双异质结构材料,通过汞探针CV测试验证了理论计算的正确性.理论计算和实验结果均表明,随着背势垒层Al组分的提高和厚度的增加,主沟道中的二维电子气面密度逐渐减小,寄生沟道的二维电子气密度逐渐增加;背势垒层Al组分的提高和厚度的增加能有效的增强主沟道的二维电子气限域性,但是却带来了较高的

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回